广东工业大学半导体物理试卷

合肥工业大学

《半导体器件物理》试卷（一）标准答案及评分细则

一、填空（共32分，每空2分）

1、 PN扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。

2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对

于短沟道器件对VT的影响为下降，对于窄沟道器件对VT的影响为上升。

3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受V电压控制，其基极电流IB受V

电压控制。

4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是

寄生参数小，响应速度快等。

5、PN生雪崩击穿的条件为

6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因

有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。

二、简述（共18分，每小题6分）

1、Early

电压VA； 答案：

2、截止频率

fT；

答案：截止频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。

合肥工业大学

3、耗尽层宽度W。

答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，就会产生空间电荷区，而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。

三、分析（共20分，每小题10分）

1、对于PNP型BJT工作在正向有源区时载流子的输运情况；

答案

合肥工业大学

《半导体器件物理》试卷（一）标准答案及评分细则

一、填空（共32分，每空2分）

1、 PN扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。

2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对

于短沟道器件对VT的影响为下降，对于窄沟道器件对VT的影响为上升。

3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受V电压控制，其基极电流IB受V

电压控制。

4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是

寄生参数小，响应速度快等。

5、PN生雪崩击穿的条件为

6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因

有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。

二、简述（共18分，每小题6分）

1、Early

电压VA； 答案：

2、截止频率

fT；

答案：截止频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。

合肥工业大学

3、耗尽层宽度W。

答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，就会产生空间电荷区，而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。

三、分析（共20分，每小题10分）

1、对于PNP型BJT工作在正向有源区时载流子的输运情况；

答案

基本概念题：

第一章 半导体电子状态 1.1 半导体

通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带

晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。

1.2能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。 答：

能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系，从而系统地建立起该理论。

单电子近似：

将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似：

近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。

1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法 答案：

克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型，如下图所示

利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式，进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上是周期

招姓名

生人数

模具高速加工及

王成3 男

1964教授

博

大连理工大

CAD/CAM， 精密超精密加工理论、设备与工cywang@gdut.e13609649503

性出生别 年月

职称

学位

最高学历毕业院校、时间

主要研究方向（限填3

个）

email

电话

勇

.12

阎秋4 男

1962生 .8

教授

郭钟3 男 1957宁

.2

教授

魏昕

3 女

1964.9

教授

袁慧 1 女

1954副教.5 授

马平 2 男 1968.12

教授

傅惠3 男

1959南 .4

教授

张永2 男 1966 教授

俊 姜莉3 女

1956莉 .5

教授

李锻2 男

1958副教能 .3

授

高伟2 男

1964副教强

.8

授

士 学，1989

博

天津大学、

士 1990.4

博士

香港理工大学

博士

华南理工大学

大吉林工业大学 学，1977 博

南京航天航空

士 大学/96.4

博日本神户大学士 /1999

博南京航天航空士 大学/94

博莫斯科工业大士 学，1998

学1982年湖南大士 学本科

博“Stankin”士

莫斯科国立工业大学

具， 超硬材料及纳米du.cn

材料工具

磨削加工工艺、微细加qsyan@gdut.ed工、先进加工装备

u.

招姓名

生人数

模具高速加工及

王成3 男

1964教授

博

大连理工大

CAD/CAM， 精密超精密加工理论、设备与工cywang@gdut.e13609649503

性出生别 年月

职称

学位

最高学历毕业院校、时间

主要研究方向（限填3

个）

email

电话

勇

.12

阎秋4 男

1962生 .8

教授

郭钟3 男 1957宁

.2

教授

魏昕

3 女

1964.9

教授

袁慧 1 女

1954副教.5 授

马平 2 男 1968.12

教授

傅惠3 男

1959南 .4

教授

张永2 男 1966 教授

俊 姜莉3 女

1956莉 .5

教授

李锻2 男

1958副教能 .3

授

高伟2 男

1964副教强

.8

授

士 学，1989

博

天津大学、

士 1990.4

博士

香港理工大学

博士

华南理工大学

大吉林工业大学 学，1977 博

南京航天航空

士 大学/96.4

博日本神户大学士 /1999

博南京航天航空士 大学/94

博莫斯科工业大士 学，1998

学1982年湖南大士 学本科

博“Stankin”士

莫斯科国立工业大学

具， 超硬材料及纳米du.cn

材料工具

磨削加工工艺、微细加qsyan@gdut.ed工、先进加工装备

u.

招姓名

生人数

模具高速加工及

王成3 男

1964教授

博

大连理工大

CAD/CAM， 精密超精密加工理论、设备与工cywang@gdut.e13609649503

性出生别 年月

职称

学位

最高学历毕业院校、时间

主要研究方向（限填3

个）

email

电话

勇

.12

阎秋4 男

1962生 .8

教授

郭钟3 男 1957宁

.2

教授

魏昕

3 女

1964.9

教授

袁慧 1 女

1954副教.5 授

马平 2 男 1968.12

教授

傅惠3 男

1959南 .4

教授

张永2 男 1966 教授

俊 姜莉3 女

1956莉 .5

教授

李锻2 男

1958副教能 .3

授

高伟2 男

1964副教强

.8

授

士 学，1989

博

天津大学、

士 1990.4

博士

香港理工大学

博士

华南理工大学

大吉林工业大学 学，1977 博

南京航天航空

士 大学/96.4

博日本神户大学士 /1999

博南京航天航空士 大学/94

博莫斯科工业大士 学，1998

学1982年湖南大士 学本科

博“Stankin”士

莫斯科国立工业大学

具， 超硬材料及纳米du.cn

材料工具

磨削加工工艺、微细加qsyan@gdut.ed工、先进加工装备

u.

