整流电路是利用二极管的什么特性

激光二极管的特性

1、伏安特性

半导体激光器是半导体二极管，具有单向导电性，其伏安特性与二极管相同。反向电阻大于正向电阻，可以通过用万用表测正反向电阻确定半导体激光二极管的极性及检查它的PN结好坏。但在测量时必须用1k以下的档，用大量程档时，激光器二极管的电流太大，容易烧坏。

2、P—I特性

激光二极管的出射光功率P与注入电流I的关系曲线称为P-I曲线。

注入电流小于阈值电流Ith时，激光器的输出功率P很小，为自发辐射的荧光，荧光的输出功率随注入电流的增加而缓慢增加。

注入电流大于Ith时，输出功率P随注入电流的增加而急剧增加，这时P—I曲线基本上

是线性的。当I再增大时，P—I曲线开始弯曲呈非线性，这是由于随着注入电流的增大，使结温上升，导致P增加的速度减慢。

判断阈值电流的方法：在P—I特性曲线中，激光输出段曲线的向下延长线与电流轴的交点为激光二极管的阈值电流。

3、光谱特性

激光二极管的发射光谱由两个因素决定：谐振腔的参数，有源介质的增益曲线。

腔长L确定纵模间隔，宽W和高H决定横模性质。如果W和H

足够小，将只有单横模TEM00存在。

多模激光二极管在其中心波长附近呈现出多个峰值的光谱输出。单纵模激光器只有一个峰值。

工作在阈

二极管及整流电路

2010级电子⑤班单元测试考试卷

（满分100分 时间60分钟）

一、判断题（9分、每题1分）

1.用万用表测量二极管正反向电阻相同，说明二极管正常。 （ ）

2.温度对半导体材料有重要影响，温度越高，则半导体中载流子越少。 （ ）

3.电容滤波电路中，电容容量越大，负载阻值越大，则滤波效果越好。 （ ）

4.杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少子的浓度主要取决于温度。（ ）

5.整体来看，不管是N型半导体，还是P型半导体都是电中性的。 （ ）

6.Is是指室温条件下的反向漏电流，温度越低其值越小。且IR越小说明单向导电性越好。（ ）

7.通常锗二极管PN结温度达到150℃，硅管达到90℃以上时，会因反向电流过大造成热击穿。（ ）

8.桥式整流电路中，若有一只整流二极管接反，则电路可当成半波整流电路处理。 （ ）

二、填空题（21分、每空1分）

1.二极管的重要特性是二极管和

2.PN结加一定的正向电压时，反偏时。

3.若变压器次级输出电压为15V，经桥式整流后，电压为500欧姆，则流过负载电阻的电流为 A，负载消耗的功率是

二极管及整流电路

2010级电子⑤班单元测试考试卷

（满分100分 时间60分钟）

一、判断题（9分、每题1分）

1.用万用表测量二极管正反向电阻相同，说明二极管正常。 （ ）

2.温度对半导体材料有重要影响，温度越高，则半导体中载流子越少。 （ ）

3.电容滤波电路中，电容容量越大，负载阻值越大，则滤波效果越好。 （ ）

4.杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少子的浓度主要取决于温度。（ ）

5.整体来看，不管是N型半导体，还是P型半导体都是电中性的。 （ ）

6.Is是指室温条件下的反向漏电流，温度越低其值越小。且IR越小说明单向导电性越好。（ ）

7.通常锗二极管PN结温度达到150℃，硅管达到90℃以上时，会因反向电流过大造成热击穿。（ ）

8.桥式整流电路中，若有一只整流二极管接反，则电路可当成半波整流电路处理。 （ ）

二、填空题（21分、每空1分）

1.二极管的重要特性是二极管和

2.PN结加一定的正向电压时，反偏时。

3.若变压器次级输出电压为15V，经桥式整流后，电压为500欧姆，则流过负载电阻的电流为 A，负载消耗的功率是

及等效电路模拟 摘要 PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿(隧道击穿)。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快，利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。 物理12 张常龙 雪崩光电二极管的介绍

雪崩光电二极管的介绍及

等效电路模拟

[文档副标题]

二〇一五年十月

辽宁科技大学理学院

辽宁省鞍山市千山中路185号

雪崩光电二极管的介绍及等效电路模拟

摘 要 ：PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿(隧道击穿)。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快，利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由

1、设计电路测量二极管的伏安特性曲线。2、使用示波器显示二极管的信号激励。

电路分析实验4—二极管的伏安特性曲线

一、 实验目的：

1、 设计电路测量二极管的伏安特性曲线。 2、 使用示波器显示二极管的信号激励。

二、 实验仪器：

1、 2、 3、 4、 5、

电路板 数字万电表 电阻、导线 示波器

二极管

三、 实验原理

根据二极管的单向导通性，在二级管两端施加电压，并通过电位器改变电压值，数字万用表测出二极管两端电压和对应的电流，最终形成V—A图像，得出二极管伏安特性。

四、 实验电路

电路说明：

R1相当于电位器，起改变二极管两端电压的作用；

R2是保护电阻，防止二极管正向电阻过小导致电流过大烧坏仪器； 测量电压和电流时，将多用电表并联或串联进电路进行测量。

五、实验步骤和数据记录：

1、 电路连接

电路板为纵列导通，横排绝缘器件。在连接电路时，串联的两根导线相连两端接在电路板同一列的插孔中，并联导线两端分别插在两列相同的插孔中。对照电路图连接好电路后，接通电源，用手指触摸电阻，

