关于随机存取存储器的叙述中正确的是

7.2 随机存取存储器(RAM)7.2.1 静态随机存取存储器(SRAM)7.2.2 同步静态随机存取存储器(SSRAM)7.2.3 动态随机存取存储器

7.2.4 存储器容量的扩展

7.2 随机存取存储器(RAM)7.2.1 静态随机存取存储器(SRAM) 1 SRAM 的本结构 CE WE OE =100 高阻 CE WE OE =010 输出Ai+1

Ai

A0

列 译 码

An-1

行 译 码

存储 阵 列

CE WE OE =00X 输入CE WE OE =011 高阻

CE WE OE

I/O 电路

I /O0

I /Om-1

SRAM 的工作模式 工作模式 保持 (微功耗) 读 写 输出无效 CE 1 0 0 0 WE X 1 0 1 OE X 0 X 1 I /O 0 ~ I /O m -1 高阻 数据输出 数据输入 高阻

1. RAM存储单元 静态SRAM(Static RAM)Xi (行选择线)

本单元门控制管:控 制触发器与位线的 接通。Xi =1时导通VDD VGG 存储 单元 T4 T6 T2 位 线 B

来自列地址译码 器的输出T3 位 线 T5 T1

B

来自列地址译码 器的输出

数 据 D 线

T7

双稳态存储单元 电路Yj (列选择

目 录

引言????????????????????????????????1 1 RRAM技术回顾???????????????????????????1 2 RRAM工作机制及原理探究??????????????????????4

2.1 RRAM基本结构????????????????????????4 2.2 RRAM器件参数????????????????????????6 2.3 RRAM的阻变行为分类?????????????????????7 2.4 阻变机制分类????????????????????????9 2.4.1电化学金属化记忆效应????????????????11 2.4.2价态变化记忆效应??????????????????15

2.4.3热化学记忆效应???????????????????19 2.4.4静电/电子记忆效应??????????????????23 2.4.5相变存储记忆效应??????????????????24 2.4.6磁阻记忆效应????????????????????26 2.4.7铁电隧穿效应????????????????????28 2.5 RR

下面关于内存储器(也称为主存)的叙述中,正确的是(d).

A、RAM和ROM在断电后信息将全部丢失

B、内存储器与外存储器相比,存取速度慢、价格便宜

C、内存储器和外存储器是统一编址的,字是存储器的基本编址单位 D、内存储器与外存储器相比,存取速度快、价格贵

把计算机分为巨型机、大型机、小型机和微型机、工作站和服务器本质上是按(a)来区分的.

A、计算机的规模和处理能力 B、计算机的存储容量 C、CPU的集成度 D、计算机的体积

微机中的PCI是(c).

A、产品型号 B、微处理器型号 C、总线标准 D、微机系统名称

所有汉字的字型以点阵字模的形式存储在(b )

A、CPU

B、字模库文件里 C、上述均不是 D、内存里

计算机中的数有浮点表示和定点表示两种,浮点表示的数,通常由(b)两部分组成.

A、尾数和小数 B、阶码和尾数 C、指数和基数 D、整数和小数

显示器必须与(d)配合使用.

A、声卡 B、打印机 C、光驱 D、显示卡

从1993年开始人们在互联网上既可以看到文字，又可以看到图片、听到 声音，使得网上的世界变的美丽多彩,这主要归功于(d )

A、Telnet B、FTP C、E-mail D、WWW

电子邮件地址格式为:wangj

第10章 存储器及其接口

典型试题 一． 填空题

1.只读存储器ROM有如下几种类型：＿＿＿＿。 答案：掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM

2.半导体存储器的主要技术指标是＿＿＿＿。

答案：存储容量、存储速度、可靠性、功耗、性能/价格比

3.在16位微机系统中，一个存储字占用两个连续的8位字节单元，字的低8位存放在＿＿＿＿、高8位存放在＿＿＿＿。 答案：低地址单元、高地址单元

4.SRAM芯片6116（2K×8B）有＿＿＿＿位地址引脚线、＿＿＿＿位数据引脚线。 答案：11 8

5.在存储器系统中，实现片选控制有三种方法，它们是＿＿＿＿。 答案：全译码法、部分译码法、线选法

6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端地址码为101时，输出端＿＿＿＿有效。

，当输入

答案：

7.半导体静态存储器是靠＿＿＿＿存储信息，半导体动态存储器是靠＿＿＿＿存储信息。

答案：触发器 电荷存储器件

8.对存储器进行读/写时，地址线被分为＿＿＿＿和＿＿＿＿两部分，它们分别用以产生＿＿＿＿和＿＿＿＿信号。

答案：片选地址 片内地址 芯片选择 片内存储单元选择 二． 单项选择题

1．DRAM2164（64K×1）外部引脚有（ ）

第10章 存储器及其接口

典型试题 一． 填空题

1.只读存储器ROM有如下几种类型：＿＿＿＿。 答案：掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM

