紫外可见光谱计算禁带宽度

紫外可见光谱习题

1074 下列化合物中，同时有 n→?*，?→?*，?→?*跃迁的化合物是( )

(1) 一氯甲烷 (2) 丙酮 (3) 1,3-丁二烯 (4) 甲醇

1217 许多化合物的吸收曲线表明，它们的最大吸收常常位于 200─400nm 之间，对这一光谱区应选用的光源为 ( )

(1) 氘灯或氢灯 (2) 能斯特灯 (3) 钨灯 (4) 空心阴极灯灯

1232 助色团对谱带的影响是使谱带 ( )

(1)波长变长 (2)波长变短 (3)波长不变 (4)谱带蓝移

1233 对化合物 CH3COCH=C(CH3)2的n—?*跃迁,当在下列溶剂中测定,谱带波长最短的是 ( )

(1)环己烷 (2)氯仿 (3)甲醇 (4)水

1105 在紫外光谱中，?max 最大的化合物是 ( )

1324 紫外-可见吸收

紫外可见光谱习题

1074 下列化合物中，同时有 n→?*，?→?*，?→?*跃迁的化合物是( )

(1) 一氯甲烷 (2) 丙酮 (3) 1,3-丁二烯 (4) 甲醇

1217 许多化合物的吸收曲线表明，它们的最大吸收常常位于 200─400nm 之间，对这一光谱区应选用的光源为 ( )

(1) 氘灯或氢灯 (2) 能斯特灯 (3) 钨灯 (4) 空心阴极灯灯

1232 助色团对谱带的影响是使谱带 ( )

(1)波长变长 (2)波长变短 (3)波长不变 (4)谱带蓝移

1233 对化合物 CH3COCH=C(CH3)2的n—?*跃迁,当在下列溶剂中测定,谱带波长最短的是 ( )

(1)环己烷 (2)氯仿 (3)甲醇 (4)水

1105 在紫外光谱中，?max 最大的化合物是 ( )

1324 紫外-可见吸收

根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg

光学吸收系数满足方程：α=(A/hν)(hν-Eg)1/2，其中A 是比例常数，hν是光子能量，Eg是ZnO的能隙。Eg可以通过画(αhν)2与hν的曲线，然后把线性部分延长到α=0得出。这些数据先用excel计算出来，再导入origin画出曲线图，然后做切线，切线与和横坐标的交点数值就是禁带宽度

在origin中做曲线的切线的话~那个切点是怎么确定的

下一个画切线的插件targent，它会自动画，切点选一个最陡峭的点

1.薄膜：需要的数据：薄膜厚度d，透过谱T%，并且还要知道半导体是直接还是间接型。首先需要求吸收系数（absorption coefficiency, a） a=-ln(T%)/d

??A dhv的计算在origin里进行，大概可以使用hv=1240/(wavelength(nm))得到 间接半导体：纵坐标为(ahv)^2，横坐标为hv 直接半导体：纵坐标为(ahv)^(1/2)，横坐标为hv

最后，做出曲线的切线（这方面我是自己拉一条直线），与横轴的交点就是Eg。

2.粉体：需要的数据：粉体的漫反射谱Rx。同样也需要换算成吸收系数，使用a=(1-Rx)2/2Rx (这个就是Kube

根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg

光学吸收系数满足方程：α=(A/hν)(hν-Eg)1/2，其中A 是比例常数，hν是光子能量，Eg是ZnO的能隙。Eg可以通过画(αhν)2与hν的曲线，然后把线性部分延长到α=0得出。这些数据先用excel计算出来，再导入origin画出曲线图，然后做切线，切线与和横坐标的交点数值就是禁带宽度

在origin中做曲线的切线的话~那个切点是怎么确定的

下一个画切线的插件targent，它会自动画，切点选一个最陡峭的点

1.薄膜：需要的数据：薄膜厚度d，透过谱T%，并且还要知道半导体是直接还是间接型。首先需要求吸收系数（absorption coefficiency, a） a=-ln(T%)/d

??A dhv的计算在origin里进行，大概可以使用hv=1240/(wavelength(nm))得到 间接半导体：纵坐标为(ahv)^2，横坐标为hv 直接半导体：纵坐标为(ahv)^(1/2)，横坐标为hv

