拉晶工艺视频

拉 晶 工 艺 指 导 书

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一、有关说明 （一）、

晶体直径

坩埚转动（连续可调） 液压缸行程 加热功率 - 加热电压 - 加热电流 熔化温度

主炉室真空泵抽速 - 滑阀泵(主泵) - 旋片泵(副泵) 冷态空炉子的极限真空度 冷态炉子的泄漏率（压升法）允许工作正压

不带泵和走道的空间要求 总设备高度 外围设施

- 冷却水消耗量 - 冷却水压力

绝对压力 冷却水回水压力 - 绝对压力

- 冷却水进水温度

1

最大 最大 最大 大约 大约 最大 最小 最小

最大

最大 最小

最大

1 - 30 rpm

140 kW

0 – 60 Volt 2,300 Amp 1,600 °C

70 l/s 15 l/s

≤ 3 Pa

0.3 Pa/min 20 m3/min 1.5 kg/cm2 2.0 kg/c 1.5 kg/cm2

20 °C 25 °C

冷却水质

拉晶操作实战手册

此文，是由本人在几年来的一线生产实践中，对生产各环节的总结及一些操

作上的技巧。实属个人经验，不一定正确，尽供参考。

拆 炉

拆炉的具体操作步骤见操作规程。

需要注意的是，在快到拆炉时间时，要先将准备放单晶的托架、垫接晶体的木版、装埚底料的盆及垫在盆下的物品、石棉手套、线手套、剪断籽晶用的钳子（擦干净钳口）等必须物品准备好，放在车上或附近。这样，可以节省拆炉的时间，避免在等晶体已经下降后在手忙脚乱的去找东西。

在拆炉时间前几分钟（例如前１０分钟），充氩气到炉内一个大气压或微正压，然后升晶体进付室。晶体进付室后，要通过观察窗，用电筒照一下，看晶体是否真的完全进入付室，关翻板阀能否碰到晶体。如果确认无误，随手关上隔离阀。 在这个过程中呢，首先说用氩气将炉内充满而没建议用空气充。虽然用空气充，可以节省一些氩气，但空气充，还有如下弊端：充空气使用的是放气阀，各炉型的放气阀一般都是开在付室。当晶体在主室内没有升到付室前充气，那么进气口对的是钢丝绳或重锤等，如果，进气量控制不好，势必将钢丝绳（或重锤）吹的晃动，带动晶体一起晃动。这时，引晶的部分、籽晶

卉欣光电

拉晶工基本操作步骤

一)拉晶的基本操作分为13个步骤,如下:

1系统启动 2清炉 3装料 4抽空检漏 5化料 6全熔稳定 7引晶缩颈 8放肩 9转肩 10等径 11收尾 12停炉及热后真空检漏 13拆炉

二)具体明操作

?系统启动

在系统启动时先通知机修工送电,待通电后打开控制柜电源并通知机修工检查单晶炉冷却水循环系统及氩气是否可以正常使用.打开控制柜电源后检查晶体转动升降和坩埚转动升降是否正常使用以及晶体上升及下降限位,坩埚上升及下降限位是否也调好.检查石墨件和籽晶钢丝绳重锤,钼拉头是否齐全 ?清炉

① 将炉内石墨件完好的取出

② 用砂纸和酒精纸将炉底打磨擦试干净 ③ 将真空泵抽空管道清理干净

④ 将石墨件用砂纸打磨用究竟纸擦试干净 ⑤ 按照取出的顺序反向依次安装

注:炉底铜电极和石墨电极及加热器在安装时一定要清理干净避免打火.