2.半导体存储器的主要技术指标是＿＿＿＿。

答案：存储容量、存储速度、可靠性、功耗、性能/价格比

3.在16位微机系统中，一个存储字占用两个连续的8位字节单元，字的低8位存放在＿＿＿＿、高8位存放在＿＿＿＿。 答案：低地址单元、高地址单元

4.SRAM芯片6116（2K×8B）有＿＿＿＿位地址引脚线、＿＿＿＿位数据引脚线。 答案：11 8

5.在存储器系统中，实现片选控制有三种方法，它们是＿＿＿＿。 答案：全译码法、部分译码法、线选法

6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端地址码为101时，输出端＿＿＿＿有效。

，当输入

答案：

7.半导体静态存储器是靠＿＿＿＿存储信息，半导体动态存储器是靠＿＿＿＿存储信息。

答案：触发器 电荷存储器件

8.对存储器进行读/写时，地址线被分为＿＿＿＿和＿＿＿＿两部分，它们分别用以产生＿＿＿＿和＿＿＿＿信号。

答案：片选地址 片内地址 芯片选择 片内存储单元选择 二． 单项选择题

1．DRAM2164（64K×1）外部引脚有（ ）

第四章 存储器结构

4．3 存储器容量扩展

微机系统中主存储器通常由若干存储芯片及相应的存储控制组织而成，并通过存储总线(数据总线、地址总线和控制总线)与CPU及其他部件相联系，以实现数据信息、控制信息的传输。由于存储器芯片的容量有限，实际应用中对存储器的字长和位长都会有扩展的要求。 一、存储器字扩展

*字扩展是沿存储字向扩展，而存储字的 位数不变。 *字扩展时，将多个芯片的所有地址输入 端、数据端、读／写控制线分别并联 在一起，而各自的片选信号线则单独 处理。

*4块内存芯片的空间分配为： 第一片，0000H-3FFFH 第二片，4000H-7FFFH 第三片，8000H-BFFFH 第四片，C000H-FFFFH 二、存储器位扩展

*存储器位扩展是沿存储字的位向扩展， 而存储器的字数与芯片的字数相同。 *位扩展时

将多个芯片的所有地址输入端都连接 在一起；

而数据端则是各自独立与数据总线连 接，每片表示一位

*片选信号线则同时选中多块芯片，这些 被选中的芯片组成了一个完整的存储 字。

1

三、存储器位字扩展

*存储器需要按位向和字向同时扩展，称存储器位字扩展

*对于容量为 M×N 位的存储器，若使用 L×K 位的存储芯片， 那

第5章 微机的存储器

存锗是微机的重要蛆成部分之一，它的种类(9多，各种存储界存储信息的媒体，存储原属和方法也各不相同．本章主要以在霞机中广泛应用的半导体存储嚣为对象，在研究存储#丑其基本电路、差事知识的摹础上，着重研究存糖芯片及其与(：Pu之间的连接与扩充衄．此外，搞要介绍碰表面存储器．光盘存储群以及一·些新型的存储器．

5．1 存储器的分类与组成

存铺器按它和CPU的连接方式不同，可分为内存储#和外存储器．通过CPU的外部总绒直接与CPU相连的存销器称为内存储界(简称内存或主存)．CPU要遇过I／0接口电路才舶访问的存储#称为外存储器(简称外存或二组存储#)．按存储辨信息的器件和媒体来分，有半导体存储器。醋表面存储0D、磁泡存锌#和瘫芯存储群以及光盘存储婷．

田5．1为CPU与存储群的连接坫构示意图．图中，内存由半导体存储嚣芯片组成，外存用有磺带、硬磁盘和软磁盘辞．田5，1 CPU与存储鲁的座按坫构示露田随着大规模集成电路技术的发晨，目前微机的内存储韩几乎都由半9体#件构成．

