cmos接口和LVDS

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LVDS接口设计

标签:文库时间:2025-02-16
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LVDS的接口电路设计

丁宏伟

摘要: LVDS是一种小振幅差分信号技术,使用这种技术传输速率可以达到数百兆,甚至更高; LVDS具有更低的功耗、更好的噪声性能和更可靠的稳定性。简要地介绍了LVDS的原理及优势,分析了LVDS接口设计要注意的问题。

关键词:LVDS;接口;PCB

中图分类号: TP336 文献标志码: A

引言

LVDS,即Low Voltage Differential Signaling,是一种低压差分信号技术接口。它是美国NS公司(美国国家半导体公司)为克服以TTL电平方式传输宽带高码率数据时功耗大、EMI电磁干扰大等缺点而研制的一种数字视频信号传输方式。LVDS这种技术的核心是采用极低的电压摆幅(约350 mV)高速差动传输数据,具有低功耗、低误码率、低串扰和低辐射等特点,其传输介质可以是铜质的PCB连线,也可以是平衡电缆。LVDS在对信号完整性、低抖动及共模特性要求较高的系统中得到了越来越广泛的应用。

1 LVDS驱动器和接收器工作原理

LVDS定义在2个国际标准中: IEEE P1596.3 (1996 年3 月通过) , 主要面向SC I ( ScalableCoherent Interface)

TTL和CMOS门电路

标签:文库时间:2025-02-16
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TTL和CMOS门电路

摘要:门电路是构成各种复杂数字电路的基本逻辑单元,TTL和CMOS

门电路作为目前应用最广的两种门电路,掌握TTL和CMOS门电路的逻辑功能和电气特性,对于正确使用数字集成电路是十分必要的。本文对于TTL和CMOS门电路的初学者有一定的参考作用。

关键词:TTL门电路;CMOS门电路

1. 引言

随着数字集成电路的问世和大规模集成电路工艺水平的不断提高,为数字电路的应用开拓了无限广阔的天地。从制造工艺上可以将目前使用的数字集成电路分为双极型、单极型和混合型三种。在数字集成电路发展的历史过程中,首先得到推广应用的是双极型的TTL电路。由于其体积小、重量轻、可靠性好,至今仍是最流行的集成电路系列之一。CMOS集成电路出现于20世纪60年代后期,随着其制造工艺的不断进步,CMOS电路逐渐成为当前集成电路的主流产品。本文将简要总结TTL和CMOS这两种目前使用最多的数字集成电路。

2.TTL门电路

TTL门电路是以双极型三极管作为开关器件的集成电路。在TTL门电路的定型产品中有反相器(非门)、与门、或门、与非门、或非门、与或非门和异或门几种常见的类型。尽管它们逻辑功能各异,但输入端、输出端的电路结构形式基本相同。 2.1 反相器

第6章 BIOS和CMOS设置

标签:文库时间:2025-02-16
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BIOS和CMOS设置

第 6 章 BIOS设置与升级 6.1 认识 BIOS 6.2 BIOS设置剖析 6.3 BIOS 的升级

BIOS和CMOS设置

6.1 认 识 BIOS 谈到BIOS,离不开Firmware和ROM(Read Only Memory,只读存储器)芯片.Firmware是软件 ,但与普通的软件完全不同,它是固化在集成 电路内部的程序代码,集成电路的功能就是由 这些程序决定的.ROM是一种可在一次性写入 Firmware(这就是"固化"过程)后,多次读 取的集成电路芯片.由此可见,ROM仅仅只是 Firmware的载体,而通常所说的BIOS正是固化 了系统主板Firmware的ROM芯片.

BIOS和CMOS设置

– 6.1.1 BIOS的分类 的分类 –1.按芯片类型分类 按芯片类型分类,BIOS可分为如下几种. ① ROM(Read Only Memory,只读存储器), 如图6-2所示.图 6 2 ROM

BIOS和CMOS设置

② PROM ( Programmable ROM , 可 编 程 ROM),如图6-3所示.

