ca4810a半导体管特性仪

CA4810A晶体管图示仪

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半导体管特性图示仪的使用和晶体管参

数测量

作者：本站 来源：www.elecfans.com 发布时间：2009-3-9 9:12:09 [收 藏] [评 论]

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量 一、实验目的

1、了解半导体特性图示仪的基本原理

2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。

二、预习要求

1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体

管图示仪的各旋钮作用。

2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。

三、实验原理

（一）半导体特性图示仪的基本工作原理

任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、 输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、 漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的 伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且 所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶

体管输入、输出特性曲线。

图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路

用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是

XJ4822型半导体管特性图示仪

使用说明书

上海新建仪器设备有限公司

1. 概述

XJ4822型半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。

与其它同类型图示仪相比，主要区别在于采用了微机控制技术，引入了字符显示，光标测量功能，使半导体管的各种静态参数，包括β（hfe）、Gfs(gm) 均可光标测量、数字读出, 给用户带来更多方便。

1.1 本仪器由下列几部分组成

X轴、Y轴放大器 阶梯信号发生器 集电极电源 二簇电子开关 低压电源供给

高频高压电源及示波管控制电路 CRT读测微机电路 过流报警电路

1.2 仪器的特点

1.2.1 本仪器由于采用微机控制, 数字插入技术，引入字符显示, 光标测量功能, 面板上增添了六个操作键,CRT屏幕上实时显示Y(电流) 、X（电压）、S（阶梯）开关档位（位标）量、通过主光标［+］操作,能直接显示测得的I(电流) 、U(电压) 测量值，辅光标［×］配合操作, 能自动计算显示, 读出β（hfe）、Gfs(gm) 等器件的参数。

1.2.2 通过配合高压测试台, 使反向电压UR可达3000V。

1. 2. 3 由于

XJ4822型半导体管特性图示仪

使用说明书

上海新建仪器设备有限公司

1. 概述

XJ4822型半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。

与其它同类型图示仪相比，主要区别在于采用了微机控制技术，引入了字符显示，光标测量功能，使半导体管的各种静态参数，包括β（hfe）、Gfs(gm) 均可光标测量、数字读出, 给用户带来更多方便。

1.1 本仪器由下列几部分组成

X轴、Y轴放大器 阶梯信号发生器 集电极电源 二簇电子开关 低压电源供给

高频高压电源及示波管控制电路 CRT读测微机电路 过流报警电路

1.2 仪器的特点

1.2.1 本仪器由于采用微机控制, 数字插入技术，引入字符显示, 光标测量功能, 面板上增添了六个操作键,CRT屏幕上实时显示Y(电流) 、X（电压）、S（阶梯）开关档位（位标）量、通过主光标［+］操作,能直接显示测得的I(电流) 、U(电压) 测量值，辅光标［×］配合操作, 能自动计算显示, 读出β（hfe）、Gfs(gm) 等器件的参数。

1.2.2 通过配合高压测试台, 使反向电压UR可达3000V。

1. 2. 3 由于

QT-2A型半导体管特性图示仪操作规程 一、开机前的准备工作 1. 使用合适的电源线。图示仪只可使用图示仪专用的或经安全核准的电源线。 2. 产品接地。图示仪通过电源线接地导线接地，为了防止电击，接地导体必须与地面相连。在与图示仪输入或输出终端连接前，应确保图示仪已正确接地。 3. 请勿在无仪器盖板时操作。如盖板已卸下，请勿操作QT-2A型半导体管特性图示仪。 4. 在有可疑故障时，请勿操作。 5. 提供良好的通风环境。 二、操作须知 1. 为了取得准确的测量值，开机后必须保证有足够的预热时间。 2. 在测试器件过程中，阶梯信号及峰值扫描电压应先调至最小，然后由小到大，以免对被测器件造成冲击损坏。当器件测试完毕后，应将峰值扫描电压调至最小，才能取下被测器件。 3. 在高电压测试或者大电流测试时，应选择单次模式的测试方法。 4. 在测试器件过程中，先将集电极电压峰值调至最小0%，再根据被测器件的电压加载要求，选择合适的电压档级（0-10V档、0-50V档、0-100V档、0-500V档、0-5000V档）。然后再将电压峰值百分比由小至大调至合适值，以免对被测器件造成冲击，当器件测试完毕后，将集电极扫描电压峰值调至最小后，再取下被测器件。 5.

