变容二极管直接调频电路的仿真设计

2012 ~2013学年 第 1 学期

《 高频电子线路 》 课 程 设 计 报 告

题 目： 变容二极管直接调频电路的设计

专 业： 电子信息工程 班 级： 10信息（2）班

电气工程系 2012年12月17日

1

1、任务书 课题名称 指导教师（职称） 执行时间 学生姓名 设计目的 设计要求 学号 1．原理分析及电路图设计 变容二极管直接调频电路的设计 2012~2013学年第二学期 第 16 周 承担任务 2．用相关仿真软件画出电路并对电路进行分析与测试 (1)输入1KHz大小为200Mv的正弦电压（也可以用1KHz的方波）； (2)主振频率为f0大于15MHz； (3）最大频偏△fm=?20KHz。

1

变容二极管直接调频电路的设计

摘 要

调频电路具有

2012 ~2013学年 第 1 学期

《 高频电子线路 》 课 程 设 计 报 告

题 目： 变容二极管直接调频电路的设计

专 业： 电子信息工程 班 级： 10信息（2）班

电气工程系 2012年12月17日

1

1、任务书 课题名称 指导教师（职称） 执行时间 学生姓名 设计目的 设计要求 学号 1．原理分析及电路图设计 变容二极管直接调频电路的设计 2012~2013学年第二学期 第 16 周 承担任务 2．用相关仿真软件画出电路并对电路进行分析与测试 (1)输入1KHz大小为200Mv的正弦电压（也可以用1KHz的方波）； (2)主振频率为f0大于15MHz； (3）最大频偏△fm=?20KHz。

1

变容二极管直接调频电路的设计

摘 要

调频电路具有

常见变容二极管参数

型号 1S2236 1SV100 1SV101 1SV102 1SV103 1SV123 1SV147 1SV149 1SV153 1SV161 1SV162 1SV214(TPH2) 1SV215 1SV217 1SV230 1SV231 BB112 BB112 BB130 BB141 BB143 BB145 BB200 BB207 电容量（工作电压） 最小值 7p 35p 12~14p 15~21p 13.2~16.2p 2.2~2.5p 11.7~13.7p 30p 2.1~2.4p 2.5~3.2p 4.5~6.5p 2.1~2.4p 2.5~3.2p 2.6~3.2p 1.7~2.1p 2.7~3.4p 17p 10p 12~21p 2.2~2.55p 2.05~2.55p 2.75~3.25p 12~14.8p 26.3p 电压 10V 9V 9V 25V 30V 25V 8V 8V 25V 25V 25V 25V 25V 25V 20V 25V 6V 25V 28V 4V 4V 4V 4.5V 8V 最大值 15p 450~600p 28~32p 360~460p 37~42p 12~13.6p 28.5~3

习题６

基础知识部分：

6.1 选择题

1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（ ）

A、短路 B、 完好 C、 开路 D、无法判断

答案：C

2.二极管反偏时，以下说法正确的是（ ）

A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流；

B、在达到死区电压之前，反向电流很小；

C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关。

答案：A

3.图示电路，二极管导通时压降为0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（

A、VD导通，UAO=5.3V； B、VD导通，UAO=—5.3V；

C、VD导通，UAO=—6V； D、VD导通，UAO=6V；

）。

E、VD截止，UAO=—9V。

答案：C

4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（ ）。

A.半波整流电容滤波电路 B.全波整流电容滤波电路

C.桥式整流电容滤波电路

答案：C A

5. 图示电路，若变压器二次电压为10V，现测得输出电压为14.1V，则说明( )。若测得输出电压为

第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。

2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。 3、（1-1，低）利用二极管的 ，可将交流电变成 。

4、（1-1，低）根据二极管的 性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ，死区电压是 。 6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为 ，锗二极管的工作电压为 。 7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越 ，反向电阻越 ，表明二极管的单向导电性能越好。

8、（1-1，低）杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。

9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有 、 ，此外还有 、 、 等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为

第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。

2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。 3、（1-1，低）利用二极管的 ，可将交流电变成 。

