蓝宝石衬底和硅衬底比较

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蓝宝石衬底介绍

标签:文库时间:2025-01-29
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蓝宝石衬底介绍

LED用衬底材料一般有蓝宝石衬底,碳化硅衬底及硅衬底三种,其中蓝宝石衬底应用最广泛,因为其加工方法以及加工成本等与其他两种相比较都有不小的优势。虽说在晶格匹配上面是氮化镓衬底砷化镓衬底最为匹配,但其生产加工方法要比碳化硅及硅等都更难上加难。

当前用于GaN基LED的衬底材料比较多,但是能用于商品化的衬底目前只有两种,即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如GaN、Si、ZnO衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。

一、红黄光LED

红光LED以GaP(二元系)、AlGaAs(三元系)和AlGaInP(四元系)为主,主要采用GaP和GaAs作为衬底,未产业化的还有蓝宝石Al2O3和硅衬底。

1、GaAs衬底:在使用LPE生长红光LED时,一般使用AlGaAs外延层,而使用MOCVD生长红黄光LED时,一般生长AlInGaP外延结构。外延层生长在GaAs衬底上,由于晶格匹配,容易生长出较好的材料,但缺点是其吸收这一波长的光子,布拉格反射镜或晶片键合技术被用于消除这种额外的技术问题。

2、GaP衬底:在使用LPE生长红黄光LED时,一般使用GaP外延层,波长范围较宽565-700nm;使用VPE生长红黄光LED

LED芯片常用衬底材料

标签:文库时间:2025-01-29
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LED芯片常用衬底材料选用比较

对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底: 1. 蓝宝石(Al2O3) 2. 硅 (Si) 3. 碳化硅(SiC) 蓝宝石衬底

通常,GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点:首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好;其次,蓝宝石的稳定性很好,能够运用在高温生长过程中;最后,蓝宝石的机械强度高,易于处理和清洗。因此,大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。

图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片

使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题,例如晶格失配和热应力失配,这会在外延层中产生大量缺陷,同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体,常温下的电阻率大于1011Ω·cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件;通常只在外延层上表面制作n型和p型电极(如图1所示)。在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少,同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程,结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型

发光二极管LED蓝宝石衬底的加工制造工业企业项目可行性报告

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发光二极管LED蓝宝石衬底加工制造工业企业项目

可行性研究报告

目录

第一章项目总论 (4)

1.1 可行性研究结论综述 (4)

1.2 主要经济技术指标 (4)

1.3 项目背景信息 (5)

1.4 项目建设进度及运营阶段安排 (6)

1.5 问题及建议 (6)

第二章项目背景和发展概况 (6)

2.1 项目提出的背景 (6)

2.2 行业发展概况 (7)

2.3 投资的必要性 (11)

第三章行业和市场分析与建设规模 (11)

3.1 行业分析 (11)

3.1.1 LED产业链技术特点与壁垒 (12)

3.1.2 LED专利分析 (13)

3.1.3 全球LED行业格局 (14)

3.1.4 LED产业链价值分配 (16)

3.1.5 LED行业议价能力 (19)

3.1.6 蓝宝石衬底行业分析 (19)

3.2 市场分析 (21)

3.2.1 LED衬底产品对比分析 (22)

1

3.2.2 产品现有生产能力调查 (27)

3.2.3 产品产量及销售量调查 (30)

3.2.4 替代产品调查 (30)

3.2.5 客户需求分析 (31)

3.3 市场预测 (32)

3.3.1市场需求分析 (32)

3.3.2 产品价格预测 (38)

3.4 营销策略及方法 (39)

3.4.1 产品市场

LED芯片常用衬底材料

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LED芯片常用衬底材料选用比较

对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底: 1. 蓝宝石(Al2O3) 2. 硅 (Si) 3. 碳化硅(SiC) 蓝宝石衬底

通常,GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点:首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好;其次,蓝宝石的稳定性很好,能够运用在高温生长过程中;最后,蓝宝石的机械强度高,易于处理和清洗。因此,大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。

图1 蓝宝石作为衬底的LED芯片

使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题,例如晶格失配和热应力失配,这会在外延层中产生大量缺陷,同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体,常温下的电阻率大于1011Ω·cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件;通常只在外延层上表面制作n型和p型电极(如图1所示)。在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少,同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程,结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型

衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响

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江锡顺等:衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响

1121

衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响

江锡顺!曹春斌!蔡摘要!采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底

琪!宋学萍!孙兆奇

(安徽大学物理与材料科学学院 安徽合肥230039>

测量分析ZnS薄膜的微结构 XRD的X光管为Cu

靶 CuKO射线波长为0.154056nm 管压为40kV 管流为100mA 扫描方式为连续扫描 步宽为0.020 扫描速度为8.000 /min 测量衍射峰的半高宽 根据Scherrer公式可算出晶粒尺寸:

上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜!用XRD和光学

相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力"结果表明#不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态!衬底温度由50C上升到400C的过程中!其择优取向发生了变化!晶粒有明显的生长方向$ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小!衬底温度在250\350C之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀"

关键词!衬底温度"微结构"应力ZnS薄膜"中图分类号!文献标识码!A0484文章编号!1001-9731#2006$07-1121-03

(1>

BcosO

式中k=

台湾Tronic Technocrystal- 通益蓝宝石科技公司蓝宝石单晶炉

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Tronic Technocrystal - Competitive Advantage

