机械设计期末考试题桂林电子科技大学

桂林电子科技大学 第二届三次教职工代表大会

代表名单

正式代表：（ 233人 ）

第一代表团 12人 （机电工程学院）

团长：黄美发 副团长：孙亮波

杨道国 程 华（女） 宋宜梅（女） 莫秋云（女） 孙永厚 范兴明 李 震 李彩林 龚雨兵 古天龙

第二代表团18人（信息与通信学院）

团长：苏朝善 副团长：丰 硕

林基明 刘庆华（女） 何 宁 姜 兴（女） 叶 进（女） 符 强 王守华 张法碧 张向利（女） 王卫东 赵中华 马春波 赵秋明 欧阳宁 何志毅 周怀营

第三代表团15人（计算机科学与工程学院）

团长：胡 琳 副团长：黄廷辉

方进一 王 鑫 邓珍荣（女） 石 华（女） 刘建明 张文辉（女） 钟艳如（女） 黄廷磊 黄文明 常 亮 湛永松 张华成 李思敏

4

第四代表团12人（艺术与设计学院）

团长：黄永安 副团长：黎成茂

武有能 叶德辉 汤志坚 龚东庆 彭馨弘（女） 窦建玲（女） 葛俊杰 陈旭（女） 刘翠玉（女） 黄家城

第五代表团 12人（商学院）

团长：董雄报 副团

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)静电场 掌握库仑定律，电场和电场强度，电场叠加原理， 电力线和电通量，高斯定律与散度，电场的环路 定理与旋度，电势差和电势，电势叠加原理，电 势梯度。 掌握导体的静电平衡，导体上的电荷分布，静电

屏蔽；了解电介质的极化；掌握电位移矢量，电介质中的高斯定律，电容器及电容，电场的能量；

了解传导电流，电源及电动势，稳恒电流。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(2)稳恒磁场 掌握磁场和磁感应强度，磁场叠加原理，磁力线和磁 通量，磁场的高斯定律与散度，匀速运动点电荷的磁 场，毕奥一萨伐尔定律，安培环路定理与旋度。 掌握安培力，安培定律；带电粒子在磁场中的运动， 洛仑兹力；霍耳效应。 了解磁介质及其磁化；掌握磁场强度矢量，磁介质中 的环路定理；了解铁磁质。 (3)电磁感应及麦克斯韦方程组 掌握法拉第电磁感应定律；动生电动势，感生电动势 和感应电场，互感，自感；磁场的能量。 掌握位移电流；麦克斯韦方程组；了解电磁波的基本 性质，电磁波的能量，坡印廷矢量。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)早期量子理论 了解黑体辐射；掌握光电效应，光子与光的二象性， 康普顿散射，原子的核模型，玻尔的原子理论，激 光理论初步。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)静电场 掌握库仑定律，电场和电场强度，电场叠加原理， 电力线和电通量，高斯定律与散度，电场的环路 定理与旋度，电势差和电势，电势叠加原理，电 势梯度。 掌握导体的静电平衡，导体上的电荷分布，静电

屏蔽；了解电介质的极化；掌握电位移矢量，电介质中的高斯定律，电容器及电容，电场的能量；

了解传导电流，电源及电动势，稳恒电流。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(2)稳恒磁场 掌握磁场和磁感应强度，磁场叠加原理，磁力线和磁 通量，磁场的高斯定律与散度，匀速运动点电荷的磁 场，毕奥一萨伐尔定律，安培环路定理与旋度。 掌握安培力，安培定律；带电粒子在磁场中的运动， 洛仑兹力；霍耳效应。 了解磁介质及其磁化；掌握磁场强度矢量，磁介质中 的环路定理；了解铁磁质。 (3)电磁感应及麦克斯韦方程组 掌握法拉第电磁感应定律；动生电动势，感生电动势 和感应电场，互感，自感；磁场的能量。 掌握位移电流；麦克斯韦方程组；了解电磁波的基本 性质，电磁波的能量，坡印廷矢量。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)早期量子理论 了解黑体辐射；掌握光电效应，光子与光的二象性， 康普顿散射，原子的核模型，玻尔的原子理论，激 光理论初步。

