目前微电子工艺中常用的掺杂杂质有哪些

哈工大微电子工艺 掺杂工艺

微电子工艺(3)--定域掺杂工艺田丽

哈工大微电子工艺 掺杂工艺

第3章 扩散

扩散是微电子工艺中最基本的平面工艺， 在900-1200℃的高温，杂质(非杂质)气 氛中，杂质向衬底硅片的确定区域内扩散， 又称热扩散。目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导 体导电类型，电阻率，或形成PN结。2

哈工大微电子工艺 掺杂工艺

内容

3.1 杂质扩散机构3.2 扩散系数与扩散方程 3.3 扩散杂质的分布 3.4 影响杂质分布的其他因素 3.5 设备与工艺 3.6 扩散工艺的发展3

哈工大微电子工艺 掺杂工艺

3.1 杂质扩散机构

扩散是物质内质点运动的基本方式，当温度高于绝对 零度时，任何物系内的质点都在作热运动。 当物质内有梯度(化学位、浓度、应力梯度等)存在时， 由于热运动而触发(导致)的质点定向迁移即所谓的扩 散。因此，扩散是一种传质过程，宏观上表现出物质 的定向迁移。

扩散是一种自然现象，是微观粒子热运动的形式，结 果使其浓度趋于均匀。

哈工大微电子工艺 掺杂工艺

扩散的微观机制(a) 间隙式扩散(interstitial) (b) 替位式扩散(substitutional)

间隙扩散杂质：O, Au,Fe,Cu,Ni, Zn

语文中常用的表达方式有哪些？分别有什么作用？

表述特定内容所使用的特定的语言方法、手段，是表达方式。它是文章构成的一种形式要素。表达方式随语言表达的产生发展而逐步形成。现代写作学研究提出“表达方式”这一概念，延用至今.

1、记叙 2、描写 3、抒情 4、议论5、说明

一、记叙。记叙是写作中最基本、最常见的一种表达方式，它是作者对人物的经历和事件的发展变化过程以及场景、空间的转换所作的叙说和交代。在写事文章中应用较为广泛。

1、记叙的顺序一般可分为顺叙、倒叙、插叙三种。

（1）顺叙是写记叙文最常用、最基本的方法，一般是指按照事件发展的时间先后次序来叙述。

顺序作用：采用这种方法，能使文章的层次同事件发展的过程基本一致，就容易把事件记叙得有头有尾，脉络清晰。

顺叙的方法可分为以下几种：一是完全按时间顺序记叙，二是以地点的转换为序来叙述事件，三是以事情的内在逻辑联系为序来叙述事件。

（2）倒叙，是根据表达的需要，把事件的结局或某个最突出的片断提在前边叙述，然后再从事件的开头按原来的发展顺序进行叙述。

倒叙设置悬念，吸引兴趣，波澜起伏

（3）插叙，是在叙述中心事件的过程中，为了帮助展开情节或刻画人物，暂时中断叙述的线索，插入一段与主要情节相关的内容，然后再接着叙述原来的

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CRYSTAL GROWTH AND EXPITAXY

1．画出一50cm 长的单晶硅锭距离籽晶10cm 、20cm 、30cm 、40cm 、45cm 时砷的掺杂分布。（单晶硅锭从融体中拉出时，初始的掺杂浓度为1017cm -3）

2．硅的晶格常数为5.43?．假设为一硬球模型：

(a)计算硅原子的半径。

(b)确定硅原子的浓度为多少(单位为cm -3)?

(c)利用阿伏伽德罗(Avogadro)常数求出硅的密度。

3．假设有一l0kg 的纯硅融体，当硼掺杂的单晶硅锭生长到一半时，希望得到0.01 Ω·cm 的电阻率，则需要加总量是多少的硼去掺杂?

4．一直径200mm 、厚1mm 的硅晶片，含有5.41mg 的硼均匀分布在替代位置上，求： (a)硼的浓度为多少?

(b)硼原子间的平均距离。

5．用于柴可拉斯

CRYSTAL GROWTH AND EXPITAXY

1．画出一50cm长的单晶硅锭距离籽晶10cm、20cm、30cm、40cm、45cm时砷的掺杂分布。（单晶硅锭从融体中拉出时，初始的掺杂浓度为1017cm-3） 2．硅的晶格常数为5.43?．假设为一硬球模型： (a)计算硅原子的半径。

(b)确定硅原子的浓度为多少(单位为cm-3)?