4、（1-1，低）根据二极管的 性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ，死区电压是 。 6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为 ，锗二极管的工作电压为 。 7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越 ，反向电阻越 ，表明二极管的单向导电性能越好。

8、（1-1，低）杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。

9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有 、 ，此外还有 、 、 等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为

晶体二极管和二极管整流电路

姓名： 一、填空

1、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V后，二极 管开始导通，这个电压称为 电压。正常 导通后，此管的正向压降约为 V。当反向 电压增大到 V时，即称为 电压。 2、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 ___后，

I(mA) -50 0 0.6 V(v) 二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。

4、 PN结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。

5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，二极管的主要特性是 。

6、用

晶体二极管和二极管整流电路

姓名： 一、填空

1、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V后，二极 管开始导通，这个电压称为 电压。正常 导通后，此管的正向压降约为 V。当反向 电压增大到 V时，即称为 电压。 2、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 ___后，

I(mA) -50 0 0.6 V(v) 二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。

4、 PN结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。

5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，二极管的主要特性是 。

6、用

１、检波二极管 Ａ、用于检波电路 Ｂ、用于鉴频电路 Ｃ、用于鉴相电路 Ｄ、用于混频电路 Ｅ、用于限幅电路 Ｆ、用于AGC电路 Ｇ、用于测试电路 Ｈ、用于指示器电路 Ｉ、用于其它电路

２、变容二极管 Ａ、用于调谐电路 Ｂ、用于倍频电路 Ｃ、用于控制电路 Ｄ、用于其它电路

３、整流二极管 Ａ、用于整流电路 Ｂ、用于供电电路 Ｃ、用于节电电路 Ｄ、用于照明电路 Ｅ、用于稳压电路 Ｆ、用于测试电路 Ｇ、用于控制电路 Ｈ、用于保护电路 Ｉ、用于指示器电路 Ｊ、用于其它电路

４、恒流二极管 Ａ、用于稳流电路 Ｂ、用于充电电路 Ｃ、用于测试电路 Ｄ、用于放大电路 Ｅ、用于保护电路 Ｆ、用于其它电路 ５、稳压二极管 Ａ、用于稳压电路 Ｂ、用于延迟电路 Ｃ、用于保护电路 Ｄ、用于其它电路

６、双向触发二极管 Ａ、用于调压电路 Ｂ、用于控制电路 Ｃ、用于其它电路 ７、发光二极管 Ａ、用作指示灯 Ｂ、用作指示器 Ｃ、用于显示器 Ｄ、用于检测电路 Ｅ、用于闪烁电路

二极管击穿的模式

雪崩击穿：随着反向电压的增大，阻挡层内部的电场增强，少数载流子漂移速度加快，动能增大。反向电压增大到一定值时，动能相当大，会与中性原子碰撞，可把中性原子的价电子碰撞出来，产生一个电子—空穴对，这个过程碰撞电离。碰撞产生的自由电子—空穴在强电场作用下漂移速度加快，再去碰撞其他中性原子，结果又产生新的自由电子—空穴对。如此连锁反应像雪崩一样使阻挡层中载流子数量急剧增多，使流过PN结反向电流急剧增大，形成击穿，这种击穿称为雪崩击穿（碰撞击穿）。常发生在掺杂浓度比较低，所加反向电压比较高的情况。 齐纳击穿：PN结掺杂浓度很高时，阻挡层非常薄。少数载流子在阻挡层内做漂移运动时，由于路径很短，与中性原子碰撞机会极少，不容易产生碰撞电离。但这种PN结在较低电压作用下仍会出现击穿现象。阻挡层特别薄的PN结，只要加上不大的反向电压，阻挡层内电场就会非常高。强电场可把阻挡层中的中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，变为自由电子，同时产生空穴，这个过程称为场致激发。强电场使阻挡层内许多中性原子发生场致激发，产生大量载流子，使PN结反向电流剧增，出现反向击穿现象，这种击穿常成为齐纳击穿。可见齐纳击穿发生在掺杂浓度很高的PN结上。

从理论计算及试验结果得