平面栅和沟槽栅

Mosfet 技术

沟槽栅低压功率MOSFET的发展（上）

――减小漏源通态电阻Rds（on）

吴晓鹏，张娜

北京工业大学功率器件及功率集成电路研究室

摘要

近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds（on）方面的技术发展，下篇着重于降低优值FOM方面的技术发展。

关键词： MOSFET，通态电阻，FOM

The Development of Low-voltage Trench Gate Power MOSFETs （Part I）

--Reducing drain-source on-resistance Rds（on）

XiaoPeng WU, Na ZHANG

Lab of Power Semiconductor Devices and ICs, BeiJing University of Technology

Abstract

Recently, the performance of low-voltage power switching MOSFET using trench technology has improved rapidly. This arti

栅氧击穿机理研究

徐政 缪海滨 郑若成

(中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035)

摘要：栅氧击穿不仅和栅氧质量相关，而且受前工序的影响很大。本文介绍了影响栅氧击穿的因素，如PBL隔离和腐蚀、电容结构。 关键词：栅氧；击穿；多晶缓冲隔离；能带 中图分类号：TN386．4 文献标识码：A 1前言

人们通常只从栅氧生长、栅氧前的清洗来提高栅氧击穿，但是栅氧前工序的制造同样对栅氧击穿影响很大，而且往往是决定性的，却容易被忽视。 2栅氧击穿机理 2．1 SiO2击穿现象

2．1．1 Si02在施加高场时会发生致命击穿，根据击穿场强的大小可分成三种情形

(1)击穿场强在8-12MV／cm称为本征击穿。

发生本征击穿时SiO2的无缺陷，在低场加长时间应力，发生本征击穿Si02的的失效时间大致相同；

(2)击穿场强<1MV／cm，SiO2存在巨大缺陷，例如针孔。

(3)击穿场强在2~6MV／cm，正常工作条件下会发生击穿。 2．1．2 SiO2性能退化分为二阶段

(1)栅电流不断通过SiO2，SiO2的某些点形成电流通道，SiO2性能缓慢下降；

(2)MOS电容通过缺陷通道放电，SiO2被击穿，栅极被气化，但是整个MOS电容仍可能继续工作。 2．2 SiO2本征击穿的物理模

外 排 栅

施 工

方 案

XX工程公司 年月日

- 1 -

第一章 施工方案编制依据

1、建筑施工扣件式钢管脚手架安全技术规范（JGJ130-2001） 2、混凝土结构设计规范（GBJ10-89）

3、建筑施工手册（中国建筑工业出版社1999年1月第二版）

4、建筑施工安全技术手册（中国建筑工业出版社1991年12月第一版） 5、广东****科技有限公司车间厂房工程施工图纸

第二章 工程概况和施工工序

广东****科技有限公司车间厂房位于广州市**镇**科技园内，建筑面积15800平方米，工程为一栋五层楼的钢筋混凝土结构，建筑高度30.0m，其中地下壹层层高3.6米,地上五层,首层层高7.0米，二至五层层高4.8米。结合工程设计图纸，施工现场实际情况,外排栅施工方法如下：

1、本工程外排栅搭设从原地面±0.00开始至31.5.米；外排栅基础为原土分层夯实上捣100厚C20砼垫层。

第三章 外排栅受力计算

一、荷载计算 （1）结构自重

排栅采用Φ48×3.5钢管，重0.0384KN/m。大 小横杆用直角扣件与立杆连接，重0.0132KN/个。 立杆和大横杆接长用对接扣件连接，重0.0184KN/个。 横向斜撑与立杆或大横杆、剪刀撑与