一、半导体存储器的分类

半导体存储猫的分类如图5．2所示．按使用的功能可分为两大类，随机存取存储群RAM(Rendom

虚拟存储器 管理

南京理工大学泰州科技学院

实验报告书

课程名称： 《计算机操作系统》 实验题目： 实验三

班 级： 08计算机2班 学 号：姓 名： 叶萌 指导教师： 袁宝华

虚拟存储器 管理

一 实验目的

1. 理解虚拟存储器概念；

2. 掌握分页式存储管理地址转换和缺页中断。

二 实验内容

1．模拟分页式存储管理中硬件的地址转换和产生缺页中断

分页式虚拟存储系统是把作业信息的副本存放在磁盘上，当作业被选中时，可把作业的开始几页先装入主存且启动执行。为此，在为作业建立页表时，应说明哪些页已在主存，哪些页尚未装入主存。

作业执行时，指令中的逻辑地址指出了参加运算的操作存放的页号和单元号，硬件的地址转换机构按页号查页表，若该页对应标志为“1”，则表示该页已在主存，这时根据关系式“绝对地址=块号×块长+单元号”计算出欲访问的主存单元地址。如果块长为2的幂次，则可把块号作为高地址部分，把单元号作为低地址部分，两者拼接而成绝对地址。若访问的页对应标志为“0”，则表示该页不在主存，这时硬件发“缺页中断”信号，有操作系统按该页在磁盘上的位置，

实验3、Windows虚拟内存

1 背景知识

在Windows环境下，4GB的虚拟地址空间被划分成两个部分：低端2GB提供给进程使用，高端2GB提供给系统使用。这意味着用户的应用程序代码，包括DLL以及进程使用的各种数据等，都装在用户进程地址空间内(低端2GB)。用户过程的虚拟地址空间也被分成三部分：

1)虚拟内存的已调配区(committed)：具有备用的物理内存，根据该区域设定的访问权限，用户可以进行写、读或在其中执行程序等操作。

2)虚拟内存的保留区(reserved)：没有备用的物理内存，但有一定的访问权限o 3)虚拟内存的自由区(free)：不限定其用途，有相应的PAGE_NOACCESS权限。 与虚拟内存区相关的访问权限告知系统进程可在内存中进行何种类型的操作。例如，用户不能在只有PAGE_READONLY权限的区域上进行写操作或执行程序；也不能在只有PAGE_EXECUTE权限的区域里进行读、写操作。而具有PAGE_NOACCESS权限的特殊区域，则意味着不允许进程对其地址进行任何操作。

在进程装入之前，整个虚拟内存的地址空间都被设置为只有PAGE_NOACCESS权限的自由区域。当系统装入进程代码和数据后，才将内存地址的空

存储器RAM扩展实验

存储器RAM扩展实验 扩展实验 存储器

存储器RAM扩展实验

实验目的： 实验目的：1、学会8088/86 学会8088/86

CPU与RAM的连接方法 CPU与RAM的连接方法

及读写方法。 及读写方法。 2、理解存储器片选的设计方法。 理解存储器片选的设计方法。 掌握存储器扩充方法， 3、掌握存储器扩充方法，实现对外 RAM的 读写。 部RAM的 读写。 学会使用逻辑分析仪， 4、学会使用逻辑分析仪，观察测试 控制总线信号的波形(片选、 控制总线信号的波形(片选、读、 ),加深对存储器读写时序 加深对存储器读写时序d 写),加深对存储器读写时序d的 理解。 理解。

存储器RAM扩展实验

实验设备结构： 实验设备结构：8259实验芯片 RAM实验芯片 实验芯片 实验芯片 打印机实验 插座 8088芯片 芯片CS插座 扩展槽1 扩展插座DIP8——40芯片 总线插座 AD0-AD7 为数据总线 A0-A15为 地址总线 逻辑分析仪插座 单脉 冲发 生器 1 单脉 冲发 生器 2

CT2000系统 系统 实验控制芯片6位数码显示器 位数码显示器

扩展槽2 扩展插座DIP8——40芯片

二进制状态灯 二进制显示开关

4Χ6键盘 Χ

存储器RAM扩展