(c)利用阿伏伽德罗(Avogadro)常数求出硅的密度。

3．假设有一l0kg的纯硅融体，当硼掺杂的单晶硅锭生长到一半时，希望得到0.01 Ω·cm的电阻率，则需要加总量是多少的硼去掺杂?

4．一直径200mm、厚1mm的硅晶片，含有5.41mg的硼均匀分布在替代位置上，求： (a)硼的浓度为多少?

(b)硼原子间的平均距离。

5．用于柴可拉斯基法的籽晶，通常先拉成一小直径(5.5mm)的狭窄颈以作为无位错生长的开始。如果硅的临界屈服强度为2×106g/cm2，试计算此籽晶可以支撑的200mm直径单晶硅锭的最大长度。

6．在利用柴可拉斯基法所生长的晶体中掺入硼原子，为何在尾端的硼原子浓度会比籽晶端的浓度高?

7．为何晶片中心的杂质浓度会比晶片周围的大?

8．对

任务驱动法、游戏教学法、讲授式教学法、情境式教学法、实践教学法、赏识教育法、因才施教法。

2、小学信息技术课堂教学中常用的教学方法有哪些？请你列举一种以上的教学流程图。发布者:黄雪燕发布日期:2010-11-19 15:18:14.0

《中小学信息技术课程指导纲要》指出：中小学信息技术课程的主要任务是：培养学生对信息技术的兴趣和意识，让学生了解和掌握信息技术基本知识和技能，了解信息技术的发展及其应用对人类日常生活和科学技术的深刻影响。通过信息技术课程使学生具有获取信息、传输信息、处理信息和应用信息的能力，教育学生正确认识和理解与信息技术相关的文化、伦理和社会等问题，负责任地使用信息技术；培养学生良好的信息素养，把信息技术作为支持终身学习和合作学习的手段，为适应信息社会的学习、工作和生活打下必要的基础。

信息技术作为小学一门新开设的学科，是实施素质教育最重要的学科之一。培养学生的自主学习能力和创新能力是信息技术课堂教学的重要组成部分。在美国的一个图书馆里曾有这样三句话：“我听见了就忘记了；我看见了就记住了；我做了就理解了。”由此可见在信息技术课堂中培养学生自主学习能力和操作能力的重要性。

据此，为完成《纲要》规定的任务，达到教学目

微电子工艺学模拟试题

题号 题分 得分

一、判断下列说法的正误，正确的在后面括号中划“√”，错误的在后面括号中划“×”（本大题共10小题，每小题2分，共20分）

1. 在微电子器件制造过程中，通过在硅片的有源区引入一些缺陷，以此吸除表面附近的杂质和

缺陷的过程，称为吸杂，包括非本征吸杂和本征吸杂两种方式。（ ）

2. 双极型器件要求用（111）晶向单晶，MOS器件和GaAs器件则选用（100）晶向材料。（ ） 3. 在热氧化过程的初始阶段，二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定，

处于线性氧化阶段。（ ）

4. 注入离子在非晶靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示，注入离子的剂量和能量越大，峰值

浓度越高。（ ）

5. 在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，

应该增大反应气体流量。（ ）

6. 溅射仅是离子对物体表面轰击时可能发生的四种物理过程之一，其中每种物理过程发生的几

率取决于入射离子的能量和剂量。（ ）

7. 外延生长过程中杂质的对流扩散效应，特别是高浓度一侧向异侧端的扩散，不仅使界面附近

浓度分布偏离了理想情况下的突变分布而形成缓变，且只有

目前控制糖尿病的药有哪些

一、目前控制糖尿病的药有哪些

1、减少或延缓碳水化物吸收的药:α-糖苷酶抑制剂,它能阻止多糖或双糖分解为葡萄糖,故可延缓葡萄糖的吸收而降低血糖,如阿卡波糖(拜糖平),副反应可引起腹胀、腹痛、腹泻等。

