半导体湿化学品

半导体制造中常用化学品

半导体制造过程中常用的酸

名称 氢氟酸 盐酸 硫酸

缓冲氧化层蚀刻（BOE） 氢氟酸和氟化铵溶液

磷酸 硝酸

符号 HF HCl H2SO4 HF/ NH4F H3PO4 HNO3

用途

刻蚀二氧化硅（SiO2）以及清洗石英器皿 湿法清洗化学品，2号标准清洗液的一部分，

用来去除硅中的重金属元素 “piranha”溶液（7份H2SO4和3份30%的双氧水）

用来清洗硅片

刻蚀二氧化硅薄膜（SiO2） 刻蚀氮化硅（Si3N4） 用HF和HNO3的混合溶液来 刻蚀磷硅酸盐玻璃（PSG）

半导体制造过程中常用的碱

名称 氢氧化钠 氢氧化铵 氢氧化钾 氢氧化四甲基铵

符号 NaOH NH4OH KOH TMAH

用途 湿法刻蚀 清洗剂 正性光刻胶显影剂 正性光刻胶显影剂

半导体制造过程中常用的溶剂

名称 去离子水 异丙醇 三氯乙烯 丙酮 二甲苯

符号 DI water IPA TCE Acetone Xylene

用途

广泛用于漂洗硅片和稀释清洗剂

通用的清洗剂

用于硅片和一般用途的清洗溶剂 通用的清洗剂（比IPA更强）

强的清洗剂，也可以用来去除硅片边缘光刻胶

半导体制造过程中常用的通用气体

性质

名称/符号 氮气/N2

半导体制造中常用化学品

半导体制造过程中常用的酸

名称 氢氟酸 盐酸 硫酸

缓冲氧化层蚀刻（BOE） 氢氟酸和氟化铵溶液

磷酸 硝酸

符号 HF HCl H2SO4 HF/ NH4F H3PO4 HNO3

用途

刻蚀二氧化硅（SiO2）以及清洗石英器皿 湿法清洗化学品，2号标准清洗液的一部分，

用来去除硅中的重金属元素 “piranha”溶液（7份H2SO4和3份30%的双氧水）

用来清洗硅片

刻蚀二氧化硅薄膜（SiO2） 刻蚀氮化硅（Si3N4） 用HF和HNO3的混合溶液来 刻蚀磷硅酸盐玻璃（PSG）

半导体制造过程中常用的碱

名称 氢氧化钠 氢氧化铵 氢氧化钾 氢氧化四甲基铵

符号 NaOH NH4OH KOH TMAH

用途 湿法刻蚀 清洗剂 正性光刻胶显影剂 正性光刻胶显影剂

半导体制造过程中常用的溶剂

名称 去离子水 异丙醇 三氯乙烯 丙酮 二甲苯

符号 DI water IPA TCE Acetone Xylene

用途

广泛用于漂洗硅片和稀释清洗剂

通用的清洗剂

用于硅片和一般用途的清洗溶剂 通用的清洗剂（比IPA更强）

强的清洗剂，也可以用来去除硅片边缘光刻胶

半导体制造过程中常用的通用气体

性质

名称/符号 氮气/N2

化学品操作规程SOP

一. 目的

使作业人员掌握化学品性质及安全（MSDS）、化学品设备CDM、阀门分流箱VMB、化学桶更换操作及应急反应措施，确保化学品房的正常工作及必要的安全保证，特制定本规程。

