电子技术基础检测题答案

第1部分 检测题

一、填空题：（每空0.5分，共25分）

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。

2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子

第1章 检测题 （共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分）

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。

2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电

第1单元 能力训练检测题

一、填空题

1、由二值变量所构成的因果关系称为 逻辑 关系。能够反映和处理 逻辑 关系的数学工具称为逻辑代数。

2、在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。

3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。在 逻辑 关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。

4、用来表示各种计数制数码个数的数称为 基数 ，同一数码在不同数位所代表的 权 不同。十进制计数各位的 基数 是10， 位权 是10的幂。

5、 8421 BCD码和 2421 码是有权码； 余3 码和 格雷 码是无权码。 6、 进位计数制 是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为 数 制。任意进制数转换为十进制数时，均采用 按位权展开求和 的方法。

7、十进制整数转换成二进制时采用 除2取余 法；十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整 法。

8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制，然后再根据转换 的 二进 数，按照 三个数码 一组转换成八进制；按 四个数码 一组转换成十六进制。

9、逻辑

第1单元 能力训练检测题

一、填空题

1、由二值变量所构成的因果关系称为 逻辑 关系。能够反映和处理 逻辑 关系的数学工具称为逻辑代数。

2、在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。

3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。在 逻辑 关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。

4、用来表示各种计数制数码个数的数称为 基数 ，同一数码在不同数位所代表的 权 不同。十进制计数各位的 基数 是10， 位权 是10的幂。

5、 8421 BCD码和 2421 码是有权码； 余3 码和 格雷 码是无权码。 6、 进位计数制 是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为 数 制。任意进制数转换为十进制数时，均采用 按位权展开求和 的方法。

7、十进制整数转换成二进制时采用 除2取余 法；十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整 法。

8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制，然后再根据转换 的 二进 数，按照 三个数码 一组转换成八进制；按 四个数码 一组转换成十六进制。

9、逻辑

一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。

2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的

扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。第1章 检测题 （共100分，120分钟）

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电

一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。

2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的

扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。第1章 检测题 （共100分，120分钟）

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电

一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。

2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的

扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。第1章 检测题 （共100分，120分钟）

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电

第1章 半导体二极管及其基本应用

1．1 填空题

1．半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。

3．PN结在 正偏 时导通 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。 5．整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。

7．光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。

1．2 单选题

1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随

）））））））） 第1章 检测题 （共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分）

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。

2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向

《电子技术基础》第一、二、三章检测题

一填空题1、晶体三极管具有电流放大作用的实质是利用 电流实现对 电流的控制。

2、结型场效应管是利用 电压来影响导电沟道，从而控制电流的大小；绝缘栅型场效应管的栅极电流Ic≈ ，输入电阻很 。

3、单相整流电路只能输出单相脉动电流，为了得到稳恒直流，需在整流电路后面加上__________电路。

4、50Hz单相半波整流电路的输出电压中的纹波电压频率为___________ 。 5、温度升高后，二极管的反向电流_____________ 。

6、能正常使用的普通三极管β和β接近________________ 。

7、在共射、共集、共基三种放大电路组态中，希望既能放大电压、又能放大电流，应选用___________组态；希望放大电压，工作又稳定，应选用___________组态。 8、用稳压二极管组成的简单稳压电路，稳压二极管一定要串联一个适当大小的________________。

9、共射放大器的集电极负载电阻增大时，其电压放大倍数_____________，但通频带______________。

10、为了保证功率