电子科技大学（英文名：University of Electronic Science and Technology of China, UESTC，原成都电讯工程学院），简称电子科大或成电（得名于原校名成都电讯工程学院），教育部直属全国重点大学，国家“211工程”和“985工程”重点建设高校。学校坐落于四川省会成都，于1956年由上海交通大学、南京工学院（现东南大学）、华南工学院（现华南理工大学）三所院校的电子信息类学科合并创建而成，为中国最早的七所重点国防院校之一，现为中华人民共和国教育部直属高等学校。 1956年（成都电讯工程学院）

编辑本段学校地址

沙河校区：四川省成都市建设北路二段四号 清水河校区：四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 九里堤校区：四川省成都市九里堤北路15号

编辑本段历史沿革

电子科技大学是中央部属高校，教育部直属的全国重点大学，1997年首批成为国家“211工程”重点建设大学；国家“985工程”重点建设大学的行列。 与哈工大、上海交大并列为“我国最早的七所重点国防院校之一”。全国72所教育部直属高等学校之一。 学校坐落于“天府之国”四川的省会，西南经济、文化、交通中心——成都市。

学院 姓名 学号 任课老师 选课号

……………密……………封……………线……………以……………内……………答……………题……………无…………效…………

一、 已知两个随机信号：X(t)?Acost?Bsint，Y(t)?Bcost?Asint， 其中A，B是零均值、方差为5的不相关的两个随机变量。

（1） X(t),Y(t)各自平稳吗？

（2） 求其互相关函数，他们是联合平 稳的吗？（10分）

解：（1）E[X(t)]?E(Acost?Bsint)?costEA?sintEB?0

E[Y(t)]?E(Bcost?Asint)?costEB?sintEA?0

RX(t??,t)?E[X(t??)X(t)]?E{[Acos(t??)?Bsin(t??)][Acos(t)?Bsin(t)]} ?E{[A2cos(t??)cos(t)?ABcos(t??)sin(t)?ABcos(t)sin(t??)?B2sin(t??)sin(t)]} 因为AB零均值且不相关，所以协方差为：C

