信息技术第五单元自测题答案
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信息技术第5章自测题
1.GBK字符集共有__________个汉字。 A、6000多 B、10000多 C、20000多 D、30000多
3.文本文件的后缀名为__________。
A、doc B、txt C、dbf D、rtf 9.在计算机中表示数据的连续2个字节为34H,51H,则表示的是__________。
A、是2个西文字的ASCII码 B、是1个汉字的国标码
C、不是1个汉字的国标码 D、可能是2个西文字符的ASCII码,也可能是1个汉字的国标码
15.采用网状结构组织信息,各信息块
按照其内容用指针互相链接起来,使得阅读时可以非常方便地实现快速跳转的一种文本,称为_________。
A、超文本 B、简单文本 C、丰富格式文本 D、纯文本 16.从现实世界中通过数字化设备获取的图像不能被称为__________。
A、取样图像 B、点阵图像 C、矢量图形 D、位图图像
17.下列图像文件格式中,不是完全无损的是__________。
A、JP2 B、TIF C、BMP D、GIF 19.BMP格式的图像文件使用的压缩编码方法是_____
高等代数第五章自测题 答案
第五章 二次型自测题答案
一、 填空题
??1?1.??2?1???2???1?16.???2?1??21??2???x1??11?2??y1?2?2222?22?; 2.?x2???1?11??y2?; 3. 3 ; 4.y1;5. ?y?2y?y12;2?????????x3????001????y3??23???121?2??1?; 7. k?2;8. ?2?1?t?2?1;9. ?2?t?210. r,n?r,2r?n. ?2??1???112二、单项选择题
1.C ; 2. D ; 3. C ; 4. A ;5. B .
三、判断题
1.√; 2.√; 3.× 4.×; 5.√.
四、计算题
2221.分别用配方法和初等变换法将二次型f(x1,x2,x3)?4x1?3x2?3x3?2x2x3化成标准
形,写出相应的非退化线性替换,并利用矩阵演算所得结果。 2.t?46. 3.正定. 4.非正定. 5.??1. 6.t?2. 7.??t?0 .
511228. 将二次型f(x1,x2,x3)?2x1化为规范形,并指出所用的?2x1x2?4x1x3?6x2x3?x3非退化线性替换(分复系数和实系数两种情形)。
五、证明题
高等代数第五章自测题 答案
第五章 二次型自测题答案
一、 填空题
??1?1.??2?1???2???1?16.???2?1??21??2???x1??11?2??y1?2?2222?22?; 2.?x2???1?11??y2?; 3. 3 ; 4.y1;5. ?y?2y?y12;2?????????x3????001????y3??23???121?2??1?; 7. k?2;8. ?2?1?t?2?1;9. ?2?t?210. r,n?r,2r?n. ?2??1???112二、单项选择题
1.C ; 2. D ; 3. C ; 4. A ;5. B .
三、判断题
1.√; 2.√; 3.× 4.×; 5.√.
四、计算题
2221.分别用配方法和初等变换法将二次型f(x1,x2,x3)?4x1?3x2?3x3?2x2x3化成标准
形,写出相应的非退化线性替换,并利用矩阵演算所得结果。 2.t?46. 3.正定. 4.非正定. 5.??1. 6.t?2. 7.??t?0 .
511228. 将二次型f(x1,x2,x3)?2x1化为规范形,并指出所用的?2x1x2?4x1x3?6x2x3?x3非退化线性替换(分复系数和实系数两种情形)。
五、证明题
电机与拖动第五章自测题答案
(一)填空题:
1. 当s在0~1范围内,三相异步电动机运行于电动机状态,此时电磁转矩性质为驱动转矩,电动势的性质为反电动势;在 -∞~0范围内运行于发电机状态,此时电磁转矩性质为制动转矩,电动势的性质为电源电动势。
2. 三相异步电动机根据转子结构不同可分为笼型异步电动机和绕线型异步电动机两类。
3. 一台六极三相异步电动机接于50H z的三相对称电源,其s=,则此时转子
转速为950r/min,定子旋转磁动势相对于转子的转速为50r/min,定子旋转磁动势相对于转子旋转磁动势的转速为0r/min。
4. 一个三相对称交流绕组,2p=2,通入f=50H z的对称交流电流,其合成磁动
势为圆形旋转磁动势,该磁动势的转速为3000r/min。
5. 一个脉动磁动势可以分解为两个幅值和转速相同而转向相反的旋转磁动势。
6. 为消除交流绕组的五次谐波电动势,若用短距绕组,其节距y应选为4/5τ,此时基波短距系数为。
7. 三相异步电动机等效电路中的附加电阻为是模
拟总机械功率的等值电阻。
8. 三相异步电动机在额定负载运行时,其转差率s一般在
(二)判断题:
1. 不管异步电动机转子是旋转还是静止,定子旋转磁动势和转子旋转磁动势之间都是相对静止的。(√)
2. 三相异步电动
光电技术自测题
光电技术自测题
一 填空
1在光辐射能的测量中,建立了两套参量和单位。一套参量是 ,适用于整个电磁波谱;另一套参量是 ,适用于可见光波段。
2发光强度的单位是 ,光通量的单位是 ,光照度的单位是 。 3本征吸收的长波限表达式为 。非本征吸收有 、 、 、 、 等。半导体对光的吸收主要是 。
