武汉科技大学2006数学分析答案
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2004年西安建筑科技大学数学分析试题
2004年西安建筑科技大学数学分析试题
1 (15分)已知lim2
x1tx?atedt=1,求常数a,b的值. ??2x?0bxsinx?0(15分)设a?0,x1>0,为任意常数,xn?1??2xn?证明:数列{xn}的极限存在,并求出极限.
1?3?a?,?(n=1,2,3,……)
xn2?3 (15分)设函数f?x?在?a,b?上连续,在?a,b?内可导,且ab?0,证明:至
少存在一点???a,b?,使得下式成立.f?????f?????af?b??bf?a?
a?b4 (15分)设函数f?x?在?a,b?上具有二阶导数,且f???x??0,证明:
1b1fxdx??f?a??f?b?????. b?a?a2?1?axsin,????x?0?5 (15分)已知函数f?x???,讨论f?x?,??(a为任意实数)x??0,??????????????x?0f??x?在点x?0的连续性.
6 (15分)确定参数?的值,使得在不经过直线y?0的区域上,线积分
I??x?x?y22??Cydx?x2?x2?y22??ydy与积分路径无关,并求当C为从A?1,1?到B?0,2?时I的值. 7 (15分)求幂级数?nnx的收敛域,并求其和函数.
n?1
2022年河南科技大学数学与统计学院636数学分析之数学分析考研强
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第 1 页,共 32 页
目录
2018年河南科技大学数学与统计学院636数学分析之数学分析考研强化五套模拟题(一) (2)
2018年河南科技大学数学与统计学院636数学分析之数学分析考研强化五套模拟题(二) (8)
2018年河南科技大学数学与统计学院636数学分析之数学分析考研强化五套模拟题(三).. 13
2018年河南科技大学数学与统计学院636数学分析之数学分析考研强化五套模拟题(四).. 22
2018年河南科技大学数学与统计学院636数学分析之数学分析考研强化五套模拟题(五).. 27
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2018年河南科技大学数学与统计学院636数学分析之数学分析考研强化五套模拟题
(一)
说明:根据本校该考试科目历年考研命题规律,结合出题侧重点和难度,精心整理编写。考研强化检测使用。共五套强化模拟题,均含有详细答案解析,考研强化复习必备精品资料。
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一、证明题
1. 若在区间I 上,对任何正整数n ,
证明:当在I 上一致收敛时,级数在I 上也一致收敛.
【答案】因为在I 上一
2008年华中科技大学考研数学分析真题答案 2
2008年华中科技大学招收硕士研究生.
入学考试自命题试题数学分析
1111一、 求极限I?lim(1???...?)n
n??23n解: 一方面显然I?1
1111另一方面1???...??n,且limnn?1
n??23n由迫敛性可知I?1。
1nn??注:limn?1可用如下两种方式证明 1) 令nn?1?hn,则n?(1?hn)n?1?即limhn?0,从而limn?1
n??n(n?1)222hn?hn?(n?2) 2n1nn??2) 由nn?n234nn?1。 ...有limnn?limn??n??n?1123n?1二、证明(3x2y?8xy2)dx?(x3?8x2y?12yey)dy为某个函数的全微分,并求它的原函数。
证明:记P(x,y)?3x2y?8xy2,Q(x,y)?x3?8x2y?12yey,则
?P?P?Q?Q?3x2?16xy??3x2?16xy,? ?x?y?y?x?Pdx?Qdy是某个函数的全微分
设原函数为?(x,y),则d???xdx??ydy?Pdx?Qdy
??x?3x2y?8xy2??(x,y)?x3y?4x2y2??(y)
??y?x3?8x2y???(y)?x3?8x2y?12yey ??
2018年武汉科技大学理学院840数学分析考研冲刺五套模拟题
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2018年武汉科技大学理学院840数学分析考研冲刺五套模拟题(一) (2)
2018年武汉科技大学理学院840数学分析考研冲刺五套模拟题(二) (8)
2018年武汉科技大学理学院840数学分析考研冲刺五套模拟题(三) (14)
2018年武汉科技大学理学院840数学分析考研冲刺五套模拟题(四) (19)
2018年武汉科技大学理学院840数学分析考研冲刺五套模拟题(五) (23)
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2018年武汉科技大学理学院840数学分析考研冲刺五套模拟题(一)
说明:根据本校该考试科目历年考研命题规律,结合考试侧重点和难度,精心整理编写。考研冲刺模考使用。共五套冲刺预模拟预测题,均有详细答案解析,考研冲刺必备资料。
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一、计算题
1. 应用高斯公式计算三重积分
,
其中V 是由与
所确定的空间区域.
