高纯材料制备技术

改良西门子法制备高纯多晶硅

摘 要：本文主要叙述了高纯多晶硅的各种制备方法，有三氯氢硅氢还原

法、硅烷热分解法、四氯化硅氢还原法、流化床法、物理提纯法等其他制备高纯多晶硅的工艺。[1]其中重点介绍了现在普遍都使用，技术相对成熟的改良西门子法，包括改良西门子法的制备工艺、三氯氢硅的提纯与尾气处理。

关键词:高纯多晶硅；良西门子法；尾气处理

The preparation of high purity poly crystalline silicon

modified Siemens

Abstract：This paper mainly describes various preparation methods of high purity

poly crystalline silicon,hydrogen reduction method,the silicon cross-linked with hydrogen silica thermal decomposition method,silicon tetra chloride hydrogen reduction method,fluidity bed method,physical pu

材料的制备与技术题库

1、为什么成型技术是复合材料研发的重要内容？

答：复合材料是由有机高分子，无机非金属或金属等几类不同材料通过复合

工艺组合而成的新型材料，他既保留原组成材料的重要特色，又通过材料设计使各组分的性能互相补充并彼此关联，从而获得更优越的性能。但复合材料的最终性能与效益不仅取决于基体和增强材料，还取决于其加工工艺。 简述树脂传递模塑（RTM）工艺的工艺概要以及工艺的优缺点。

答：工艺概要：1.增强体置于上下模之间；2.合模并将模具夹紧；3.压力注射

树脂；4.固化后打开模具，取下产品。要求：树脂要充满模腔。注射压力0.4-0.5MPa。 优点：增强体含量高 劳动强度低 成型周期较短 不需要制造预浸料 产品大型化 缺点：不易制作小产品 模具复杂且成本高

1、请描述含能材料的种类并给出各自代表性化合物的分子结构。 答：根据化学结构可划分为：

1)含-NO2或-ONO2的化合物：例如C6H3(NO2)3,HNO3等 2)含-N=N-或-N=N=N-的叠氮化合物，如：Pb(N3)2,CH3N3.等 3)含-NX2(X指卤素)，如：

4）含-C=N-结构的化合物，如Hg(ONC

《材料制备技术》课程教学大纲

Fabricating Technologies of Materials

课程代码：

适用专业：材料科学与工程

学 时 数：48 学 分 数：3 执 笔 者： 编写日期：2004年3月

一、课程性质和目的

材料制备技术是高等工科院校材料科学与工程专业必修的技术基础课。 通过本课程的学习，使学生获得有关材料合成与制备方法的基本理论和基本知识，掌握现代材料常用的制备方法、技术、工艺及应用。 二、课程教学的基本要求

通过本课程的学习，学生应达到下列要求：

1．掌握各类材料合成与制备原理、常用方法、加工工艺及特点； 2．初步掌握一些新材料的制备技术；

3．初步具有对一般材料进行选定合理的制备方法、成形工艺的能力。 三、课程教学内容与学时分配

1．单晶材料的制备 （6学时）

(1) 固相－固相平衡的晶体生长的形变再结晶理论及应变退火和工艺设 备；

(2) 单组分液相－固相平衡的晶体生长的理论基础、制备工艺。

材料制备科学与技术

晶格：空间点阵可以看成在三个坐标方向上无数平行坐标轴的平面彼此相交所形成的格点的集合体，这些集合体是一些网络，称为晶格。

晶胞：空间点阵可分成无数等同的平行六面体，每个平行六面体称为晶胞。 熔盐生长方法（助熔剂法或高温溶液法,简称熔盐法）:是在高温下从熔融盐溶剂中生长晶体的方法。

蒸发沉积（蒸镀）: 对镀膜材料加热使其气化沉积在基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。

溅射沉积（溅射）:用高能粒子轰击靶材，使靶材中的原子溅射出来，沉积在基底表面形成薄膜的方法。

离子镀：在镀膜的同时，采用带能离子轰击基片表面和膜层的镀膜技术,改善膜层性能。

外延：在单晶衬底上生长同类单晶体（同质外延），或者生长具有共格或半共格异类单晶体抑制外延的技术。 同质外延: 外延层与衬底具有相同或近似的化学组成，但两者中掺杂剂或掺杂浓度不同的外延。 异质外延: 外延层和衬底不是同种材料的外延.

溅射镀膜：用动能为几十电子伏的粒子束照射沉积材料表面，使表面原子获得入射粒子所带的一部分能量并脱离靶体后，在一定条件下沉积在基片上，这种镀膜方法称为溅射镀膜。

化学气相沉积（CVD）：在一个加热的基片或物体表面上，通过一个或几种气态元素或化合物产生的化学反应

材料制备科学与技术

晶格：空间点阵可以看成在三个坐标方向上无数平行坐标轴的平面彼此相交所形成的格点的集合体，这些集合体是一些网络，称为晶格。

晶胞：空间点阵可分成无数等同的平行六面体，每个平行六面体称为晶胞。 熔盐生长方法（助熔剂法或高温溶液法,简称熔盐法）:是在高温下从熔融盐溶剂中生长晶体的方法。

蒸发沉积（蒸镀）: 对镀膜材料加热使其气化沉积在基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。

溅射沉积（溅射）:用高能粒子轰击靶材，使靶材中的原子溅射出来，沉积在基底表面形成薄膜的方法。

离子镀：在镀膜的同时，采用带能离子轰击基片表面和膜层的镀膜技术,改善膜层性能。

外延：在单晶衬底上生长同类单晶体（同质外延），或者生长具有共格或半共格异类单晶体抑制外延的技术。 同质外延: 外延层与衬底具有相同或近似的化学组成，但两者中掺杂剂或掺杂浓度不同的外延。 异质外延: 外延层和衬底不是同种材料的外延.