编号：099050241037

本 科 毕 业 论 文

题 目：简易半导体三极管参数测试仪 学 院：物理与电子信息学院

专 业：电子信息科学与技术

年 级：09级 姓 名：宣万瑜 指导教师：张红娜

完成日期：2013年5月15日

1

目录

摘 要 .......................................................................................................................................... 3 Abstract ..............................................................................

第一章 半导体二极管

练习题

一、填空

1. 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电

流 ，二极管反向伏安特性曲线 移。

2. 在PN结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。

3. 在本征半导体中掺入 价元素得N型半导体，掺入 价元素则得P型半导体。

4. 半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带负电。 5. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。 6. 纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。

7. PN结正偏是指P区电位 N区电位。

8. PN结在 时导通， 时截止，这种特性称为 。

9. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 10. 二极管P区接电位 端，N区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏

新型半导体存储器测试仪项目介绍

一、 技术背景

存储器产品在整个信息产业中占据了市场的60%，其主流产品为DRAM、SRAM、FLASH以及硬盘和光盘等。截至2012年，存储器产品的产值在全球已达3千亿美元。一些新型非易失性存储器的出现，如FRAM、PCRAM、RRAM等，可以将FLASH存储密度提高10－100倍，擦写速度提高106倍，擦写电压由目前9－17V降低到1.5V以下，同时可以替代DRAM和SRAM等，形成一种通用存储器。

针对以上新型存储器技术开发，需要有专用可靠性测试设备，模仿存储器读写方脉冲，在纳秒量级时间范围内进行存储器的存储能力、擦写时间、擦写次数、数据保持时间等可靠性测试。现有半导体存储器（FLASH，RRAM，PCRAM等）的可靠性测试设备一般采用最快至毫秒量级的三角脉冲，而不是存储器直接读写的纳秒量级的方脉冲，只能测量秒至毫秒量级的电流－电压曲线，通过以上毫秒量级的测量结果预言纳秒量级中存储器所读出逻辑信息，导致读出信息的严重失真。尤其是，在铁电存储器（FRAM）及铁电功能材料性能测试研究领域，由于铁电功能材料具有较高的自发极化强度和较大的介电常数特性,它作为一种极其重要的功能性材料可应用于非挥发随机读取存储器(F

半导体放电管,又称固体放电管,是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。半导体放电管其应用范围广泛,可用于调制解调器、传真机、PBX系统、电话、POS系统、模拟和数字卡等

PXXXXAA SERIES

Over-voltage Protection Thyristor

HIGHFAR PxxxxAA Series Do-214AC are designed to protect baseband equipment such as modems,line cards,CPE and DSL from damaging overvoltage transients.

The series provides a surface mount solution that enables equipment to comply with global regulatory standards.Features

* Low voltage overshoot* Low on-s

电子电路与数字逻辑知识

第二章 半导体三极管

第二章 半 导 体 三极管2.1 双极型半导体三极管 2.2单极型半导体三极管 2.3 半导体三极管电路的基本分析方法 2.4 半导体三极管的测试与应用

电子电路与数字逻辑知识

第二章 半导体三极管

2.1 双极型半导体三极管

3A X8 1

3A X1

3D

G4

3AD10

(a)

(b)

(c)

(d)

图 2 - 1 几种半导体三极管的外形

电子电路与数字逻辑知识

第二章 半导体三极管

2.1.1 晶体三极管的工作原理一、结构及符号

图 2 – 2 晶体三极管的结构示意图和符号

电子电路与数字逻辑知识

第二章 半导体三极管

无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们均包含三个 区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出三个电极： 发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。同时,在三个区的两两 交界处, 形成两个PN结, 分别称为发射结和集电结。常 用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种三极管类型。 它 们 对 应 的 型号 分 别 为 ：3A( 锗PNP) 、 3B( 锗 NPN) 、 3C(硅PNP)、3D(硅NPN)四种系列。

电子电路与数字逻辑知识

第二章 半导体三极管

二、 三极管的三种连接方式e IC e IE b IB IC c