模拟电子技术综合一

中国石油大学（华东）现代远程教育

《 模拟电子技术 》综合复习资料

第一章 常用半导体器件 一、选择

[ A ] A. B. C. D.

NPN型硅管 PNP型硅管

NPN型锗管 2V 6V PNP型锗管 1.3V

1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是

2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ] A.饱和 B.放大

C.截止

D.已损坏

3、 在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大

小将是 [ C ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定

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《 模拟电子技术 》综合复习资料

第一章 常用半导体器件 一、选择

[ A ] A. B. C. D.

NPN型硅管 PNP型硅管

NPN型锗管 2V 6V PNP型锗管 1.3V

1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是

2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ] A.饱和 B.放大

C.截止

D.已损坏

3、 在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大

小将是 [ C ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定

第一章

一、选择题（请选择一个最合适的答案填入括号内） 1. P型半导体中的多数载流子是（ ），N型半导体中的多数载流子是（ ）。

A. 自由电子 B. 空穴 C. 电荷

2. 当PN结正偏时，空间电荷区中载流子的扩散运动和漂流运动相比（ ）。

A. 前者强于后者 B. 后者强于前者 C.二者平衡 3. 二极管正向导通的条件是外加电压（ ）。

A. >0 B. >死区电压 C. >击穿电压 D. <死区电压 4. 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该管（ ）。

A. 击穿 B. 电流为零 C. 电流正常 D. 电流过大使管子烧坏 5. 在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体，加入_____元素可形成P型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 D. 二价 6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_____

A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零

7. 工作在放大区的某三极管，如果当I

《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习

填 空

1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N型半导体主要靠_______导电，P型半导体主要靠______导电 。 5.PN结正向偏置是将P区接电源的______极，N区接电源的_____极 。

6.PN结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN结的______________________________。 7.二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后在较大电流下的正向压降约为________V，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。

9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分

模拟电子技术基础

一、基础题

1、在图中，RF反馈电路引入的是：

RFR1?ui?R2RLR A.并联电流负反馈 B.串联电压负反馈 C.并联电压负反馈 D.串联电流负反馈 答案A

2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 答案×

3、在纯净的半导体中如果掺入三价元素，就是P型半导体。

答案√

4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 答案×

5、双极性三极管的电流不仅有多子的运动，也要考虑少子的运动； 答案√

6、二极管的伏安特性上有一个死区电压，这个电压的大小与半导体的材料有关； 答案√

7、NPN晶体管的发射区和集电区都是N型半导体，所以发射极和集电极可以调换使用； 答案×

8、晶体管是电流控制元件； 答案√

9、发光二极管（LED）发光时一定是正向导通的； 答案√

10、将PN结的N区接电源的正极，P区接电源的负极，则为PN结的_______偏置。 答案：反向。

11、本征半导体就是完全纯净的、具有_______结构的半导体；用得最多的半导体材料就是_______和_______； 答案：晶体；硅；锗；

12、二极管具有_______导电性；稳压二极管是一种特殊的二极管，它一般工作在____

第 1页

电子技术综合设计

姓 名： 学 号： 专 业： 题 目： 多功能 数字钟 专 题： 电子技术综合设计 设计地点： 电工电子实验室 设计日期：2011年 月 日至2011年 月 日

成 绩： 指导教师：

年 月

第 2页

电子技术综合设计任务书

学生姓名 专业年级 学号

设计日期：2011 年 月 日 至 2011 年 月 日

设计专题： 电子技术综合设计

设计题目：多功能数字钟

设计内容和要求：

1. 主要内容：

① 用 CC4518双四位BCD同步加计数器设计60秒、60分、

《模拟电子技术》模拟试题一

一、 填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。

2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等

效成断开；

4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（ ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（ ）BW，其中BW=（ ）， （

《模拟电子技术》模拟试题一

一、 填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。

2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等

效成断开；

4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（ ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（ ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（ ）BW，其中BW=（ ）， （

华南理工大学《电路与模拟电子技术》考试试卷 第 1 页（共 7 页）

专业： 班级： 姓名： 学号： 华南理工大学期末考试试卷

《电路与模拟电子技术》

得分 评卷 一、填空题（每小题 3 分，共 21 分）

1. 如图 1 所示，开路电压 UOC = 3Ω 5V

1A 1Ω

2Ω

UOC

2A

u i Z

。

图 1

图 2

u = 12 sin ( 2512 t + π / 6 ) V, 则频率

2. 图 2 电路中已知 i = 6 sin ( 2512 t ? π / 6 ) A,

f =

赫。负载的功率因数 cos? = = , U = , I

。

3. 电路如图所示，运算放大器的饱和电压为 ± 12V，稳压管的稳定电压为 8V，正向压降 为 0.7

V，当输入电压 ui= -0.1V 时，则输出电压 uO 等于

。

华南理工大学《电路与模拟电子技术》考试试卷 第 2 页（共 7 页）

4. 整流电路如图 3 所示，输出电压平均值U O 是 18V，若因故一只二极管损坏而断开，则 输出电压平均值U O 变为 。

+VCC

C1 D1 D2 R L D4 Rb1 + C2 +

电子技术综合实验

Multisim实验

实验一 NI multisim 10仿真软件的基本操作

一、实验目的和要求

掌握NI multisim 10系统，NI multisim 10的主窗口、菜单栏、工具栏、元器件库、仪器仪表库的基本界面；NI Multisim 10的文件（File）、编辑（Edit）、创建子电路等基本操作；元器件的操作、电路图选项的设置、导线的操作、输入/输出端等电路创建的基础；数字多用表、示波器、函数信号发生器、电压表、电流表等仪器仪表的基本操作；NI Multisim 10的电路分析菜单和分析方法。

二、实践内容或原理

重点掌握NI Multisim 10仿真软件的基本操作方法，重点是NI Multisim 10的菜单、工具栏、元器件库、仪器仪表库、电路创建的操作方法。主要包含有：

1. NI multisim 10的基本界面、主窗口、菜单栏、工具栏 2. NI multisim 10的元器件库 3. NI multisim 10的仪器仪表库 4. NI multisim 10的基本操作 a. 文件（File）基本操作 b. 编辑（Edit）的基本操作

c. 创建子电路（Place →New Subcircuit）