【答案】
2. 在指定区间内把下列函数展开成傅里叶级数:
(1) (2) (3)
【答案】(1)(i )f (x )及其周期延拓的图像如图1所示,
图1
显然f (x )在
武汉科技大学排版例子
学校代码:10488 学 号:ⅹⅹⅹ
硕 士 学 位 论 文
题 目 企业文化对员工关系的影响研究 专 业 研究方向 论文类型 姓 名 校内导师 企业导师
定稿日期: 二00二年十月十日
※※※※※※※※※ ※※※※※※※※※
专题研究 李秀斌 ※※※教授 ※※※高工
武汉科技大学硕士论文 第I页
武汉科技大学
研究生学位论文创新性声明
本人郑重声明:所呈交的学位论文是本人在导师指导下,独立进行研究所取得的成果。除了文中已经注明引用的内容或属合作研究共同完成的工作外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。
申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切相关责任。
论文作者签名: 日期:
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2018年西安电子科技大学数学与统计学院601数学分析之数学分析考研仿真模拟五套题
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2018年西安电子科技大学数学与统计学院601数学分析之数学分析考研仿真模拟五套题(一)
.......................................................................................................................................... 2 2018年西安电子科技大学数学与统计学院601数学分析之数学分析考研仿真模拟五套题(二)
.......................................................................................................................................... 7 2018年西安电子科技大学数学与统计学院601数学分析之数学分析考研仿真模拟五套题(三)
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武汉科技大学冶金概论试卷及答案
武汉科技大学冶金概论
试卷及答案
TPMK standardization office【 TPMK5AB- TPMK08- TPMK2C- TPMK18】
模拟试题一
一选择题
1.高炉生产的产品有:
A)生铁 B)炉渣 C)高炉煤气 D)炉尘
2.高炉干式除尘的方法有:
A)文氏管 B)布袋除尘 C)电除尘 D)洗涤塔
3.高炉内对煤气阻力最大的区域为:
A)块状带 B)滴落带 C)软熔带 D)风口回旋区
4.炼钢过程的主要反应是:
A)碳的氧化 B)硅的氧化 C)锰的氧化 D)磷的氧化5.常用的氧枪喷头类型为:
A)直孔型 B)拉瓦尔型 C)螺旋型 D)扇型
6.炼钢终点控制主要控制:
A)钢水成分 B)钢水温度 C)冶炼时间 D)终渣量7.碱性电弧炉炼钢按工艺方法可分为:
A)双渣留渣法 B)返回吹氧法 C)氧化法 D)不氧化法
8.氧枪的常用冷却保护介质为:
A)水 B)气态碳氢化合物 C)燃料油 D)植物油
9.采用顶吹氧底复合吹炼时,底部吹入的可能是:
A)N2 B)Ar C)O2 D)H2
10高炉中配加焦炭
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数学分析答案
第2,3,11章 习题解答
习题2-1
1. 若自然数n不是完全平方数.证明n是无理数. 证明 反证法. 假若n?pq(p,q?N,且p,q互质),于是由nq2?p2可知,q2是
p2的因子,从而得q2?1即p2?n,这与假设矛盾.
2. 设a,b是两个不同实数.证明在a和b之间一定存在有理数.
证明 不妨设a 1 mm综上可得 na nn3. 设x为无理数.证明存在无穷多个有理数 pq(p,q为整数,q?0)使得x?pq?1q2. 证明 反证法. 假若只有有限个有理数满足不等式,即 x?令 piqi< 1qi2 , (i?1,2,3?,m) ??p??min?x?ii?1,2,3,?,m? qi??取 N:N?1, 且选取整数p,q(0?q?N), 使得 ?p111, x??N?2 qqqNp1??N???, qqq qx?p?但因q是正整数,故又有x?从而可知 习题2-2 ppi? (i?1,2,3,?m), 这与假设矛盾. qqi1.求下列数集的上、下确界. (1)?1???1??1? n?N?, (2)?(1?)nn?N?,
武汉科技大学电子技术习题
第6章第1次 专业 学号 2009 姓名 一、填空题
1.变压器的主要功能有变换、变换和变换。 2.稳压二极管稳压工作时,是工作在其特性曲线的区。 3.稳压管是利用特性来稳压的,正向稳压。
4.在电子线路和自动控制系统中,常需要稳定的直流电压,直流稳压电源主要由、 整流 、 滤波 和 稳压 四部分电路组成。
5.电路如图1所示,二极管为理想元件,已知交流电压表V1的读数为100V,负载电阻RL=1 k ,开关S断开时直流电压表V2 =,电流表A=;开关S闭合时直流电压表V2 =,电流表A=。
图1
二、选择题
1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的( A )。
A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 2.稳压管电路如图2所示,稳压管DZ1的稳定电压UZ1 12V,DZ2的稳定电压为
。 UZ2 6V,则电压U0等于( C )
A.12 V B.20 V C.6 V D.
0 V
图2