二. 适用范围

本规程适用于本厂化学品设备作业全过程。

三. 职责

1．运行巡检人员定时巡检抄表，并熟练掌握CDM控制屏及一些调压阀、流量

计的使用与操作，巡检时一旦发现异常，立即通知化学房相关负责人。

2．维护人员（或化学品相关负责人）不仅要掌握CDM、VMB的熟练操作（包括送液、换桶操作），还应对化学品的MSDS非常熟悉，发生化学品泄漏时做出相应的处理。

四. 操作

（一）供液操作

1. 首先确保供给工艺机台的液体是酸或碱，确保是满桶，确保抽风已开

（0.2KPa左右）；氮封压力满足：不大于0.1MPa；PRG压力：0.3MPa左右

（NaOH、KOH、H2SO4的PRG压力在0.4MPa左右）；VRG压力：0.5Mpa左右；

2. 穿戴合适的PPE：C级防化服、乳胶手套、防化靴、防毒面具（俗称“猪鼻子”）；准备相应的吸收棉；

3. 检查CDM内应打开手动阀是否已经打开（PMV、SMV、FIV、FOV），应打开的气

化学品操作规程SOP

一. 目的

使作业人员掌握化学品性质及安全（MSDS）、化学品设备CDM、阀门分流箱VMB、化学桶更换操作及应急反应措施，确保化学品房的正常工作及必要的安全保证，特制定本规程。

二. 适用范围

本规程适用于本厂化学品设备作业全过程。

三. 职责

1．运行巡检人员定时巡检抄表，并熟练掌握CDM控制屏及一些调压阀、流量

计的使用与操作，巡检时一旦发现异常，立即通知化学房相关负责人。

2．维护人员（或化学品相关负责人）不仅要掌握CDM、VMB的熟练操作（包括送液、换桶操作），还应对化学品的MSDS非常熟悉，发生化学品泄漏时做出相应的处理。

四. 操作

（一）供液操作

1. 首先确保供给工艺机台的液体是酸或碱，确保是满桶，确保抽风已开

（0.2KPa左右）；氮封压力满足：不大于0.1MPa；PRG压力：0.3MPa左右

（NaOH、KOH、H2SO4的PRG压力在0.4MPa左右）；VRG压力：0.5Mpa左右；

2. 穿戴合适的PPE：C级防化服、乳胶手套、防化靴、防毒面具（俗称“猪鼻子”）；准备相应的吸收棉；

3. 检查CDM内应打开手动阀是否已经打开（PMV、SMV、FIV、FOV），应打开的气

三聚磷酸钠Sodium Tripolyphosphate 氧化铁黄iron oxide yellow 氧化铁红iron oxide red

1,1,1-三氯乙烷1,1,1-TrichloroEthane 氯化铵Ammonium Chloride 苯酚PHENOL

甲氧苄氨嘧啶TRIMETHOPRIM 磷酸三钙tricalcium phosphate

酒石酸苯甲曲秦Phendimetrazine Tartrate 碳酸氢钠sodium bicarbonate 氯四环素盐酸Chlortetracycline HCl

三水合氨卡青霉素Ampicillin Trihydrate micronized 山梨糖醇Sorbitol Powder

一水葡萄糖Dextrose Monohydrate 碳化钙calcium carbide 柚皮甙Naringin

叶绿素铜钠盐sodium copper 苏打灰soda ash

酒石酸盐tartrate

鉻酸銨AMMONIUM CHROMATE 苦味酸PIC

危险化学品概念和分类原则

一、危险化学品的概念

化学品中具有易燃、易爆、毒害、腐蚀、放射性等危险特性，在生产、储存、运输、使用和废弃物处置等过程中容易造成人身伤亡、财产毁损、污染环境的均属危险化学品。

二、危险化学品的分类原则

险化学品目前常见并用途较广的约有数千种，其性质各不相同，每一种危险化学品往往具有多种危险性，但是在多种危险性中，必有一种主要的即对人类危害最大的危险性。因此在对危险化学品分类时，掌握“择重归类”的原则，即根据该化学品的主要危险性来进行分类。

危险化学品的分类

按我国目前已公布的法规、标准，有三个国标：GB6944-86《危险货物分类和品名编号》、GB12268-90《危险货物品名表》、GB13690-92《常用危险化学品分类及标志》、将危险化学品分为八大类，每一类又分为若干项。即

第一类：爆炸品，爆炸品指在外界作用下（如受热、摩擦、撞击等）能发生剧烈的化学反应，瞬间产生大量的气体和热量，使周围的压力急剧上升，发生爆炸，对周围环境、设备、人员造成破坏和伤害的物品。爆炸品在国家标准中分5项，其中有3项包含危险化学品，另外2项专指弹药等。 第1项：具有整体爆炸危险的物质和物品，如高氯

