电路与模拟电子技术是模电吗

模拟电路

复习预习方法：

1、 掌握基本理论：二极管、三极管的特点和用途，反馈的定义、分类、判断，功率放大的

原理与分类，滤波器的基本原理，波形发生器的原理与能否起震的判断，直流电源的基本原理及构成。

2、 掌握的计算：三极管放大电路的静态、动态分析，集成远放的相关计算，振荡电路频率

计算，直流电源的简单计算。

3、 除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。 习题一、半导体二极管及其应用

1．本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度 a大于 b 小于 c 等于 答案：C

2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于______ a温度 b 材料 c掺杂工艺 d掺杂浓度 答案：B

3.在掺杂半导体中，少子的浓度受______的影响很大 a 温度 b掺杂工艺 c 掺杂浓度 答案：C

4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越______ a 高 b 低 c不变 答案：B

5.N 型半导体______

a 带正电 b 带负电 c 呈中性 答案：C

6.温度升高 N 型半导体的电阻率将______ a 增大 b 减小 c 不变 答案：C

7. 当 PN 结正向偏置时，耗尽层将______ a 不变 b 变宽小于 c 变窄

全书分为电路基础理论和模拟电子技术基础两大部分。电路理论部分包括直流电路分析、暂态电路分析和正弦交流电路3章。模拟电子技术部分包括半导体二极管和晶体管、基本放大电路、放大电路中的负反馈、集成运算放大器及应用和直流稳压电源5章。每章均安排了一节应用实例与计算机辅助分析的内容本书注重基础,突出应用,基本概念讲述清楚,分析方法讲解透彻,例题、练习题、计算机仿真题配置齐全,难易度适中,便于教师施教和学生自学

电路与模拟电子技术基础成谢锋，周井泉

第一章 第二章 第三章 第四章 第五章 第六章 第七章

直流电路分析 一阶动态电路 正弦交流稳态 半导体二极管及其基本电路 晶体三极管及其放大电路 放大器中的反馈 集成运算放大器的应用电路

全书分为电路基础理论和模拟电子技术基础两大部分。电路理论部分包括直流电路分析、暂态电路分析和正弦交流电路3章。模拟电子技术部分包括半导体二极管和晶体管、基本放大电路、放大电路中的负反馈、集成运算放大器及应用和直流稳压电源5章。每章均安排了一节应用实例与计算机辅助分析的内容本书注重基础,突出应用,基本概念讲述清楚,分析方法讲解透彻,例题、练习题、计算机仿真题配置齐全,难易度适中,便于教师施教和学生自学