三)装料

①将备好的料检查好后用装料车拖至需安装料的炉前 ②将托杆螺丝紧好 ③将炉底用吸尘器吸干净

④通知师傅检查石英坩埚及石墨件 ⑤装料时将母合金先放置在石英坩埚底部

⑥将大块料轻轻地放在底部排放整齐，尽量不要有太大的间隙，中块料及小块料用来填补间隙

⑦在装到石英坩埚顶部时放下去的料与石英坩埚接触面尽量

拉晶操作实战手册

此文，是由本人在几年来的一线生产实践中，对生产各环节的总结及一些操

作上的技巧。实属个人经验，不一定正确，尽供参考。

拆 炉

拆炉的具体操作步骤见操作规程。

需要注意的是，在快到拆炉时间时，要先将准备放单晶的托架、垫接晶体的木版、装埚底料的盆及垫在盆下的物品、石棉手套、线手套、剪断籽晶用的钳子（擦干净钳口）等必须物品准备好，放在车上或附近。这样，可以节省拆炉的时间，避免在等晶体已经下降后在手忙脚乱的去找东西。

在拆炉时间前几分钟（例如前１０分钟），充氩气到炉内一个大气压或微正压，然后升晶体进付室。晶体进付室后，要通过观察窗，用电筒照一下，看晶体是否真的完全进入付室，关翻板阀能否碰到晶体。如果确认无误，随手关上隔离阀。 在这个过程中呢，首先说用氩气将炉内充满而没建议用空气充。虽然用空气充，可以节省一些氩气，但空气充，还有如下弊端：充空气使用的是放气阀，各炉型的放气阀一般都是开在付室。当晶体在主室内没有升到付室前充气，那么进气口对的是钢丝绳或重锤等，如果，进气量控制不好，势必将钢丝绳（或重锤）吹的晃动，带动晶体一起晃动。这时，引晶的部分、籽晶

零基础一周学会PIC单片机视频教程

（爱晶电子创新PIC单片机视频教程）

恭喜您，找到了这套非常精彩的PIC单片机视频教程！45课时的高清视频教程、全程手把手教学、 程序逐条讲解、摄像头实时拍摄实验效果、 课后练习、网上答疑教室，让你真正快速入门！

本视频教程由王伟民老师主讲，王老师曾在05年参加国内电子设计业权威杂志《电子设计技术China》与美国Microchip公司联合举办的“start now PIC单片机设计竞赛”，获得亚太区唯一的特等奖，他长期从事PIC单片机的开发和教学，具有丰富的实践经验，其讲课风格非常类似于“百家讲坛”，擅长用最通俗和最具趣味性的语言讲解复杂的单片机原理和术语，大多数初学者看了第一讲以后，就会被深深地吸引住，因为这套教程从一开始就给了你全新的体验——你似乎不是在听课，而是在听王老师讲故事，你完全不会再有“学单片机枯燥”的感觉，相反，你会觉得学单片机其实是世界上最有趣的事情。

学习采用对初学者最有效的“手把手”教学方式，从最基本的0、1开始，手把手地教你逐条写出语句，并为你逐条讲解，即使你没有任何基础，对单片机和C语言一概不懂，也没有关系，只要你识中文、会四则运算，就能跟着王老师轻松学会PIC单片机。

整个过程

摘要

乙烯基酯树脂拉挤工艺（简称VER Pultrusion Process）是国内外近年来迅速发展的一种低成本高品质复合材料制造技术，其制品以独特的性能而被广泛应用于结构、防腐、电力、建筑等诸多领域。但对其工艺的研究论文少见发表，有些VER拉挤产品性能也名不符实，本文依此而立。

本文在拉挤工艺共性理论的指导下，通过对VER分子结构及其固化行为的分析，采用“特殊”SPI凝胶试验法，在大量试验的基础上确定VER拉挤配方初型和最佳成型温度区域，再通过10mm棒在线试验，以“性能容忍速度”恒大于等于“工作效率容忍速度”作为指标来确定其工艺参数，并通过成型物中心温度在线测量对配方及工艺参数的合理性进行验证。并在前人大量工作的基础上对VER拉挤工艺过程进行了数值模拟。通过用户委托产品验证，本文配方和工艺参数设计过程及结论对VER拉挤工艺具有一定的指导作用。

1. 模具温度设置采用前低后高对VER拉挤工艺来说是合理的，与VER固化过程的先快后慢相对应。

2. 每一树脂配方体系都有最佳成型温度区域，并不是越高越好，在某一温度范围内体系的反应速率并不是温度的增函数。

3. 为了提高VER的拉挤速度，固化剂的总量在UPR的基础上提高一个百分点是可行的

晶圆（Wafer） 制程工藝學習

晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分 解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解 后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8吋 硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料 晶圆片。