初试科目：半导体物理学

参考书：半导体物理学 顾祖毅 田立林 富力文 电子工业出版社 考试大纲：

第一章 半导体的晶格结构和缺陷 1 半导体的基本特性 2 常见半导体材料

3 主要半导体器件及其可选用的材料 4 常见半导体的结构类型 5 名词解释

化学键 共价键 离子键 分子键 金属键 晶格缺陷 间隙式杂质 代位式杂质 反晶格缺陷 层错 扩散系数 晶粒间界 第二章 半导体中的电子状态

1 在周期性势场中，电子薛定谔方程的解为布洛赫函数，即波函数：

?1(r)?uk(r)eik?r

uk(r)?uk(r?an)

布洛赫函数不是单色平面波。K为波矢，描述电子共有化运动。平面波因子e表明晶体中不再是局域化的，扩展到整个晶体之中，反映了电子的共有化运动。uk(r)反映了周期性势场对电子运动的影响，说明晶体中电子在原胞中不同位置上出现的几率不同。uk(r)的周期性说明晶体中不同原胞的各等价位置上出现的几率相同。

2 电子在周期场中运动的量子力学处理有几种近似的方法？试简述之。

（1）近自由电子近似 （2）紧束缚近似

3 由于共有化运动，晶体中电子可以看成是整个晶体共有的，因此孤立原子的能

发光材料的发展及研究

庞雪

（贵州大学 大数据与信息工程学院）

摘要： 发光材料是光电信息功能材料领域的研究热点之一。本文着重是关于现有的纳米发光材料、小分子有机电致发光材料、树枝状有机电致发光材料、芴类电致发光材料的发展与研究情况。介绍了国内外在研究发光材料方面所取得的一些最新进展,并对一些有待进一步研究的问题做了展望。 关键词： 发光材料

Abstract： The development of luminescent materials is one of the forefronts and hot areas of the optoelectronic information materials. This paper is about the existing

luminescence

surface

modification,

organic

small

molecular

electroluminescent materials, dendrimers electroluminescent materials, fluorene-based electroluminescent materials develop

1. （ D ）下面关于有效质量的叙述错误的是 。 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用

B. 有效质量直接把外力f和电子的加速度联系起来

C. 有效质量的引入使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用

D. 不是所有的有效质量都可以直接由实验测定

2. （ D ）对于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而 。 A. 上升 B. 下降 C. 不变

D. 经过一极值后趋近Ei

3. （ C ）一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的 。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2 4. （ A ）不是深杂质能级特点的是 。 A. 杂质能级离带边较近 B. 多次电离（多重能级） C. 有可能成为两性杂质 D. ED，EA 可与Eg相比拟

5.（ B ）对于补偿的半导体材料，下列叙述正确的是 。 A.载流子浓度取决于杂质浓度较大者，载流子迁移率取决于电离杂质总浓度 B.载流子浓

危险化学品仓库设计

前言

化学品因其本质固有之毒性、易燃性、腐蚀性及反应性等危害性，无论制造、使用、储存、运输及废弃等运作过程中皆可能会产生严重事故。据多位学者研究指出，化学品的泄漏、火灾及爆炸事故中约有14～32%是发生於储存过程中,故必须加强化学品仓库的管理。

厂区现用到多种化学品,通过统计分析,主要分为易燃化学品,无机化学品,金属制品(锡膏锡丝、锌粉等)等,其中危险性最大的是含有酒精,异丙醇,石油烃类等闪点小於28℃的危险化学品,为加强危化品存储管理，减少存储过程事故发生率，特根据相关法规及公司文件制定危险化学品仓库标准。 1、主题内容与适用范围

本标准规定了常用化学危险品（以下简称危化品）贮存的基本要求。

本标准适用于常用化学危险品（以下简称危化品）出、入库，贮存及养护。 2、 引用标准

《化学危险物品安全管理条例实施细则》 《化学危险物品安全管理条例》 《常用化学危险品贮存通则》 《仓库防火安全管理规则》 《建筑设计防火规范》 《危险化学品管理办法》 3、术语和定义

3.1危险化学品的概念系指国家标准《危险化学品名录》中所列的爆炸品、压缩气体和液化气体、易燃液体、易燃固体、自燃物品和遇湿易燃物品、氧化剂和有机过氧化物、毒害品和腐蚀品