电子技术基础试卷答案
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电子技术基础试卷
2014—2015学年第一学期期末考试卷
科目：《电子技术基础》
班级 13-3 姓名 学号
题目 一 二 三 四 五 总分 成绩
一 、选择题（每小题2分，共40分）
1. 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管 。 A.立即导通 B.到0.3V才开始导通 C.超过死区电压时才开始导通 2. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到 硅二极管的负极，则该管 。
A.基本正常 B.将被击穿 C.将被烧坏
3. 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于 。 A.很小的电阻 B.很大的电阻 C.断路
4.某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压 。 A.约等于150V B.略大于150V C.等于75V 5. 当环境温度升高时，二极管的反向电流将 。 A.增大 B.减小
电子技术基础试卷
2014—2015学年第一学期期末考试卷
科目：《电子技术基础》
班级 13-3 姓名 学号
题目 一 二 三 四 五 总分 成绩
一 、选择题（每小题2分，共40分）
1. 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管 。 A.立即导通 B.到0.3V才开始导通 C.超过死区电压时才开始导通 2. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到 硅二极管的负极，则该管 。
A.基本正常 B.将被击穿 C.将被烧坏
3. 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于 。 A.很小的电阻 B.很大的电阻 C.断路
4.某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压 。 A.约等于150V B.略大于150V C.等于75V 5. 当环境温度升高时，二极管的反向电流将 。 A.增大 B.减小
模拟电子技术基础试卷3答案
一、填空题（请将答案填在相应的答题线上。每空2分，共22分）
1．在本征半导体中加入 三 价元素可以形成P型半导体。
2．场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的，所以它是 电压 控型器件。 3．电路如图1-1所示，设二极管导通电压UD?0.7V，则该电路的输出电压值U? 0 V。 4．电路如图1-2所回示，则该电路输出电压uO与输入电压uI的关系为 uO???1RC?udt 。
I5．已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示，则其中频电压放大倍数|Aum|为 100 ，电路的上限频率fH? 105 Hz。
20lg|Au|/dB?C40uID2VRA30uO20100RU
R'
100101102103104105106f/Hz
图1-1 图1-2 图1-3
6．按照滤波电路的工作频率，阻止某一频率范围的信号，频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均能通过的滤波器称为 带阻
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案
一、填空（18分）
1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V，经过电容滤波后为 12 V，二极管所承受的最大反向电压为 14 V。 3．差分放大电路，若两个输入信号uI1uI2，则输出电压，uO 0 ；若u I1=100?V，u I 2=80?V则差模输入电压uId=20?V；共模输入电压uIc=90 ?V。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。
5．若三级放大电路中Au1Au2，Au3，则其总电压增益为 80 dB，折合为 104 倍。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ 0 、静态时的电源功耗PDC 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出
电工电子技术基础试卷
专业 专业 姓名 姓名 题班级 答班级 要日期 不日期 内 线封密第一学期期末试卷机电专业电工电子技术基础试题
注 意 事 项
1.首先按要求在试卷的密封处填写您的专业、姓名、班级和考试日期。 2.请仔细阅读试卷，按要求在规定的位置答题。
3.不要在试卷上乱写乱画，不要在标封区写无关的内容。 4.满分100分，时间90分钟。 题 号 一 二 三 四 五 六 总 分 评 分 人 分 数 得 分 评分人 一、填空题（每空0.5分，共15分） 1、已知i?1002sin(314t??6)A，则它的角频率、
有效值、初相角分别为________、_________、__________。
2、一个纯电感线圈接在直流电源上，其感抗为________，电路相当于__________状态。 3、对称三相正弦电压是频率 ；振幅 ；相位上彼此互差 的三个正弦电压