溅射镀膜：用动能为几十电子伏的粒子束照射沉积材料表面，使表面原子获得入射粒子所带的一部分能量并脱离靶体后，在一定条件下沉积在基片上，这种镀膜方法称为溅射镀膜。

化学气相沉积（CVD）：在一个加热的基片或物体表面上，通过一个或几种气态元素或化合物产生的化学反应

如何编制高纯材料制取项目

可行性研究报告

（立项+批地+贷款）

编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司

编制时间：二〇一四年十月

咨询师：高建

目 录

目 录...................................................................................................................... 2 专家答疑：............................................................................................................ 4 一、可研报告定义：............................................................................................ 4 二、可行性研究报告的用途................................................................................ 4

1. 用于向投资主管部门备案、行政审批

第27卷 第4期

Vol.27 .4

稀 有 金 属

CHINESEJOURNALOFRAREMETALS

2003年7月July2003

高纯金属镓制备技术研究进展

苏 毅,李国斌,罗康碧,毕 莉

(昆明理工大学化工系,云南昆明650224)

*

摘要:高纯金属镓主要以砷化镓、磷化镓、氮化镓及低熔合金等形式应用于电子、通讯等行业,近年来应用越来越广,需求量逐年增加。对高纯金属镓的制备方法进行了综述,重点介绍了电解精制法、部分结晶法、电解-结晶法、真空精馏法、真空热解法等,认为我国应加强高纯金属镓的研制及生产。

关键词:高纯镓;制备;进展

中图分类号:TF843 文献标识码:A 文章编号:0258-7076(2003)04-0495-05

高纯镓主要用于制造以广泛应用于移动通信、宽带光纤通讯、个人电脑、通信卫星、高速信号及图像处理、汽车防碰撞及定位和汽车无人操作系统等现代高科技领域的砷化镓、磷化镓、氮化镓及低熔合金等的电子器件及外延片和光电子器件

[1~3]

该法具有工艺简单,操作容易,可制得99 999%~99 9999%的高纯金属镓。

利用电解法制备高纯镓,在电解过程中,电位较Ga更正的杂质(如Fe,Cu等)由于在阳极不溶而落集在

第27卷 第4期

Vol.27 .4

稀 有 金 属

CHINESEJOURNALOFRAREMETALS

2003年7月July2003

高纯金属镓制备技术研究进展

苏 毅,李国斌,罗康碧,毕 莉

(昆明理工大学化工系,云南昆明650224)

*

摘要:高纯金属镓主要以砷化镓、磷化镓、氮化镓及低熔合金等形式应用于电子、通讯等行业,近年来应用越来越广,需求量逐年增加。对高纯金属镓的制备方法进行了综述,重点介绍了电解精制法、部分结晶法、电解-结晶法、真空精馏法、真空热解法等,认为我国应加强高纯金属镓的研制及生产。

关键词:高纯镓;制备;进展

中图分类号:TF843 文献标识码:A 文章编号:0258-7076(2003)04-0495-05

高纯镓主要用于制造以广泛应用于移动通信、宽带光纤通讯、个人电脑、通信卫星、高速信号及图像处理、汽车防碰撞及定位和汽车无人操作系统等现代高科技领域的砷化镓、磷化镓、氮化镓及低熔合金等的电子器件及外延片和光电子器件

[1~3]

该法具有工艺简单,操作容易,可制得99 999%~99 9999%的高纯金属镓。

利用电解法制备高纯镓,在电解过程中,电位较Ga更正的杂质(如Fe,Cu等)由于在阳极不溶而落集在

离子色谱的知识

高纯试剂中阴离子的测定

李曙光

（北京市工业技师学院，北京，100023）

摘要：本文采用戴安公司AS12A阴离子交换色谱柱，碳酸盐缓冲溶液作为流动相，以抑制型电导检测法检测，对高纯硼酸和己二酸铵中的痕量阴离子进行了准确定量分析。固体样品只需进行溶解和稀释后即可进样，可以完成低至低µg/L级的Cl-，NO3-，SO42-等多种杂质阴离子的分析分离。该方法具有灵敏度高，选择性好，操作简单等特点，用于多批次实际样品的检测，结果令人满意。

关键词：离子色谱；高纯试剂；阴离子

随着我国试剂出口的增加，在欧洲、北美及日本，我国已经在试剂市场占据了一定地位。由于我们的试剂价格相对国外品牌较低，因此很受欢迎。但是这肯定会在一定程度上影响出口国当地企业的利益，因此，很多国家纷纷推出了针对我国试剂出口的贸易壁垒[1]。其中阴离子的浓度也是评价高纯试剂优劣的重要指标。对高纯试剂中的阴离子浓度进行控制，是关系很多涉外中国企业生死攸关的大事，而对其控制的前提是，首先要知晓某一批次产品中的阴离子浓度，并且对不同生产阶段的产品或半成品进行实时监控，以找到污染源和引入阴离子的主要步骤，力争将阴离子的污染降至最低。

高纯试剂中痕量阴离子的分析难点在于[2]：（1

薄膜材料制备原理、技术及应用知识点1

一、 名词解释

1. 气体分子的平均自由程:自由程是指一个分子与其它分子相继两次碰撞之间，经过的直线路程。对个别分子而言，自由程时长时短，但大量分子的自由程具有确定的统计规律。气体分子相继两次碰撞间所走路程的平均值。

2. 物理气相沉积（PVD）：物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。 3. 化学气相沉积（CVD）：化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。

4. 等离子体鞘层电位：等离子区与物体表面的电位差值ΔVp即所谓的鞘层电位。