igbt技术门槛

受益于电动汽车市场驱动和IGBT技术成熟,IGBT器件成为一个充满活力的市场,预计2014-2020年间的复合年增长率为10%。随着时间的推移,预计消费类和白色家电IGBT市场份额将逐渐减少。而其它市场,如电网、光伏和不间断电源UPS(由数据中心增长而驱动),则非常活跃。

IGBT市场和技术趋势-2015版

蓬勃发展的电动汽车市场提振成熟的IGBT器件

由于电动汽车使用电源模块，因此极大地促进IGBT市场发展，包括出货量和附加值。到2018年，汽车保有量将是至关重要的；展望未来六年，电动汽车IGBT市场的增长将超过三倍。到2020年，我们预计电动汽车领域将占据约50%的IGBT市场份额。

IGBT市场预测

第一款商业化的IGBT器件诞生于30年前，击穿电压约为1100V。自此之后，电压范围扩大到400V - 6500V，使得IGBT器件进入各种电力电子应用领域。 受益于电动汽车市场驱动和IGBT技术成熟，IGBT器件成为一个充满活力的市场，预计2014-2020年间的复合年增长率为10%，2020年将达到62亿美元。随着时间的推移，预计消费类和白色家电IGBT市场份额将逐渐减少。而其它市场，如电网、光伏和不间断电源UPS（由数据中心增长而驱动），则非常

─梦 屠格涅夫

一、学习要点

1、 了解屠格涅夫在俄国文学史上的地位和贡献。

2、 把握本文的象征意蕴。

二、作者介绍

伊凡·谢尔盖耶奇·屠格涅夫（1818—1883）俄国批判 屠格涅夫是哪国的什么作现实主义作家，具有资产阶级民主主义思想的贵族知识分家？是一位什么样的知识子。以小说著名，也是一位杰出的诗人和戏剧家。1847－1852 分子？以什么著名，也是一年间所写的短篇故事集《猎人笔记》是他的成名之作。他的位杰出的什么人和什么六部长篇小说：《罗亭》（1856）、《贵族之家》（1859）、《前家？ 夜》（1860）、《父与子》（1862）、《烟》（1867）、《处女地》他的成名之作是什么？ （1877），是他一生艺术创作的主要贡献，被称为俄国十九他的哪些作品被称为十九世纪四十至七十年代的“社会历史编年史”。1861年农奴制世纪四十至七十年代的“社改革后，屠格涅夫的思想开始表现停滞，但直到晚年仍坚持会历史编年史”？ 民主主义。《散文诗集》（1878—1882）是他最后一部重要作他最后一部主要著作是什品，其中流露作家多方面的思想和感情，艺术手法也绚丽多么？

彩。

三、题解和背景 文章运用了象征手法。

门槛：指课文中一

采用突波吸收电容减小UPS直流总线电压

[出处/作者]：庄宏 刘静

众所周知，逆变器是UPS的核心部分，逆变器的性能决定了UPS的输出性能指标。在一个由整流器、逆变器、充电器等组成的UPS中（如图1），逆变器不但要承受来自负载的冲击，还要随时对直流总线电压的波动进行调整。大量的统计数据证明，直流总线电压的异常波动和负载的冲击是造成逆变器故障的主要原因。在UPS实际运用过程中，负载的冲击不可避免，而稳定直流总线电压、减小直流总线电压的纹波却是可以做到的。

图1 UPS结构框图

直流总线电压的纹波主要由整流输入电压的波动和逆变器IGBT开关的反冲电压回馈至直流总线形成。如果纹波过大，就会造成整流滤波电容温升过高，寿命缩短，同时加大了逆变器PWM调节频繁程度，容易造成控制电路不稳定而导致故障发生。由于直流总线直接和外部电池连接，过高的直流总线纹波电压还会成为 EMI干扰源。

在整流器输出端减小市电造成的50Hz电压纹波主要采用大容量的铝电解电容器并联，而对于逆变器高频开关反冲电压形成的电压纹波则要寻求新的途径来解决。如图2是一个20KVAUPS的桥式整流滤波电路和逆变电路，其中直流总线上的滤波电容由六个2200μF/600WV的电解电容并

做餐饮，门槛低，但过了门槛是堵墙！

编辑者 : 雯雯 来源 : 红餐微杂志 于2015-03-14 11:16 发布 已有 841 人围观

似乎不管是谁、投资多少、技术如何，都可以折腾一下餐饮这个大众行业。小到煎饼摊子，

大到跨国企业，都属于餐饮的范畴，这个行业的历史之久、门槛之低，渐渐成为大家的共识。可是，你们知道跨过了这所谓的门槛，你能越过它后面那堵墙吗？

巷口那个抽着卷烟、满脸胡茬、裤管一边高一边低的三轮车大哥把车一丢：“不干了，开个饭馆去！” 事实就是这样，进军餐饮已经成为全民创业的首选方案，理由很扎实：门槛低！行业前景好！ 似乎不管是谁、投资多少、技术如何，都可以折腾一下餐饮这个大众行业。小到煎饼摊子，大到跨国企业，都属于餐饮的范畴，这个行业的历史之久、门槛之低，渐渐成为大家的共识。 诚然，口腹之欲作为生活刚需，市场是巨大的，再加上城市化进程加快，生活节奏紧张，在外吃饭逐渐成为习惯，更是进一步扩张了市场容量。一个个排位爆满的饭店、一个个名声在外的猎奇餐厅，仿佛都在招手说：来吧来吧，来了就能挣钱！但，你听到泡沫的声音了吗？ 听起来很赞，看起来也很美，可惜，