外 排 栅

施 工

方 案

XX工程公司 年月日

- 1 -

第一章 施工方案编制依据

1、建筑施工扣件式钢管脚手架安全技术规范（JGJ130-2001） 2、混凝土结构设计规范（GBJ10-89）

3、建筑施工手册（中国建筑工业出版社1999年1月第二版）

4、建筑施工安全技术手册（中国建筑工业出版社1991年12月第一版） 5、广东****科技有限公司车间厂房工程施工图纸

第二章 工程概况和施工工序

广东****科技有限公司车间厂房位于广州市**镇**科技园内，建筑面积15800平方米，工程为一栋五层楼的钢筋混凝土结构，建筑高度30.0m，其中地下壹层层高3.6米,地上五层,首层层高7.0米，二至五层层高4.8米。结合工程设计图纸，施工现场实际情况,外排栅施工方法如下：

1、本工程外排栅搭设从原地面±0.00开始至31.5.米；外排栅基础为原土分层夯实上捣100厚C20砼垫层。

第三章 外排栅受力计算

一、荷载计算 （1）结构自重

排栅采用Φ48×3.5钢管，重0.0384KN/m。大 小横杆用直角扣件与立杆连接，重0.0132KN/个。 立杆和大横杆接长用对接扣件连接，重0.0184KN/个。 横向斜撑与立杆或大横杆、剪刀撑与

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）实用新型专利

（10）申请公布号

CN202564479U

（43）申请公布日2012.11.28（21）申请号CN201220067883.4

（22）申请日2012.02.28

（71）申请人江苏理士电池有限公司

地址211600 江苏省淮安市金湖县理士大道160号

（72）发明人袁芳;张建华

（74）专利代理机构淮安市科翔专利商标事务所

代理人韩晓斌

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

防止活性物质裂纹的板栅结构

（57）摘要

本实用新型公开了一种防止活性物质

裂纹的板栅结构，该板栅包括板栅体（1）和

极耳（2），极耳（2）连接在板栅体（1）的

上边框上，其特征在于：在位于极耳（2）下

方的板栅体（1）上分布带锥度的筋（4）；

其中，在板栅体（1）的上边框内设弧形角

（3）；其中，板栅体（1）的上边框比下边

框宽0.1mm-0.3mm。本实用新型使边框与筋

条的结合力增加，板栅翻转时承受的外力更

大，操作过程中不容易造成极耳下方活性物

质裂纹，避免了铅膏裂隙或松动，降低了报

***工程 外墙综合脚手架专项施工方案

目 录

第一节 工程概况 ............................................................................................................................. 2

一、建筑概况 ............................................................................................................................. 2 二、外脚手架施工概况 ............................................................................................................... 2 第二节 编制依据 ............................

进水口拦污栅栅槽安装施工方案

一 工程概况

猴子岩水电站位于四川省甘孜藏族自治州康定县境内，是大渡河干流水电规划调整推荐22级开发方案的第9个梯级电站，上游为丹巴水电站，下游为长河坝水电站。电站总装机容量1700MW（4×425MW）。

猴子岩水电站采用堤坝式开发，枢纽建筑物主要由拦河坝、两岸泄洪及放空建筑物、右岸地下引水发电系统等组成。

右岸泄洪及放空建筑物由溢洪洞、泄洪放空洞组成。溢洪洞采取“前隧洞、后明槽”的布置型式，由开敞式进口段，无压洞段、明渠泄槽段和出口挑流鼻坎段组成，总长1154.20m。

进水口工作、备用拦污栅栅槽、备用拦污栅储栅槽安装包括：20套拦污栅栅槽安装、2套备用拦污栅储栅槽安装。主要工程量见表1。

表1 拦污栅槽安装主要工程量 序号 1 2 名称 进水口3.6*23-4m工作、备用拦污栅槽 进水口3.6*61.2-4m备用拦污栅储栅槽 数量 20套 2套 单位 kg kg 工 程 量 单 重 总 重 37464 5712 749280 11424 二 编制依据

（1）进水口3.6*23-4m工作、备用拦污栅槽总图图号：CD164 SG-52-23（1）~（2）； （2）进水口3.6*61.2-4m备用拦污

透平跨音速叶栅正反混合问题优化设计的研究

　第18卷　第1期　1998年2月　　

动　力　工　程

POWERENGINEERING

　Vol.18No.1　Feb.1998 19 　

透平跨音速叶栅正反混合问题

优化设计的研究

李　军　丰镇平　沈祖达

(西安　西安交通大学)