4、有功功率用字母 表示，单位为 ；无功功率用字母 表示，单位为 ；视在功率用字母 表示，单位为 。
5、三相电源相线与中
电工电子技术基础试卷
专业 专业 姓名 姓名 题班级 答班级 要日期 不日期 内 线封密第一学期期末试卷机电专业电工电子技术基础试题
注 意 事 项
1.首先按要求在试卷的密封处填写您的专业、姓名、班级和考试日期。 2.请仔细阅读试卷，按要求在规定的位置答题。
3.不要在试卷上乱写乱画，不要在标封区写无关的内容。 4.满分100分，时间90分钟。 题 号 一 二 三 四 五 六 总 分 评 分 人 分 数 得 分 评分人 一、填空题（每空0.5分，共15分） 1、已知i?1002sin(314t??6)A，则它的角频率、
有效值、初相角分别为________、_________、__________。
2、一个纯电感线圈接在直流电源上，其感抗为________，电路相当于__________状态。 3、对称三相正弦电压是频率 ；振幅 ；相位上彼此互差 的三个正弦电压
4、有功功率用字母 表示，单位为 ；无功功率用字母 表示，单位为 ；视在功率用字母 表示，单位为 。
5、三相电源相线与中
《模拟电子技术基础》试卷
成都理工大学
《模拟电子技术基础》重考试卷
大题 得分 一 二 三 四 五 总 分
一、 选择填空（本大题共13小题，每小题2分，共26分） 1、处于反向偏置时，PN结的耗尽层（ ）。
（a）变宽 （b）变窄 （c）不变
2、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
(a)正、反向电阻相等 (b)正向电阻大，反向电阻小 (c)反向电阻比正向电阻大很多倍 (d)正、反向电阻都等于无穷大
3、测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、0.7V和4.7V，则该管为（ ）。
(a)NPN型锗管 (b)PNP型锗管 (c)NPN型硅管 (d)PNP型硅管
4、电路如图所示，静态时晶体管处于（ ）。
RC
(a)饱和状态 (b)放大状态 (c)截止状态
?T
RB5、整流滤波电路中，电容C不变，负载电阻RL愈小，则
输出电压平均值UO应（ ）。
(a)不变 (b)愈
数字电子技术基础试卷及答案1
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1数字电子技术基础
一．1．（1５分）
试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。
A B1 L1 &?1&X2 X1 1 A B 0Rd Q D CP Q L4 L2 1EN A L3A B C 1EN X1 J CP K Q L5 Q
二．（15分）
已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。
八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=ΣmiDi,其中mi是S2S1S0最小项。
F M2 M1 FM2 S2 Y M1 S1 74LS151 0 0 1 0A S0 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 1 01 0 1 1 0 B & 1
三．（8分）
试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A（A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分）
试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。
答案参见我的新浪博客：http
《数字电子技术基础》期末试卷(A)答案
《数字电子技术基础》期末试卷（A）答案 姓名： 学号： 专业班级： 总成绩： 一、客观题： 请选择正确答案，将其代号填入（ ）内；（本大题共10小题，每空2分，共20分）
⒈ 当某种门的输入全部为高电平，而使输出也为高电平者，则这种门将是：
A．与非门及或非门； B．与门及或门； C．或门及异或门； D．与门及或非门． （ B ）
⒉ 在如下所列4种门电路中，与图示非门相等效的电路是：（ B ）
⒊ 已知应是：（ B ）
A．恒等； B．反演； C．对偶； D．不确定． ⒋ 若两个逻辑函数恒等，则它们必然具有唯一的：（
，则函数F和H的关系，
A）
A．真值表； B．逻辑表达式； C．电路图； D．逻辑图形符号．
⒌ 一逻辑函数的最小项之和的标准形式，它的特点是：（ C）
A．项数最少； B．每个乘积项的变量数最少； C．每个乘积项中，每种变量或其反变量只出现一次； D．每个乘积项相应的数值最小，故名最小项． ⒍ 双向数据总线可以采用（ B ）
电子技术基础习题答案
）））））））） 第1章 检测题 （共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分）
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。
2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ，有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向