通益蓝宝石科技公司

http://www.tronic-technocrystal.com/simp/index.html

产品与服务

通益蓝宝石科技公司全方位的提供及支援高纯度,高体积的蓝宝石晶体和晶棒所需的生产能力。无论是为了新进入蓝宝石的单晶产业,或是为了维持和扩大现有的蓝宝石晶棒生产,通益蓝宝石科技公司都为了各方面的启始与支援提供了全方位服务。

Extraction Ingot from Delta-30Series

Ingot with C-Plane Method

Delta-30 Series Sapphire Growing Furnaces

Developed by our research centers in Ukraine, Tronic Technocrystal is proud to present the Delta-30 series furnaces, the first generation of fully automated sapphire growing apparatuses. Apart fro

台湾Tronic Technocrystal- 通益蓝宝石科技公司蓝宝石单晶炉

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Tronic Technocrystal - Competitive Advantage

通益蓝宝石科技公司

http://www.tronic-technocrystal.com/simp/index.html

产品与服务

通益蓝宝石科技公司全方位的提供及支援高纯度,高体积的蓝宝石晶体和晶棒所需的生产能力。无论是为了新进入蓝宝石的单晶产业,或是为了维持和扩大现有的蓝宝石晶棒生产,通益蓝宝石科技公司都为了各方面的启始与支援提供了全方位服务。

Extraction Ingot from Delta-30Series

Ingot with C-Plane Method

Delta-30 Series Sapphire Growing Furnaces

Developed by our research centers in Ukraine, Tronic Technocrystal is proud to present the Delta-30 series furnaces, the first generation of fully automated sapphire growing apparatuses. Apart fro

衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响

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江锡顺等:衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响

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衬底温度对ZnS薄膜微结构和应力的影响

江锡顺!曹春斌!蔡摘要!采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底

琪!宋学萍!孙兆奇

(安徽大学物理与材料科学学院 安徽合肥230039>

测量分析ZnS薄膜的微结构 XRD的X光管为Cu

靶 CuKO射线波长为0.154056nm 管压为40kV 管流为100mA 扫描方式为连续扫描 步宽为0.020 扫描速度为8.000 /min 测量衍射峰的半高宽 根据Scherrer公式可算出晶粒尺寸:

上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜!用XRD和光学

相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力"结果表明#不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态!衬底温度由50C上升到400C的过程中!其择优取向发生了变化!晶粒有明显的生长方向$ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小!衬底温度在250\350C之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀"

关键词!衬底温度"微结构"应力ZnS薄膜"中图分类号!文献标识码!A0484文章编号!1001-9731#2006$07-1121-03

(1>

BcosO

式中k=

OLED柔性衬底封装材料研究进展

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文章编号:1006-6268(2008)04-0048-05

技术交流

OLED柔性衬底

封装材料研究进展

杏,田大垒,赵文卿,关荣锋

(河南理工大学材料科学与工程学院,河南焦作454003)

要:有机电致发光器件在柔性衬底上的制备是下一代显示技术发展的重要方向。根据柔性显

示对封装材料的要求,综述了柔性衬底材料的种类及研究应用现状,重点介绍了聚合物柔性衬底材料的研究进展。

关键词:封装材料;有机电致发光器件;柔性显示中图分类号:TN304

文献标识码:A

ResearchProgressofFlexibleSubstrateMaterialsfor

OrganicLight-emittingDevicePackage

WANGXing,TIANDa-lei,ZHAOWen-qing,GUANRong-feng

(InstituteofMaterialsScienceandEngineeringofHenanPolytechnicUniversity,Jiaozuo454003,China)

Abstract:Thefabricationsoforganiclight-emittingdevicesbasedonflexiblesubstratesisanimpor

昌乐蓝宝石寓意文化研究

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第1 3卷第 3期Vo 1 . 1 3 NO. 3

潍坊学院学报J o u na r l o f We i f a n g Un i v e r s i t y

2 0 1 3年 6月 J u n . 2 0 1 3

昌乐蓝宝石寓意文化研究李淑英(潍坊学院,山东摘潍坊 2 6 1 0 6 1 )

要:本文在对古今中外蓝宝石寓意文化研究的基础上,重点对以星光宝石、艳色宝石、

画意宝石、纯蓝宝石为代表的的昌乐蓝宝石个性化文化寓意进行了阐释,突出昌乐蓝宝石的丰

富文化内涵,以期对“挖掘昌乐蓝宝石文化内涵,提升其品位和价值,进而提高昌乐蓝宝石产业层次”这一产业战略规划起到一定参考和借鉴作用。 关键词:昌乐蓝宝石;寓意;文化研究中图分类号: G2 5 6引言

文献标识码: A

文章编号: 1 6 7卜4 2 8 8 ( 2 0 1 3 ) 0 3— 0 0 0 9 - 0 3

中国魅力名县、中国蓝宝石之乡、中国珠宝玉石首饰特色产业基地……这一系列的美誉,让昌乐这个山东半岛的内陆县城名扬海内外,这些荣耀与蓝宝石这一天赐宝物密不可分。1 8 0 0万年前的火山喷发,不仅给昌乐留下了近百座远古火山,

还带来了稀世珍宝蓝宝石。昌乐蓝宝石以其颗粒大、晶体完好、颜色纯正、二色