2、胰岛素增敏剂:噻唑烷二酮类能提高人体对胰岛素的敏感性,改善胰岛素的抵抗,如罗格列酮(文迪雅),早餐前服,可与磺脲类、双胍类、胰岛素合用。

3、磺脲类:第一代的已很少用,如D860。第二代有格列本脲(商品名优降糖)、格列齐特(又名达美康)、格列吡嗪(又称美吡达)、格列喹酮(糖适平)、格列波脲(克糖利)等,其中除糖适平仅5%由肾脏排泄外,其他几种90%由肾脏排出。新一代磺脲类为格列美脲,它不仅促进胰岛素分泌,又能增强机体组织对胰岛素的敏感性,服用简单,每日只需服药一次,能控制24小时血糖,且很少发生低血糖。

4、非磺脲类:瑞格列奈(商品名诺和龙),又称“膳食葡萄糖调节剂”,是一种强有力的促胰岛素分泌剂,能刺激胰岛素快速释放,它的特点是吸收快,起效快,代谢排泄快,进食服药,不进食不服药,发生低血糖机会少,可与二甲双胍合用,但不能与磺脲类合用。 5、二甲双胍:双胍类药物可促进组织对葡萄糖的利用,改善机体对胰岛素的敏感性。 二

学院 姓名 学号 任课老师 考场教室__________选课号/座位号

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学2010 - 2011学年第 二 学期期 末 考试 B 卷

课程名称：微电子工艺 考试形式： 开卷 考试日期： 20 年 月 日 考试时长：120 分钟 课程成绩构成：平时 10 %， 期中 %， 实验 %， 期末 90 % 本试卷试题由 三 部分构成，共 4 页。

题号 得分 得 分 一、简答题（共72分，共 12题，每题6 分）

1、 名词解释：集成电路、芯片的关键尺寸以及摩尔定律

集成电路：多个电子元件，如电阻、电容、二极管和三极管等集成在基片上形成的具有确定芯片功能的电路。

关键尺寸：硅片上的最小特征尺寸

摩尔定律：每隔12个月到18个月，芯片上集成的晶体管数目增加一倍，性能增加一倍

2、 MOS器件中使用什么晶面方向的硅片，双极型器件呢？请分别给出原因。

MOS：<100> Si/SiO2界面态密度低；双极：

关于从事电子半导体行业常用名词解释

微电子工艺名词解释集

作者：不详 来源：转载 发布时间：2008-7-15 7:25:07

影响工厂成本的主要因素有哪些？

答：Direct Material 直接材料,例如:蕊片 Indirect Material间接材料,例如气体 Labor人力 Fixed Manufacturing机器折旧,维修,研究费用 等 Production Support其它相关单位所花费的费用

在FAB内，间接物料指哪些？

答：Gas 气体 Chemical 酸,碱化学液 PHOTO Chemical 光阻,显影液 Slurry 研磨液 Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad & Disk 研磨垫 Container 晶舟盒(用来放蕊片) Control Wafer 控片 Test Wafe r测试,实验用的蕊片

什幺是变动成本(Variable Cost)?

答：成本随生产量之增减而增减.例如:直接材料,间接材料

什幺是固定成本(Fixed Cost)?

答：此种成本与产量无关,而与每一期间保持一固定数额.例如:设备租金,房屋折旧及檵器折旧

Yield(良率)会影响成本吗?如何影响?

答：Fab yield= 若无报

单层掺杂的一维光子晶体光子杂质模的特性

西北大学学报(自然科学网络版) 2004年11月，第2卷，第11期

Science Journal of Northwest University Online Nov. 2004，Vol.2，No. 11

单层掺杂的一维光子晶体光子杂质模的特性

陈慰宗，付灵丽

（西北大学 物理学系，陕西 西安 710069）

摘要：阐述了掺杂光子晶体和光子杂质模的概念，采用光学特征矩阵方法，通过数值模拟计算讨论了杂质层对光子杂质模特性的影响。计算结果表明，杂质层在一维光子晶体中的位置和杂质层折射率的变化可以极大地改变光子杂质模的透射率、带宽和品质因子。因此，对于具有一定特性的杂质模的光子晶体，其结构参数都有一个最佳的设计方案。

关 键 词：一维光子晶体；杂质层；光子杂质模；特性

中图分类号：O 482.3 文献标识码：A 文章编号：1000-274X(2004)0108-6

在20世纪，由于半导体材料和大规模集成电路的出现，使科学技术获得了突飞猛进地发展。但是，随着电路集成度和处理速度的提高，出现了许多新的、难以解决的问题。于是，科学家们开始专注于光子技术的研究，希