最后，做出曲线的切线（这方面我是自己拉一条直线），与横轴的交点就是Eg。

2.粉体：需要的数据：粉体的漫反射谱Rx。同样也需要换算成吸收系数，使用a=(1-Rx)2/2Rx (这个就是Kube

根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg

光学吸收系数满足方程：α=(A/hν)(hν-Eg)1/2，其中A 是比例常数，hν是光子能量，Eg是ZnO的能隙。Eg可以通过画(αhν)2与hν的曲线，然后把线性部分延长到α=0得出。这些数据先用excel计算出来，再导入origin画出曲线图，然后做切线，切线与和横坐标的交点数值就是禁带宽度

在origin中做曲线的切线的话~那个切点是怎么确定的

下一个画切线的插件targent，它会自动画，切点选一个最陡峭的点

1.薄膜：需要的数据：薄膜厚度d，透过谱T%，并且还要知道半导体是直接还是间接型。首先需要求吸收系数（absorption coefficiency, a） a=-ln(T%)/d

??A dhv的计算在origin里进行，大概可以使用hv=1240/(wavelength(nm))得到 间接半导体：纵坐标为(ahv)^2，横坐标为hv 直接半导体：纵坐标为(ahv)^(1/2)，横坐标为hv

最后，做出曲线的切线（这方面我是自己拉一条直线），与横轴的交点就是Eg。

2.粉体：需要的数据：粉体的漫反射谱Rx。同样也需要换算成吸收系数，使用a=(1-Rx)2/2Rx (这个就是Kube

根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg

光学吸收系数满足方程：α=(A/hν)(hν-Eg)1/2，其中A 是比例常数，hν是光子能量，Eg是ZnO的能隙。Eg可以通过画(αhν)2与hν的曲线，然后把线性部分延长到α=0得出。这些数据先用excel计算出来，再导入origin画出曲线图，然后做切线，切线与和横坐标的交点数值就是禁带宽度

在origin中做曲线的切线的话~那个切点是怎么确定的

下一个画切线的插件targent，它会自动画，切点选一个最陡峭的点

1.薄膜：需要的数据：薄膜厚度d，透过谱T%，并且还要知道半导体是直接还是间接型。首先需要求吸收系数（absorption coefficiency, a） a=-ln(T%)/d

??A dhv的计算在origin里进行，大概可以使用hv=1240/(wavelength(nm))得到 间接半导体：纵坐标为(ahv)^2，横坐标为hv 直接半导体：纵坐标为(ahv)^(1/2)，横坐标为hv

最后，做出曲线的切线（这方面我是自己拉一条直线），与横轴的交点就是Eg。

2.粉体：需要的数据：粉体的漫反射谱Rx。同样也需要换算成吸收系数，使用a=(1-Rx)2/2Rx (这个就是Kube

第十三章 紫外可见光谱分析

在仪器分析中紫外—可见分光光度法是历史悠久、应用最为广泛的一种光学分析方法。他是利用物质的分子或离子对某一波长范围的光的吸收作用，对物质进行定性分析、定量分析及结构分析，所依据的光谱是分子或离子吸收入射光中特定波长的光而产生的吸收光谱。按所吸收光的波长区域不同，分为紫外分光光度法和可见分光光度法，合称为紫外—可见分光光度法。

分光光度法是在比色法的基础上发展起来的，两者所依据的原理基本上是相同的。由于分光光度法采用了更为先进的单色系统和光检测系统，使得分光光度法在灵敏度、准确度、精密度及应用范围上都大大的优于比色法。

物质分子吸收一定波长的紫外光时，分子中的价电子从低能级跃迁到高能级而产生的吸收光谱叫紫外光谱。紫外吸收光谱是由于分子中价电子的跃迁而产生的，所以又称为电子光谱。由于电子跃迁的同时，伴随着振动能级和转动能级的跃迁，故紫外光谱为带状光谱。紫外吸收光谱的波长范围是10-400nm(纳米), 其中10-200nm 为远紫外区（这种波长的光能够被空气中的氮、氧、二氧化碳和水所吸收，因此只能在真空中进行研究，故这个区域的吸收光谱称真空紫外），200-400nm为近紫外区, 一般的紫外光谱是指近紫外区。波长在400