光 学 显 影

光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻 下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、 曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率，更在 IC 制程的进步上，扮演着 最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为 黄光区。

干 式 蚀 刻 技 术

在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。

电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带

拉深件工艺性的好坏，直接影响到该零件能否用拉深方法生产出来，影响到零件的质量、成本和生产周期等等。一个工艺性好的拉深件，不仅能满足产品的使用要求，同时也能够用最简单、最经济和最快的方法生产出来。

1．对拉深件外形尺寸的要求

设计拉深件时应尽量减少其高度，使其可能用一次或两次拉深工序来完成。对于各种形状的拉深件，用一次工序可制成的条件为：

(1) 圆筒件一次拉成的高度见表 4.5.1 。

(2) 对于盒形件一次制成的条件为：当盒形件角部的圆角半径

r=(0.05～0.20)B( 式中 B 为盒形件的短边宽度 ) 时，拉深件高度 h<( 0.3～0.8 )B 。

(3) 对于凸缘件一次制成的条件为：零件的圆筒形部分直径与毛坯的比值d/D ≥ 0.4 。

表 4.5.1 一次拉深的极限高度

2．对拉深件形状的要求

(1) 设计拉深件时，应明确注明必须保证的是外形还是内形，不能同时标往内外形尺寸。

(2) 尽量避免采用非常复杂的和非对称的拉深件。对半敞开的或非对称的空心件，应能组合成对进行拉深，然后将其切成两个或多个零件 (图 4.5.1) 。

(3) 拉深复杂外形的空心件时，要考虑工序间毛坯定位的工艺基准。

(4) 在凸缘面上有下凹的拉深件 (图 4.5.2) ，如下凹的轴线与拉深方向一致，可以拉出。

生 产 工 艺 规 程

品 名：奥美拉唑肠溶胶囊 规 格： 20mg 制 定 人： 审 核 人： 审 核 人： 批 准 人： 文件编号：F-15010-02

剂 型： 胶囊剂 制定日期： 年 月 日 审核日期： 年 月 日 审核日期： 年 月 日 批准日期： 年 月 日 生效日期： 年 月 日 扬 子 江 药 业 集 团 有 限 公 司

一、产品概述

消化性溃疡病是一种常见病、多发病，发病率约占人口总数的10%。目前消化道溃疡治疗药主要有质子泵抑制剂（奥美拉唑等）、H2受体拮抗剂（雷尼替丁等）、胃粘膜保护剂（铋剂）、抗酸剂（氢氧化铝）。目前国内使用最广泛的质子泵抑制剂为奥美拉唑，销售额占据胃肠道溃疡治疗用药的首位。奥美拉唑（Omeprazole，Omep）是瑞典Hassle公司于1979年首次合成的苯并咪唑衍生物，与现有的抗消化性溃疡药相比，具有明显的优势。

奥美拉唑肠溶胶囊适用于胃溃疡、十二指肠溃疡、应激性溃疡、反流性食管炎和卓-艾综合征（胃泌素瘤）。本品为脂溶性弱碱性药物，易浓集于酸性环境中，因此口服后可特异地分布于胃粘膜壁细胞的分泌小管中，并在此高酸

非晶合金工艺技术专题

点击数： 641 更新时间：2006-4-11 本专题收费：2200元(获得以下全部内容)。欢迎选择购买,点这查看收费标准。

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非晶合金 发明专利(150条) 实用新型(21条) 记录号 申请号 专利名称

1 200410010791.2 一种大块非晶合金成分的设计方法 2 200410029900.5 高温非晶、微晶软磁合金

3 02819813.1 形成具有高弹性极限的非晶态合金模制品的方法 4 03133804.6 一类具有等原子比成分特征的多组元非晶态合金

5 02821591.5 改良块体凝固非晶态合金组合物的方法及由其制得的铸造制品 6 03133630.2 一种大块非晶合金纳米化方法

7 200410053252.7 一种块体非晶纳米晶双相复合软磁合金

8 03124792.X 电沉积钨基系列非晶合金镀层或纳米晶合金镀层及所使用的电镀液和工艺 9 200410020899.X Cu基Cu-Zr-Ti系块体非晶合金

10 03133944.1 一种高热稳定性铝基非晶合