2015电子科技大学 图论考试复习题

关于图论中的图，以下叙述不正确的是

A．图中点表示研究对象，边或有向边表示研究对象之间的特定关系。 B．图论中的图，画边时长短曲直无所谓。

C．图中的边表示研究对象，点表示研究对象之间的特定关系。

D．图论中的图，可以改变点与点的相互位置，只要不改变点与点的连接关系。

一个图中最长的边一定不包含在最优生成树内。

下面哪个图形不与完全二分图K3,3同构？ A． B． C． D．

有10条边的5顶单图必与K5同构。

完全二分图Km,n的边数是 A．m B．n C．m?n D．mn

无向完全图Kn的边数为 A．n B．n2 C．n(n?1) D．n(n?1)/2

若一个无向图有5个顶点，如果它的补图是连通图，那么这个无向图最多有 条边。

对于两个图，如果顶点数目相等，边数相等，次数相等的顶点数目也相等，则这两个图同构。

有15个顶的单图的边数最多是 A．105 B．210 C．21 D．45

图G如右，则dacbeb

A．是G中的一条道路 baB．是G中的一条道路但不

2015电子科技大学 图论考试复习题

关于图论中的图，以下叙述不正确的是

A．图中点表示研究对象，边或有向边表示研究对象之间的特定关系。 B．图论中的图，画边时长短曲直无所谓。

C．图中的边表示研究对象，点表示研究对象之间的特定关系。

D．图论中的图，可以改变点与点的相互位置，只要不改变点与点的连接关系。

一个图中最长的边一定不包含在最优生成树内。

下面哪个图形不与完全二分图K3,3同构？ A． B． C． D．

有10条边的5顶单图必与K5同构。

完全二分图Km,n的边数是 A．m B．n C．m?n D．mn

无向完全图Kn的边数为 A．n B．n2 C．n(n?1) D．n(n?1)/2

若一个无向图有5个顶点，如果它的补图是连通图，那么这个无向图最多有 条边。

对于两个图，如果顶点数目相等，边数相等，次数相等的顶点数目也相等，则这两个图同构。

有15个顶的单图的边数最多是 A．105 B．210 C．21 D．45

图G如右，则dacbeb

A．是G中的一条道路 baB．是G中的一条道路但不

B01-27、28、29模拟电子技术试题1

一、 选择填空（30分）

1．本征半导体电子浓度（ ）空穴浓度；N型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度；P型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度。

a：大于；b：小于；c：等于。

2．场效应管属于（ ）控制型器件，晶体三极管则属于（ ）控制器件。 a：电压；b：电流；c：电感；d：电容。

3．晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结（ ）偏置；集电结（ ）偏置。 a：正向；b：反向；c：零向；d：随便。

4．二极管的最主要特性是（ ），它的两个主要参数是反映正向特性的（ ）和反映反向特性的（ ）。

a： 单向导电性； b：平均整流电流；c：反向工作电压。

5．一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，U（BR）CEO=30V。若它的工作电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过（ ）mA；若工作电压UCE==1V，则工作电流Ic不得超过（ ）mA；若工作电流Ic=1mA，则工作电压UCE不得超过（ ）V。

a ：15； b ：100； c

本文只是给出综合程序设计（或成设计性）实验的要求，不是该实验报告的模板。

1. 综合程序设计实验所占平时成绩比重

平时成绩的30~40%，各老师有具体要求。

2. 综合程序设计实验程序设计要求

（1） 界面友好，要给用户提供帮助；程序不会自动退出，用户需要退出，它才退出； （2） 所用开发工具：turbo c或Vc或c++ builder，总之，对开发工具不限制，只要使用C

语言开发就可以了；

（3） 程序代码的书写规范化：一行只写一条语句（以分号为计数依据）；左右大括号各占

一行；大括号里面的语句相对其最近的大括号有缩进（缩进，使用TAB键）；对代码中的关键语句，重要语句要加以注释。

3. 需要提交的文件清单：

（1）全部源程序文件，包括使用说明等一份； （2）要对其使用的数据结构进行说明； （3）实验报告一份。

4.关于实验报告的书写：

请参阅实验教材《C语言程序设计》 主编 周信东 P250 请严格按照里面的要求书写。未按要求者，给0分

5.上述文件的提交

通过“中心实验报告提交系统“提交，请把其中全部源程序文件及可执行文件用压缩软件压缩成一个文件，在提交实验报告时以附件的形式提交。

说明：实验报告格式可参照以前的实验报告自行设计。报

篇一：这才是真正的电子科技大学

这才是真正的电子科技大学（一个成电学生的感悟）

2013-03-04 07:53阅读：1,741

这篇博文我想了很久，起初是想用一贯的调侃语气来写的，但是反复掂量觉得不妥，那天强子说，刚入大一，学长的最初指导非常重要，所以为了能让大家有点感觉，我选择比较正式的语气来写。按理说这篇博文我写是太早了，因为我本人都没有做好当学长的准备，就算是自己对大学的一点点小感悟吧，送给将要到来的你们。

首先，欢迎来到电子科技大学，UESTC。你可以简称为电子科大，或者成电。但是不要简称为电科大，习惯而已。UESTC的意思，是University of Electronic Science and Technology of China，最后两个词是of China，不是of Sichuan，或者of Chengdu。成电的意思，是成都电讯工程学院，是学校的前身，也代表当年傲世全国的霸气。

我知道的一点是，电子科大是很多没有考上清华的人的第二选择，或者说，是保底选择。现在在看日志的你，也许就是其中的一员。但是不管怎么样，大学是一个新的开始，你会发现，你引以为豪的高考成绩，其实实在是没有一点点参考价值。况且，在这里似乎你还不敢说你的高考成绩就