1、设计电路测量二极管的伏安特性曲线。2、使用示波器显示二极管的信号激励。

如果电阻发烫，需要立刻断开电源更换电阻。测量支路电流时，需要先将要测量的之路从电路中

肖特基二极管整流的计算与测量

　第19卷　第11期

　2007年11月强激光与粒子束HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMSVol.19,No.11　Nov.,2007　文章编号:　100124322(2007)1121887204

肖特基二极管整流的计算与测量

黄建仁,　王秩雄,　陈绳乾,　王　挺

(空军工程大学电讯工程学院,西安710077)3

　　摘　要:　提出了改进型的肖特基二极管整流数理模型,用加速迭代法和四阶精度龙格2库塔法编制了计

算程序,并结合实验测量得到了整流效率与输入功率、频率和负载等关系曲线:负载一定时,增大,整流效率先快速上升,然后上升趋势变缓;,,,

对于某一固定的输入功率,存在着一个最佳负载值;,,整流效率上

升。型号为2DV10B的X2GHz时获得的整流效率

为75.2%;频率为10,。

　　关键词:　;;　微波输电;　无线输电;　太阳能电站

　　中图分类号:文献标识码:　A

　　微波二极管的整流效率是微波输电系统的关键因素。由于二极管整流的非线性,过分简化的近似不足以描绘整流的真实特性。到目前为止,已经提出了多种可能的整流电路模型,如桥式和半桥式整流电路等,但是单个二极管并联被证明是最实用、最经济的方式[1]。为了能

2012 ~2013学年 第 1 学期

《 高频电子线路 》 课 程 设 计 报 告

题 目： 变容二极管直接调频电路的设计

专 业： 电子信息工程 班 级： 10信息（2）班

电气工程系 2012年12月17日

1

1、任务书 课题名称 指导教师（职称） 执行时间 学生姓名 设计目的 设计要求 学号 1．原理分析及电路图设计 变容二极管直接调频电路的设计 2012~2013学年第二学期 第 16 周 承担任务 2．用相关仿真软件画出电路并对电路进行分析与测试 (1)输入1KHz大小为200Mv的正弦电压（也可以用1KHz的方波）； (2)主振频率为f0大于15MHz； (3）最大频偏△fm=?20KHz。

1

变容二极管直接调频电路的设计

摘 要

调频电路具有

贵州师范大学2012级 模拟电子技术基础

二极管伏安特性曲线的研究

2012级电子信息科学与技术 第十组 2013/8/25

指导老师：王麒

实验目的

用Mutisim软件研究二极管的伏安特性，并得出二极管的伏安特性曲线

实验原理

通过设计电路模拟出对二极管施加正向电压或反向电压的情况，从而得到测量的特殊点将二极管的正向及反向特性描述出来。

实验电路

电路如下图所示

模拟后的现象（正向施加电压） 更改试验参数后可得到如图的图像

模拟后的现象（正向施加电压）

模拟后的现象（反向施加电压）

实验现象

（1）对二级管正向施加电压时，刚开始的时候电流随电压的变化很小，而随着电压的逐渐增大到某个值时，电流急剧增加，且近似按指数形式增加； （2）对二级管反向施加电压时，刚开始的时候电流无变化，而当电压增加到某个值时，电流急剧增加。

现象分析

（1）当外加正向电压时，随着电压U的逐渐增加，电流I也增加。但在开始的一段，由于外加电压很低，外电场不能克服PN结的内电场，半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层，所以这时的正向电流极小，当外加电压超过死区电压以后，外电场强于PN结的内电场，多数载流子大量通过阻挡层，使正向电流随电压很快增长；

（2）当外加

贵州师范大学2012级 模拟电子技术基础

二极管伏安特性曲线的研究

2012级电子信息科学与技术 第十组 2013/8/25

指导老师：王麒

实验目的

用Mutisim软件研究二极管的伏安特性，并得出二极管的伏安特性曲线

实验原理

通过设计电路模拟出对二极管施加正向电压或反向电压的情况，从而得到测量的特殊点将二极管的正向及反向特性描述出来。

实验电路

电路如下图所示

模拟后的现象（正向施加电压） 更改试验参数后可得到如图的图像

模拟后的现象（正向施加电压）

模拟后的现象（反向施加电压）

实验现象

（1）对二级管正向施加电压时，刚开始的时候电流随电压的变化很小，而随着电压的逐渐增大到某个值时，电流急剧增加，且近似按指数形式增加； （2）对二级管反向施加电压时，刚开始的时候电流无变化，而当电压增加到某个值时，电流急剧增加。

现象分析

（1）当外加正向电压时，随着电压U的逐渐增加，电流I也增加。但在开始的一段，由于外加电压很低，外电场不能克服PN结的内电场，半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层，所以这时的正向电流极小，当外加电压超过死区电压以后，外电场强于PN结的内电场，多数载流子大量通过阻挡层，使正向电流随电压很快增长；

（2）当外加

2012 ~2013学年 第 1 学期

《 高频电子线路 》 课 程 设 计 报 告

题 目： 变容二极管直接调频电路的设计

专 业： 电子信息工程 班 级： 10信息（2）班

电气工程系 2012年12月17日

1

1、任务书 课题名称 指导教师（职称） 执行时间 学生姓名 设计目的 设计要求 学号 1．原理分析及电路图设计 变容二极管直接调频电路的设计 2012~2013学年第二学期 第 16 周 承担任务 2．用相关仿真软件画出电路并对电路进行分析与测试 (1)输入1KHz大小为200Mv的正弦电压（也可以用1KHz的方波）； (2)主振频率为f0大于15MHz； (3）最大频偏△fm=?20KHz。

1

变容二极管直接调频电路的设计

摘 要

调频电路具有