图6-3 PROM

BIOS和CMOS设置

EPROM ( Erasable P

CCD与CMOS优点和缺点

标签:文库时间:2025-02-16
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CCD与CMOS优点和缺点

CCD:电荷藕合器件图像传感器CCD(Charge Coupled Device),它使用一种高感光度的半导体材料制成,

能把光线转变成电荷,通过模数转换器芯片转换成数字信号,数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存,因而可以轻而易举地把数据传输给计算机,并借助于计算机的处理手段,根据需要和想像来修改图像。CCD由许多感光单位组成,通常以百万像素为单位。当CCD表面受到光线照射时,每个感光单位会将电荷反映在组件上,所有的感光单位所产生的信号加在一起,就构成了一幅完整的画面。

CMOS:互补性氧化金属半导体CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)和CCD一样同为在

数码相机中可记录光线变化的半导体。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别,主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带N(带–电) 和 P(带+电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。

CMOS的缺点:就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时,由于

电流变化过于频繁而会产生过热的现象。在相同分

ug - altera - lvds

标签:文库时间:2025-02-16
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www.altera.com101InnovationDrive,SanJose,CA951342014.08.18AlteraLVDSSERDESIPCoreUserGuide

SubscribeSendFeedbackug_altera_lvdsTheAlteraLVDSSERDESIPCoreconfigurestheserializer/deserializer(SERDES)anddynamicphasealignment(DPA)blocks.TheIPcorealsosupportsLVDSchannelsplacement,legalitychecks,andLVDSchannel-relatedrulechecks.

TheAlteraLVDSSERDESIPcoreisonlyavailableforArria10devices.ForArriaV,CycloneV,and

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StratixVdevices,followthestepsinMigratingYourALTLVDS_TXandALTLVDS_RXIPCoresonpage25tomigrateyourIP.

RelatedInformation

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?LVDSSERD

数电研讨 - 用CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器

标签:文库时间:2025-02-16
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用CMOS传输门和CMOS非门设计

边沿D触发器

Design Edge D Flip-flop with CMOS Transmission Gate and CMOS NAND Gate

摘要

本文主要研究了用CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器,并将其进行了拓展分析与研究。本文首先从CMOS传输门和CMOS非门组成的边沿D触发器的电路工作原理、特征方程、特征表、激励表、状态图进行了阐述,计算出激励信号D的保持时间和时钟CP的最大频率,并与TTL组成的D触发器进行了对比和应用分析。接着还将D触发器转换成JK触发器和T触发器,并分别设计了并行数据存储电路、倍频电路、单稳态电路以及脉冲震荡器这四个功能电路,在实际生活中有着重要的应用。

关键词 边沿D触发器 CMOS传输门 CMOS非门 JK触发器 D触发器

Abstract

This paper studies the use of non-CMOS and CMOS transmission gate door design edge D flip-flop, and Analysis and research conducted to expand. Edge D

CMOS设置

标签:文库时间:2025-02-16
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CMOS设置,有时又称BIOS设置,也许大家觉得这里的设置比较神秘,那蓝色的禁区对于菜鸟来说一直都是个难以逾越的障碍.其实,在平时的操作过程中,我们也不是用得很多,只须掌握一些最常用的设置方法便可以,更多的功能会在你熟悉这些基本的操作之后一步一步地学会。今天我就带着大家一起来跨过这座大山,让你对它的设置不再一无所知。 第一步:

在开机时,屏幕上学有这样的提示——\SETUP\

方框中这行英文的意思是说“按Delete键进入CMOS设置”,我们在这时候按键盘上的\或数字小键盘上的“DEL”键,便可以进入CMOS设置界面。 第二步:

不同的电脑因主板不同可能有不同的CMOS界面,但总的也就是AWARD、AMI、Phoenix等几种。界面形式虽然不同,但是功能基本一样,所要设置的项目也差不多。这是AWARD的CMOS设置画面,是最常见的一种。其实你只要明白一种CMOS的设置方法,其它是就可以触类旁通了。它们的下面有很多个参数可以设置,大部分项本来就已经设置了正确的参数值,或者说很多先期对电脑的运行影响不太在,所以一般我们只要注意几个关键项就可以了。 设置CMOS时,只简单地做以下几步:

1、

CMOS管

标签:文库时间:2025-02-16
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CMOS门电路

以MOS(Metal-Oxide Semiconductor)管作为开关元件的门电路称为MOS门电路。由于MOS型集成门电路具有制造工艺简单、集成度高、功耗小以及抗干扰能力强等优点,因此它在数字集成电路产品中占据相当大的比例。与TTL门电路相比,MOS门电路的速度较低。

MOS门电路有三种类型:使用P沟道管的PMOS电路、使用N沟道管的NMOS电路和同时使用PMOS和NMOS管的CMOS电路。其中CMOS性能更优,因此CMOS门电路是应用较为普遍的逻辑电路之一。 1. CMOS非门

图3-16所示是一个N沟道增强型MOS管TN和一个P沟道增强型MOS管TP组成的CMOS非门。

图3-16 CMOS非门电路 图3-17 CMOS与非门电路

两管的栅极相连作为输入端,两管的漏极相连作为输出端。TN的源极接地,TP的源极接电源。为了保证电路正常工作,VDD需要大于TN管开启电压VTN和TP管开启电压VTP的绝对值的和,即UDD> UTN+ |UTP|。当Ui=0V时,TN截止,TP导通,Uo≈UDD为高电平;当Ui=UDD时,TN导通,TP截止,Uo≈0V为低电平。因此实现了非逻辑功能。

CMOS非门除了有较好的动态特性外,由于C

cmos

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第二章:MOS器件物理

1.概念:

熟悉增强型NMOS管的工作原理,画出NMOS输出特性曲线并指出线性区和饱和区,NMOS漏电流随VGS的变化曲线,画出NMOS截止区,线性区和饱和区的实际物理结构图,NMOS工作在线性区,深线性区和饱和区的直流导通电阻。NMOS管的衬底效应,NMOS管的衬底效应阈值电压的计算公式;NMOS管的沟道调制效应;NMOS管考虑沟道调制效应时的输出电阻表达式。NMOS管的亚阈值效应,NMOS管在亚阈值区域的电流Id和Vgs的关系表达式。

当Vgs小于Vth时,NMOS管截止;当Vgs大于Vth时,在NMOS管漏极和源极间形成反型层,即导电沟道。这时在Vds的正向电压的作用下,NMOS管漏极和源极间有电流产生。当Vds

2.直流导通电阻:

⑴ 线性区的直流导通电阻(Vgs>Vth, Vds

Ron?Vds1? IdsKn2(Vgs?Vth)?Vds⑵ 深线性区的直流导通电阻(Vgs>Vth, Vds<<2(Vgs-Vth):

Ron?Vds1? IdsKn2(Vgs?Vth)⑶ 饱和区的直流导通电阻 (Vgs>Vth, Vds≧Vgs-Vth):

Ron?Vds1? IdsKn(Vgs?Vth)23.衬底效应:

1

由于

cmos实验 - 图文

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实验一 HSPICE实践

一、实验目的

1、熟悉电路仿真工具Hspice的基本语法及其使用方法。

2、会使用Hspice编写程序对简单RCL电路及双极型电路进行仿真。

3、结合MOS器件的工作原理,会使用Hspice编写程序查看MOS器件的各种特性曲线。

二、实验原理

在电学上MOS管作为一种电压控制的开关器件。当栅-源电压Vgs等于开启电压VT时,该器件开始导通。当栅—源间加一电压Vds以及Vgs=VT时,由于源-漏电压和栅-衬底电压而分别产生的电场水平起着使电子沟道向漏极运动的作用。随着源-漏电压的增加,沿沟道电阻的压降会改变沟道的形状。MOS管的这个行为特性如图1所示。在沟道源端,栅极电压在使沟道反型过程中全部有效;然而在沟道漏端,只有栅极和漏极间的电压差才是有效的。当有效栅电压(Vgs-VT)比漏极电压大时,随着Vgs的增加,沟道变得更深,这时沟道电流Ids既是栅极电压也是漏极电压的函数,习惯上称这个区域为“线性”区或“电阻”区,或“非饱和”区。如果Vgs大于Vds-VT;即,当Vgd

在源-漏电压和栅极电压固定的情况下,影响源极流向漏极(对于给定的衬底电阻率)的漏极电流Ids大小的因素有:

(1)源、漏之间的距离; (2)沟道宽度;