刑法分则

广东工业大学试卷用纸，共4页，第1页

刑法分则

10、背叛国家罪的主体只能是（）

A、中国公民 B、外国公民 C、无国籍人 D、外国组织

11、某甲从医院盗走李某的新生婴儿后，通知李某的家属拿2万元赎人，否则，去某地收尸。甲的行为构成（）

A．绑架罪 B．拐卖儿童罪 C．拐骗儿童罪 D．敲诈勒索罪

12、村长楼某见其妻与邻居李某（女）扭打在一起，将她们拉开以后，把李某拖回其娘家（系同村人），李某骂楼某是流氓。数日后，李某与其弟到县公安局控告楼某利用职权对其实施强奸。后经公安局调查，李某与其弟的控告纯属虚构。李某与其弟的行为构成（）

A．诽谤罪 B．侮辱罪 C．诬告陷害罪 D．报复陷害罪

13、破坏军婚罪所直接侵犯的客体是（）

A．现役军人的婚姻关系 B．一夫一妻制的婚姻制度 C．婚姻自由权利 D．现役军人的家庭幸福

14、乌老太已年近七旬，已失去独立生活能力。虽有一于，但其于有抚养能力而拒绝抚养。乌老太只得沿街乞讨，含愤自杀身亡。其于的行为构成（）

A．虐待罪 B．遗弃罪 C.过失致人死亡罪 D．故意杀人罪（间接故意）

15、邱某对洪某的一块高级手表垂涎已久。一日，邱某骗洪某说要给其介绍对象，让洪某请自己喝酒，趁机将洪某灌醉，然后将洪某搀扶到一僻静胡同，将

广东工业大学与____________________________

联合培养研究生协议书（模板）

甲方： 广东工业大学 乙方：

为进一步落实广东省教育厅关于促进联合培养研究生示范基地建设的有关精神，甲方与乙方就开展研究生，特别是全日制硕士专业学位研究生联合培养的有关事宜，经友好协商，达成如下协议，共同遵守履行：

一、组织机构与名称

（一）成立研究生联合培养协调小组，由双方的负责人、专家和管理人员组成，负责联合培养研究生工作的组织实施。

（二）在乙方设立研究生培养基地，名称为“广东工业大学?________________联合培养研究生示范基地”，由乙方提供学习场所及相关条件。

二、培养目标

乙方为研究生提供____________________________(多个专业领域用“、”隔开)专业实践平台，通过实践教学环节，使研究生能够进一步拓宽本领域的专业知识，成为具有较强的解决实际问题的能力，能够承担专业技术或管理工作、具有良好的职业素养的高层次应用型专门人才。

三、培养方式

研究生的培养实行校内外双导师制，校内外导师共同指导实践过程、项目研究、论文工作等多个培养环节。

四、培养

广东工业大学科学基金项目管理办法

（广工大科字[2002]3号，2002年6月28日颁布）

第一章 总 则

第一条 为了促进我校科研工作深人开展，加快学科建设和人才培养，加强基础性研究，提高学术水平，特设立广东工业大学科学基金,简称校科学基金。

第二条 校科学基金面向全校，分校青年科学基金和校博士启动基金。研究期限一般为l～2年。 第三条 校科学基金择优资助以下各方面的基础研究和应用研究中带基础性工作的项目： （一）有重要科学意义和重大应用前景，对我国科技、经济、社会发展有重大作用的研究项目。 （二）属于前沿学科、边缘学科、交叉学科并可望获得重大突破的项目。

（三）对我校重点学科建设、博士点和硕士点学科建设、重点实验室建设起促进作用的项目。 （四）经1～2年的预研究，可获得一定的研究基础，能提高申请高层次项目竞争力和命中率的项目。

（五）部分归国人员为扩大在国外取得成果需进行研究的项目。 第四条 校科学基金的经费来源 （一）学校科研事业费。 （二）学校科研发展基金。 （三）联合资助及其它资助。

第二章 校科学基金项目申请

第五条 校青年科学基金申请基本条件： （一）年龄在35周岁以下(含35周岁)。

（二）已取得硕士、博

天津工业大学硕士研究生入学考试业务课考试大纲（2015最新修订）

科目编号：815 科目名称：半导体集成电路 一、考试的总体要求

“半导体集成电路”是微电子技术专业的主干课程，全面系统地介绍半导体集成电路的基本原理、基本电路和基本分析方法。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。

这门课要求学生熟练掌握半导体集成电路的基础知识和基本电路模型、双极和MOS数字集成电路的特性，以及MOS模拟集成电路基础，使学生具有运用理论基础知识进行定性和定量分析具体电路的能力。 二、考试的内容及比例

1. 半导体集成电路的基础知识（占50分）

1）双极集成电路中的元件形成及其寄生效应：掌握双极集成电路的制造工

艺和埃伯斯－莫尔模型及其推导过程，理解集成双极晶体管的有源寄生效应。

2）MOS集成电路中的元件形成及其寄生效应：掌握MOSFET晶体管、CMOS

及Bi-CMOS集成电路的制造工艺，理解MOS集成电路中的有源寄生效应。 3）集成电路中的无源元件：理解集成电阻器和电容器以及互联线的作用，

了解电阻器和电容器的制作方法。 2. 数字集成电路的