第一章 直流电路 主要内容：

华南理工大学《电路与模拟电子技术》考试试卷 第 1 页（共 7 页）

专业： 班级： 姓名： 学号： 华南理工大学期末考试试卷

《电路与模拟电子技术》

得分 评卷 一、填空题（每小题 3 分，共 21 分）

1. 如图 1 所示，开路电压 UOC = 3Ω 5V

1A 1Ω

2Ω

UOC

2A

u i Z

。

图 1

图 2

u = 12 sin ( 2512 t + π / 6 ) V, 则频率

2. 图 2 电路中已知 i = 6 sin ( 2512 t ? π / 6 ) A,

f =

赫。负载的功率因数 cos? = = , U = , I

。

3. 电路如图所示，运算放大器的饱和电压为 ± 12V，稳压管的稳定电压为 8V，正向压降 为 0.7

V，当输入电压 ui= -0.1V 时，则输出电压 uO 等于

。

华南理工大学《电路与模拟电子技术》考试试卷 第 2 页（共 7 页）

4. 整流电路如图 3 所示，输出电压平均值U O 是 18V，若因故一只二极管损坏而断开，则 输出电压平均值U O 变为 。

+VCC

C1 D1 D2 R L D4 Rb1 + C2 +

第一章 半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降

华南理工大学

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性

《模拟电子技术》习题整理

第一章 1.1

（1）信号是反映 消息 的物理量，电信号是指随 时间 而变化的电压或电流。

（2）模拟信号在时间和数值上均具有 连续 性，数字信号在时间和数值上均具有 离散 性。 （3）模拟电路是处理 模拟 信号的电路。

（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是 放大电路 。

1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？ 答：必须满足功能和性能的指标要求；

在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少； 考虑电磁兼容性；

系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。

第二章

2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。

解：

2.13 求解电路的运算关系。

第三章 3.2

（1）N型半导体是在本征半导体中掺入 五价元素，如磷等 ；P型半导体是在本征半导体中掺入 三价元素，如硼等 。

（2）PN结加正向电压时，由 扩散运动 形成电流，其耗尽层 变窄 ；加反向电压时，由 漂移运动 形成电流，其耗尽层 变宽 。

第一章 半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降-

《电路与电子技术》（电路分析和模拟电路部分）实验指导

电路实验的基本知识 一 、实验的性质和目的

实验是人类认识客观事物的重要手段。很多科学成果都是通过大量探索性实验而取得的。在理工科大学里，实验课程与课堂理论讲授一样，是教学中不可缺少的重要环节。实验课程中安排的实验课题，其内容是成熟的，目的是明确的，结果是预知的，实验过程有老师的指导，虽然没有探索性实验那样复杂，但是对帮助学生较为系统地获得有关实验的理论知识和培养有关实验的基本技能是必不可少的。

通过电路实验课程的学习，学生应：

1．掌握常用电子仪器仪表（包括万用表、直流稳压电源、低频信号发生器、晶体管毫伏表、及电子示波器）的性能、使用方法。 2．学习并掌握基本的测量方法。（包括电流、电压、阻抗的测量；网络伏安特性的测量；网络频率特性的测量；以及网络动态特性的测量。） 3．初步掌握专业实验技能，（包括正确选用仪器、仪表，合理制定实验方案，实验现象的观察和判断，实验数据的读取和处理，误差分析，实验报告的编写。）

二 实验的过程和任务

一般讲，一次完整的实验应包括以下几个过程：

设计----根据实验目的制定实验方案。 安装调试----创造实验方案设计的实验条件。

中国计量学院2009~2010 学年第二学期 《 电子技术 》课程考试试卷（A） 开课二级学院： 机电分院 ，考试时间：2010年_6_月_21_日 9.00-11.00 时 √、开卷□，允许带 直尺、计算器，钢笔、铅笔等文具 入场 考试形式：闭卷□考生姓名： 学号： 专业： 班级： 题序 一 二 三 四 五 六 七 得分 评卷人 装 一、选择题（本题共30分，每小题3分） 1.晶体三极管工作在饱和区时发射结、集电结的偏置是( ) A.发射结正向偏置，集电结反向偏置 B.发射结正向偏置，集电结正向偏置 C.发射结反向偏置，集电结反向偏置 D.发射结反向偏置，集电结正向偏置 2.图示的负反馈放大电路中，级间反馈的反馈类型是( ). A.电流并联负反馈 B.电压并联负反馈 订 C.电流串联负反馈 D.电压串联负反馈 3.共射单管放大电路如图所示，输出波形 出现失真。应如何调整（ ）。 线 A.截止失真，应减少RB阻值 B.截止失真，应增加RB阻值

6.1模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2差分式放大电路 6.3差分式放大电路的传输特性 6.4集成电路运算放大器 6.5实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 6.6变跨导式模拟乘法器 6.7放大器中的噪声和干扰课件下载：mndzjs2008@http://www.77cn.com.cn密码：mndzjs2008

主要内容·集成电路运算放大器中的电流源·差分式放大电路·集成电路运算放大器·集成运放应用中的实际问题学时数 6课件下载：mndzjs2008@http://www.77cn.com.cn密码：mndzjs2008

基本要求·了解各种电流源的工作原理、特点和主要用途·掌握差模信号、共模信号、差模电压增益、共模电压增益和共模抑制比等基本概念·了解差分放大电路的工作原理和特点·掌握差分放大电路的静态和动态指标的计算·了解集成运算放大器的基本组成和主要参数·了解失调电压和失调电流对实际运放的影响及零漂的消除方法课件下载：mndzjs2008@http://www.77cn.com.cn密码：mndzjs2008

不是所有的器件都能集成如果