4半导体的光电效应主要有 、 、 。 5 PN结外加正偏电压时,耗尽区变 ,结电容变 ;PN结外加反偏电压时,耗尽区变 ,结电容变 。 6光子探测器输出光电流为Ip?e?M?0,其中M指 ,?指 。 h?7光电探测器噪声主要有 、 、 、 、 。
8光电探测器的积分灵敏度与采用的光源有关。通常测试光子
光电技术自测题
光电技术自测题
一 填空
1在光辐射能的测量中,建立了两套参量和单位。一套参量是 ,适用于整个电磁波谱;另一套参量是 ,适用于可见光波段。
2发光强度的单位是 ,光通量的单位是 ,光照度的单位是 。 3本征吸收的长波限表达式为 。非本征吸收有 、 、 、 、 等。半导体对光的吸收主要是 。
4半导体的光电效应主要有 、 、 。 5 PN结外加正偏电压时,耗尽区变 ,结电容变 ;PN结外加反偏电压时,耗尽区变 ,结电容变 。 6光子探测器输出光电流为Ip?e?M?0,其中M指 ,?指 。 h?7光电探测器噪声主要有 、 、 、 、 。
8光电探测器的积分灵敏度与采用的光源有关。通常测试光子
第五章 静止电荷的电场自测题
第四章 静止电荷的电场检测题
一、选择题
1.一均匀带电球面,电荷面密度为?,球面内电场强度处处为零,球面上面
元dS的一个电量为?dS的电荷元在球面内各点产生的电场强度 ( )
(A) 处处为零;
(B) 不一定都为零; (C) 处处不为零; (D) 无法判定.
2.关于电场强度定义式E = F/q0,下列说法中哪个是正确的? ( )
(A) 场强E的大小与试探电荷q0的大小成反比;
(B) 对场中某点,试探电荷受力F与q0的比值不因q0而变; (C) 试探电荷受力F的方向就是场强E的方向;
(D) 若场中某点不放试探电荷q0,则F = 0,从而E = 0.
3.下列说法中哪一个是正确的? ( )
(A) 电场中某点场强的方向,就是将点电荷放在该点所受电场力的方向. (B) 在以点电荷为中心的球面上,由该点电荷所产生的场强处处相同. (C) 场强方向可由E= F/q定出,其中q为试验电荷的电量,q可正、可负,F为试验电荷所受的电场力.
(D) 以上说法都不正确.
z C B? 4. 在电场强度为E的匀强电场中,有一如图5.1所示的三棱柱,取表面的法线向
食品分离技术自测题
第一章 绪论
一 名词解释 1. 平衡分离过程 2. 速率控制过程 二、填空
1、食品分离过程是熵 的过程,必须外加能量才能进行。
2、食品分离通常来说要达到下列两个目的: , .
3、随着社会地发展和技术的进步,工业上形成的分离技术越来越多,但从本质上来说,所有分离技术都可分为 和传质分离两大类。传质分离又分为 和 4、食品分离技术按分离性质可分为 和 两大类
5、食品分离技术按分离方法可分为 、 、 三、判断题
1、分离剂是分离过程的推动力或辅助物质,它包括质量分离剂和能量分离剂。( ) 2、机械分离过程的分离对象是有两相组成的混合物。( )
3、单元操作侧重分离方法的共性规律,而分离过程则侧重分离方法的个性规律。( ) 四、选择题
1、以下不属于传质分离过程的是 A 过滤 B超滤 C蒸馏 D萃取 2、以下不属于平衡分离过程的是
A 离子交换
食品分离技术自测题
第一章 绪论
一 名词解释 1. 平衡分离过程 2. 速率控制过程 二、填空
1、食品分离过程是熵 的过程,必须外加能量才能进行。
2、食品分离通常来说要达到下列两个目的: , .
3、随着社会地发展和技术的进步,工业上形成的分离技术越来越多,但从本质上来说,所有分离技术都可分为 和传质分离两大类。传质分离又分为 和 4、食品分离技术按分离性质可分为 和 两大类
5、食品分离技术按分离方法可分为 、 、 三、判断题
1、分离剂是分离过程的推动力或辅助物质,它包括质量分离剂和能量分离剂。( ) 2、机械分离过程的分离对象是有两相组成的混合物。( )
3、单元操作侧重分离方法的共性规律,而分离过程则侧重分离方法的个性规律。( ) 四、选择题
1、以下不属于传质分离过程的是 A 过滤 B超滤 C蒸馏 D萃取 2、以下不属于平衡分离过程的是
A 离子交换
模拟电子技术基础-自测题答案
第1章 半导体二极管及其基本应用
1.1 填空题
1.半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。
2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是 电子 ;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子是 空穴 。
3.PN结在 正偏 时导通 反偏 时截止,这种特性称为 单向导电 性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 增大 ,正向压降将 减小 。 5.整流电路是利用二极管的 单向导电 性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。
6.发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。
7.光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号,它工作时需加 反向 偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于 650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。
1.2 单选题
1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷 3.硅二极管的反向电流很小,其大小随