篇一：青春无价作文

青春无价作文（一） 时间转瞬即逝，不知不觉间，已是六年级了。 走在挥洒了无数汗水的操场上，抬头，便可见从前我们曾经一起在那儿玩耍的篮球架，犹记得你们曾经的梦想：成为一支国家篮球队。那时是多么的纯真啊！眼眶忽然就红了，想起我们在一起的日子，我猛然明白了“我不想我不想不想长大”的真谛，突然好想自己也不要长大，如果自己不会长大，是不是就不用分开了？ 许是不愿再看到那近乎令我心碎的回忆，我转开了头，却又看见了那个沙坑--前年夏天，我们新多了一项游戏-跳沙坑，当时，我们好奇极了，一个个争先恐后的跳进去，结果-一身泥，却还玩起了“沙战”。想着想着，两滴清泪便顺着脸颊滑下来，“如果我们分开了，我该怎么办？”我呢喃着，似在问同学，又似在问我自己。 这时，一帮同学跑了过来，“津津，想什么呢？一起去玩吧！”我连忙拭了拭泪，笑着抬起头来，“没什么。”眼泪却在看见她们关怀的脸时，如崩断的珍珠项链般掉落在地上。“津津，怎么啦？有人欺负你啦？说出来，我们帮你收拾他！”听着她们关切的话语，我忽然转过身，趴在说那番话的女生肩上，久久，才抬起头。 青春，是无价的，纵使流年飞逝，青春也会在心灵的某个角落悄悄的躲起来，等到我们再次把它记起时，又让我

们回想起那个缤

摘要：绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管合成的复合型全控型电压驱动式功率半导体器件，具有绝缘栅型场效应管的高输入阻抗及双极型三极管的低导通压降、以及驱动电路简单、安全工作区宽等优点，作为电力电子系统的核心开关器件， IGBT起了不可取代的关键的作用。本文主要针对IGBT的发展历程和国内外技术现状、阐述了一些先进的芯片技术和新结构、新材料及模块封装技术。描述了IGBT芯片和模块的发展方向。 1.引 言

全球能源危机及气候变暖的威胁使人们在追求经济发展的同时越来越重视绿色环保，节能减排。电力电子是节能减排的王牌技术，从电能产生、电能传 输、电能使用到电能管理，渗透到工业、交通、通信、能源等各个领域，发挥着举足轻重的作用。电力电子器件是电力电子装置和系统的“绿色的芯”。目前我国新 型的电力电子器件主要代表是IGBT、VDMOS 和FRED等高频器件，而新材料的电力电子器件的主要代表是SiC及GaN器件。本文重点针对IGBT发展历史、现状、新结构、新材料及其新封装技术做一 些阐述。 2.IGBT是节能减排的王牌器件

作为新型高频大功率电力半导体器件代表的IGBT自 1982年问世以来，在国民经济的各行各业得

基于IGBT技术风电变流器Crowbar电路设计

Technology of IGBT-based the design of wind power

converter Crowbar Circuit

作 者 姓 学 位 类 学 科、专 研 究 方 导 师 及 职

名 夏 东 旭 型 工 程 硕 士 业 电 气 工 程 向 电力电子及其传动 称

张 兴 教 授

2011年4月

合 肥 工 业 大 学

本论文经答辩委员会全体委员审查，确认符合合肥工业大学硕士学位论文质量要求。

答辩委员会签名（工作单位、职称）

主席： 委员：

导师：

独 创 性 声 明

本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得 合肥工业大学 或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。

学位论文作者签名：

基于IGBT技术风电变流器Crowbar电路设计

Technology of IGBT-based the design of wind power

converter Crowbar Circuit

作 者 姓 学 位 类 学 科、专 研 究 方 导 师 及 职

名 夏 东 旭 型 工 程 硕 士 业 电 气 工 程 向 电力电子及其传动 称

张 兴 教 授

2011年4月

合 肥 工 业 大 学

本论文经答辩委员会全体委员审查，确认符合合肥工业大学硕士学位论文质量要求。

答辩委员会签名（工作单位、职称）

主席： 委员：

导师：

独 创 性 声 明

本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得 合肥工业大学 或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。

学位论文作者签名：

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）实用新型专利

（10）申请公布号

CN209374447U

（43）申请公布日 2019.09.10（21）申请号CN201920161495.4

（22）申请日2019.01.30

（71）申请人宁波达新半导体有限公司;杭州达新科技有限公司

地址315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区城东新区冶山路479号科创大楼13层1306室

（72）发明人钱进;轩永辉

（74）专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司

代理人郭四华

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

IGBT半桥模块

（57）摘要

本实用新型公开了一种IGBT半桥模块，

包括：底板、芯片单元、陶瓷覆铜板、功率端

子、信号端子和信号端子座；芯片单元包括IGBT

芯片和FRD芯片；信号端子包括栅极信号端子和

发射极信号端子，信号端子都直接焊接在陶瓷覆

铜板上，IGBT芯片的栅极通过铝线键合在陶瓷覆

铜板上并引出到对应的栅极信号端子上，IGBT芯

片的发射极通过铝线键合在陶瓷覆铜板上并引出

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本科毕业论文（设计）

题目：IGBT的仿真设计

学 院： 理 学 院 专 业： 电子科学与技术 班 级： 2007级1班 学 号： 070712110075 学生姓名： 孙 阔 指导教师：傅 兴 华

2011年 6月 1日

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贵州大学本科毕业论文（设计）

诚信责任书

本人郑重声明：本人所呈交的毕业论文（设计），是在导师的指导下独立进行研究所完成。毕业论文（设计）中凡引用他人已经发表或未发表的成果、数据、观点等，均已明确注明出处。

特此声明。

论文（设计）作者签名：

日 期：

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目录

摘要.............................................................................................................................. III 第一章 绪论...............