海南大学模拟电子技术期末考试

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

( 密 封 线 内 不 答 题 ) …………………………………………………密………………………………………………封………………………………………线………………………………深圳大学期末考试试卷

开/闭卷 课程编号 命题人(签字) 审题人(签字) 年 月 日 题号 得分 评卷人 闭卷

2213990901~8

A/B卷

课程名称

模拟电路

A 3-1

学分

学院 专业 姓名 学号 座号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 基本题总分 附加题 一、 简答题（20分）

1、设晶体三极管在信号周期T内的导电时间为t，试写出甲类、乙类和甲乙类三种功放电路的t与T的关系。

2、直流电源通常由哪几部分组成，并说明各部分的作用。

3、放大电路的电压放大倍数增益的模值在高频段和低频段分别产生什么变化？各由何种电容影响？

4、为什么场效应管称为单极性

大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题

一、填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ 导通 ），反偏时（ 截止），所以PN结具有（ 单向 ）

导电性。

2、漂移电流是（ 温度 ）电流，它由（ 少数 ）载流子形成，其大小与（ 温

度 ）有关，而与外加电压（无关 ）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其

反偏时，结电阻为（ 无穷 ），等效成断开；

4、三极管是（ 电流 ）控制元件，场效应管是（ 电压 ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏 ），集电结（ 反偏 ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ 变小 ），发射结压降（ 不变 ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ 共基 ）、（ 共射 ）、（ 共集 ）

放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ 电压并联）负反馈，为了稳

定交流输出电流采用（ 串联 ）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F） ），对于深度负反馈放大电路

的放大倍数AF=（ 1/ F ）。

1

《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭 卷)

题号 得分 评卷 一 40 二 10 三 10 四 10 五 15 六 15 七 八 总分 100 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的 ，分别用小写字母 表示。 装 订 线 2、数字电路中只有 和 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__ ___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___ __线。 4、(1011)2 = ( )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_ ____元件，电阻是__ ____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫 。 7、正弦交流电的三要素是 、 和 。 8、实际电压源总有内

《电子技术基础》期末考试题

班级 姓名

题号 得分 一 二 三 总分 一、填空题（在“ ”上填上正确答案，每空1.5分，共48分）

1. 晶体二极管加一定的 电压时导通，加 电压时截止，这一导电特性称为二极管的 特性。

2. PN 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。

3. 用万用表“R x 1K \挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。

4. 场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。

5. 试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。

管型 （1）_______（2）_______（3）_______（4）_______ 工作状态 （1）_______（2）_ （3）_______（4）_______

6. Iceo称为三极管

预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大

①

－

－8V 图1

③ －2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大

①

－

－8V 图1

③ －2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

浙江理工大学模拟电子技术基础期末考试试题（A）

姓名 班级 学号 计分 一． 填空（2x19=38分）

1．在如图所示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的?＝100，Rb＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数。

'?＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μ （1）当UiA， 则Rb 和RW之和Rb＝ ≈ kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。

（2）若测得输入电压有效值Ui=5mV时，输出电压有效值Uo＝0.6V， 则电压放大倍数

''?＝ ≈ 。A若负载电阻RL值与RC相等 ，u则带上负载后输出电压有效值Uo＝ ＝ V。

2．电路如图所示，T1、T2和T3的特性完全相同，β>60填空：

（1）I1≈ mA，I2≈ mA；

（2）若I3≈0.2mA，则R3≈ kΩ。

3.电路如图所示，已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大，最大输出电压幅值为±14V。填空：

浙江理工大学模拟电子技术基础期末考试试题（A）

姓名 班级 学号 计分 一． 填空（2x19=38分）

1．在如图所示电路中， 已知VCC＝12V，晶体管的?＝100，Rb＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数。

'?＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μ （1）当UiA， 则Rb 和RW之和Rb＝ ≈ kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。

（2）若测得输入电压有效值Ui=5mV时，输出电压有效值Uo＝0.6V， 则电压放大倍数

''?＝ ≈ 。A若负载电阻RL值与RC相等 ，u则带上负载后输出电压有效值Uo＝ ＝ V。

2．电路如图所示，T1、T2和T3的特性完全相同，β>60填空：

（1）I1≈ mA，I2≈ mA；

（2）若I3≈0.2mA，则R3≈ kΩ。

3.电路如图所示，已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大，最大输出电压幅值为±14V。填空：