第十三章 紫外可见光谱分析

13.1概述

紫外-可见光谱法（ultraviolet-visible molecular absorption spectrometry,UV-VIS）是研究在200至800nm光区内的分子吸收光谱的一种方法。它广泛地用于无机和有机质的定性和定量测定，灵敏度和选择性较好。紫外-可见光谱法使用的仪器设备简单，易于操作。

分子吸收紫外-可见光获得的能量足以使价电子发生跃迁，因此，由价电子跃迁产生的分子吸收光谱称为紫外-可见光谱或电子光谱。紫外吸收光谱是由于分子中价电子的跃迁而产生的，所以又称为电子光谱。由于电子跃迁的同时，伴随着振动能级和转动能级的跃迁，故紫外光谱为带状光谱。紫外吸收光谱的波长范围是10-400nm(纳米), 其中10-200nm 为远紫外区（这种波长的光能够被空气中的氮、氧、二氧化碳和水所吸收，因此只能在真空中进行研究，故这个区域的吸收光谱称真空紫外），200-400nm为近紫外区, 一般的紫外光谱是指近紫外区。波长在400～800nm范围的称为可见光谱。常用的分光光度计一般包括紫外及可见两部分，波长在200～800nm（或200～1000nm）。

紫外-可见分光光度法有如下特点：①仪器和操作简单、

第十三章 紫外可见光谱分析

13.1概述

紫外-可见光谱法（ultraviolet-visible molecular absorption spectrometry,UV-VIS）是研究在200至800nm光区内的分子吸收光谱的一种方法。它广泛地用于无机和有机质的定性和定量测定，灵敏度和选择性较好。紫外-可见光谱法使用的仪器设备简单，易于操作。

分子吸收紫外-可见光获得的能量足以使价电子发生跃迁，因此，由价电子跃迁产生的分子吸收光谱称为紫外-可见光谱或电子光谱。紫外吸收光谱是由于分子中价电子的跃迁而产生的，所以又称为电子光谱。由于电子跃迁的同时，伴随着振动能级和转动能级的跃迁，故紫外光谱为带状光谱。紫外吸收光谱的波长范围是10-400nm(纳米), 其中10-200nm 为远紫外区（这种波长的光能够被空气中的氮、氧、二氧化碳和水所吸收，因此只能在真空中进行研究，故这个区域的吸收光谱称真空紫外），200-400nm为近紫外区, 一般的紫外光谱是指近紫外区。波长在400～800nm范围的称为可见光谱。常用的分光光度计一般包括紫外及可见两部分，波长在200～800nm（或200～1000nm）。

紫外-可见分光光度法有如下特点：①仪器和操作简单、

紫外可见光谱在有机化合物结构分析的应用

摘要

关键词：紫外可见光谱 有机化合物 应用

引言：紫外和可见光谱是由分子吸收能量激发价电子或外层电子跃迁而产生的电子光谱。电子光谱的波长范围为10-800nm，该波段又可分为可见光区（400-800nm），有色物质在此吸收；近紫外区（200-400nm），芳香族化合物或具有共轭体系的物质在此区域有吸收；还有远紫外区（10-200nm）。与其他的光谱测定方法相比，紫外光谱具有仪器价格较低，操作简便的优点。紫外可见吸收光谱应用广泛，不仅可进行定量分析，还可利用吸收峰的特性进行定性分析和简单的结构分析，测定一些平衡常数、配合物配位比等；也可用于无机化合物和有机化合物的分析，对于常量、微量、多组分都可测定。因此，本文就详细阐述了紫外可见光谱在有机化合物结构测定的应用。

1基础知识：

发色团 亦称生色团，是指在一个分子中产生紫外吸收带的官能团，一般认为带有pai 电子的基团。有机化合物中常见的发色团有：羰基、硝基、双键，叁键以及芳环等。

助色团 有些原子或原子团单独在分子中存在时，吸收波长小于200nm，而于一定的发色团相连时，可以使发色团所产生的吸收峰位置红移，吸收强度增加，具有这种功能的原子或原子