电工电子技术山东科技大学考试试题

第6章第1次 专业 学号 2009 姓名 一、填空题

1．变压器的主要功能有变换、变换和变换。 2．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的区。 3．稳压管是利用特性来稳压的，正向稳压。

4．在电子线路和自动控制系统中，常需要稳定的直流电压，直流稳压电源主要由、 整流 、 滤波 和 稳压 四部分电路组成。

5．电路如图1所示，二极管为理想元件，已知交流电压表V1的读数为100V，负载电阻RL=1 k ，开关S断开时直流电压表V2 =，电流表A=；开关S闭合时直流电压表V2 =，电流表A=。

图1

二、选择题

1．要得到P型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（ A ）。

A．三价元素 B．四价元素 C．五价元素 D．六价元素 2．稳压管电路如图2所示，稳压管DZ1的稳定电压UZ1 12V，DZ2的稳定电压为

。 UZ2 6V，则电压U0等于（ C ）

A．12 V B．20 V C．6 V D．

0 V

图2

预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大

①

－

－8V 图1

③ －2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大

①

－

－8V 图1

③ －2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

武汉科技大学考研电子技术历年试题及答案,由于08年和10年文件过大,故没有上传,见谅。

武汉科技大学

200５年硕士研究生入学考试试题

课程名称： 电子技术 总页数：共4页 说明： 1、适用专业：控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。

2、可使用的常用工具：计算器、绘图工具。

3、答题内容请写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效。 4、计算题、分析题必须有解题过程，只给出答案的不给分。

一、选择填空题：（共30分，每空2分）

1、场效应管属于控制型器件，晶体三极管属于控制型器件。 A、电流； B、电感； C、电压； D、电容。 2、晶体三极管用来放大时，发射结应处于集电结应处于偏

置。

A、反向； B、90°； C、正向； D、不定。

3、 为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合，可在两者之间插

入；为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路，可在低阻输出的放大电路之后接入

数字电子技术基础试卷(本科)及参考答案

试卷一及其参考答案

试卷一

一、（20分）选择填空。从每个小题的四个选项中选出一个正确答案，并将其编号填入该题后的括号中。

1．十进制数3.625的二进制数和8421BCD码分别为（ ）

A． 11.11 和11.001 B．11.101 和0011.011000100101 C．11.01 和11.011000100101 D．11.101 和11.101 2．下列几种说法中错误的是（ ）

A．任何逻辑函数都可以用卡诺图表示。 B．逻辑函数的卡诺图是唯一的。 C．同一个卡诺图化简结果可能不是唯一的。 D．卡诺图中1的个数和0的个数相同。

3．和TTL电路相比，CMOS电路最突出的优点在于（ ） A．可靠性高 B．抗干扰能力强

C．速度快 D．功耗低

4．为了把串行输入的数据转换为并行输出的数据，可以使用（ ） A．寄存器 B．移位寄存器

C．计数器

武汉科技大学考研电子技术历年试题及答案,由于08年和10年文件过大,故没有上传,见谅。

武汉科技大学

200５年硕士研究生入学考试试题

课程名称： 电子技术 总页数：共4页 说明： 1、适用专业：控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。

2、可使用的常用工具：计算器、绘图工具。

3、答题内容请写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效。 4、计算题、分析题必须有解题过程，只给出答案的不给分。

一、选择填空题：（共30分，每空2分）

1、场效应管属于控制型器件，晶体三极管属于控制型器件。 A、电流； B、电感； C、电压； D、电容。 2、晶体三极管用来放大时，发射结应处于集电结应处于偏

置。

A、反向； B、90°； C、正向； D、不定。

3、 为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合，可在两者之间插

入；为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路，可在低阻输出的放大电路之后接入

西南科技大学 模拟电子技术试卷十

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分，共20分) （1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小

①

－2V －8V 图1

③ ② －2.2V

西南科技大学 模拟电子技术试卷十

C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.

山东科技大学 — 学年第 学期

《算法设计与分析》考试试卷

班级 姓名 学号

题号 得分 一、

一 二 三 四 五 总得分 评卷人 审核人 设数组A有n个元素，需要找出其中的最大最小值。（20分）

（1） 请给出一个解决方法，并分析其复杂性。

（2） 把n个元素等分为两组A1和A2，分别求这两组的最大值和最小值，然后分别将这两

组的最大值和最小值相比较，求出全部元素的最大值和最小值。如果A1和A2中的元素多于两个，则再用上述方法各分为两个子集。直至子集中元素至多两个元素为止。这是什么方法的思想？请给出该方法的算法描述，并分析其复杂性。

二、

已知Ak?(aij(k))ri*ri?1，k=1，2，3，4，5，6，r1=5，r2=10，r3=3，r4=12，r5=5，r6=50，r7=6，

求矩阵链积A1×A2×A3×A4×A5×A6的最佳求积顺序。（20分） 三、

对于下图使用Dijkstra算法求由顶点a到其他各个顶点的最短路径。并给出求各个顶点对

之间的最短路径的算法思想。（20分）。

be2g2ad21cf2121433h 四、 15谜问题：在

北京信息科技大学2014 ~2015学年第2学期

《电子技术基础》课程期末考试试卷A答案及评分标准

课程所在学院：适用专业班级： 考试形式：闭卷

一、单选、填空题（本题满分30分，共10题，每题3分）

1.图1中PNP晶体管的电路符号为 A 。

（A） （B） （C）

图1

2．两级放大器中，第二级的输入电阻相当第一级的 B 。 （A）输出电阻 （B）负载电阻（C）信号源内阻

3．在图2所示电路中，引入的负反馈是 C 。 （A）电压串联负反馈（B）电压并联负反馈

图2 （C）电流串联负反馈（D）电流并联负反馈

4．稳压管在正常工作时，必须在电路中串接一个限流电阻。 5．图3电路中，已知u1=3V，u2=0V，设二极管为理想二极管，则输出电压uo为 B 。 （A）0V （B）3V （C）－12V

D1 uo u1

A

u2

D2 B R F

-12V 图3

图4

6. 对于图4所示的波形, A、B为输入，F为输出，其反映的逻辑关系是 C 。

（A）异或关系 (B) 与非关系 (C) 无法判

第二章 集成运算放大电路及应用习题

一、填空题

1.衡量放大器的零点漂移是否严重要用 等效输入零点漂移电压 来衡量漂移的大小。

2.正弦波信号发生器发生自激振荡的条件包括 相位条件 ?A??F??2n?， 幅值条件 AUF?1 。

3.理想运算放大器的输入电阻Ri可视为① 无穷大 ，输出电阻RO可视为② 零 ，开环电压放大倍数可视为③ 无穷大 。

4. 集成运算放大器线性应用时电路分析的特点是 虚短u+=u-，虚断i+=i-=0。 5.射极输出器电路引入了 电压串联 负反馈。 二、选择题

1.下列四个信号，（ A ）属于差模信号。 A. +2mV，-2mV B.+4mV，-2mV C.+5mV，+1mV D.+2mV，+2mV

2.要使放大电路输出电压稳定，输入电阻提高，应在电路中选用（ A ）负反馈。

A.电压串联 B.电流串联 C.电压并联 D.电流并联

3.差动放大电路对差模信号的放大倍数Ad=100， 对共模信号的放大倍数Ac=0.1，则该电路的共模抑制比为（ B ）。 A.100 B.1000 C.20db