摘　　要

　　将遗传算法应用于透平跨音速叶栅正、反混合问题优化设计,提出了给定型线背弧部分压力分布,以正问题分析程序得到的压力与给定的目标压力均方差最小为目标函数,运用遗传算法在已有叶型基础上寻找新叶型的正、反混合问题优化设计模型。优化设计结果表明,文中所提出的模型和算法能够有效地优化叶型,从而可在新的领域内对叶轮机械部件的优化设计进行探索和研究。图8表6

主题词:　遗传算法　正、反混合问题　跨音速　透平叶栅　优化设计

新近发展的遗传算法为跨音速叶栅正、反混

合问题优化设计提供了可能。遗传算法是一种借鉴生物界自然选择和自然遗传机制的高度并行、随机、自适应的搜索算法[3]。遗传算法允许所求解的问题是非线性的和不连续的,并能从整个可行解空间寻求最优解。遗传

[2],[3]

算法的应用前景十分广泛。

笔者在文献[4]中运用遗传算法进行透平跨音速叶栅正问题优化设计,目标函数是叶栅能量损失系数最小。本文将遗传算

实验名称：共源共栅放大器设计 实验目的：

1.了解共源共栅级放大器的基本工作原理及相关优缺点

2.学会CMOS电路中的基本参数的设计和分析参数之间的折中关系 3. 共源共栅放大器设计及仿真 实验设备及型号：orcd仿真软件

实验原理及实验步骤： 实验原理：

共栅级的输入信号可以是电流，共源级可以可以将电压信号转换为电流信号。共源共栅级的级联叫做共源共栅结构。

MP1M20VOUTMN1M1共源共栅级的输出阻抗很高

00

通过计算Rout可得Rout约=（gm1+gmb2）ro2ro1

也就是说M2将M1的增益提高至原来的（gm1+gmb2）ro2倍 其还可以扩展为三个或多个以获得更高的输出电阻 但这需要额外的电压余度

共源共栅结构不仅可以作为放大器而且可以作为恒定电流源高的输

出阻抗接近一个理想电流源

本次需要仿真的pmos共源共栅负载的nmos 共源共栅放大器即是如此。

在某种意义上，共源共栅晶体管结构“屏蔽”输入器件使它不受输出节点电压变化的影响。这种共源共栅结构屏蔽特性在许多电路中是非常有用的 实验步骤：

由于共源共栅放大器的电路图已给出，所以电路设计省略 2.按所给设计图绘制相应电路图所得电路图如下

vccMP

实验名称：共源共栅放大器设计 实验目的：

1.了解共源共栅级放大器的基本工作原理及相关优缺点

2.学会CMOS电路中的基本参数的设计和分析参数之间的折中关系 3. 共源共栅放大器设计及仿真 实验设备及型号：orcd仿真软件

实验原理及实验步骤： 实验原理：

共栅级的输入信号可以是电流，共源级可以可以将电压信号转换为电流信号。共源共栅级的级联叫做共源共栅结构。

MP1M20VOUTMN1M1共源共栅级的输出阻抗很高

00

通过计算Rout可得Rout约=（gm1+gmb2）ro2ro1

也就是说M2将M1的增益提高至原来的（gm1+gmb2）ro2倍 其还可以扩展为三个或多个以获得更高的输出电阻 但这需要额外的电压余度

共源共栅结构不仅可以作为放大器而且可以作为恒定电流源高的输

出阻抗接近一个理想电流源

本次需要仿真的pmos共源共栅负载的nmos 共源共栅放大器即是如此。

在某种意义上，共源共栅晶体管结构“屏蔽”输入器件使它不受输出节点电压变化的影响。这种共源共栅结构屏蔽特性在许多电路中是非常有用的 实验步骤：

由于共源共栅放大器的电路图已给出，所以电路设计省略 2.按所给设计图绘制相应电路图所得电路图如下

vccMP