lga-4100半导体激光气体分析仪测得数据与实际数据不符

LGA-4100 FOCUSED PHOTONICS INC 半导体激光气体分析仪 用户手册

LGA-4100半导体激光气体分析仪 用户手册

FOCUSED PHOTONICS INC 阅 读 说 明

用户须知

非常感谢您选择使用本公司的LGA-4100半导体激光在线气体分析产品（以下简称：LGA-4100激光气体分析仪）。在使用本产品前，请仔细阅读本用户手册。本手册涵盖产品使用的各项重要信息及数据，用户必须严格遵守其规定，方可保证LGA-4100激光气体分析仪的正常运行。同时，相关信息可帮助用户正确使用该产品，并获得准确的分析结果，节省由咨询等服务产生的额外成本。

概况

本手册所介绍的产品在离厂前均经过严格的检验，以确保产品具有一流品质。同时为了保证其安全、优质的运行，获得正确的分析结果，用户必须严格按照制造商所述使用方法进行系统操作。另外，恰当的运输、仓储和安装及合理的操作和维护都有助于系统的安全和正常运行。

本手册详细介绍了正确使用LGA-4100激光气体分析仪的所有信息。它为受过专门培训或具有仪器操作控制相关知识（例如自动化技术）的技术人员提供了准确的使用参考。了解本手册所涉及的安全信息和警告信

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概况

本手册所介绍的产品在离厂前均经过严格的检验，以确保产品具有一流品质。同时为了保证其安全、优质的运行，获得正确的分析结果，用户必须严格按照制造商所述使用方法进行系统操作。另外，恰当的运输、仓储和安装及合理的操作和维护都有助于系统的安全和正常运行。

本手册详细介绍了正确使用LGA-4100激光气体分析仪的所有信息。它为受过专门培训或具有仪器操作控制相关知识（例如自动化技术）的技术人员提供了准确的使用参考。了解本手册所涉及的安全信息和警告信

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本文对集成电路芯片厂中的大宗气体系统的设计过程作了概括性的描述，对当前气体设计技术及其发展方向作了探讨，同时结合自己对多个FAB厂房的设计经验提出了设计中值得注意的问题和解决方案。

This paper introduces a general design process for Bulk Gas System in FAB.Current gas design technology and its development direction are also discussed.Based on the author抯 experience in FAB design,several potential problems in design and relevant solutions are issued.

1995年，美国半导体工业协会（SIA）在一份报告中预言：\中国将在10-15年内成为世界最大的半导体市场\。随着中国经济的增长和信息产业的发展，进入21世纪的中国半导体产业市场仍将保持20%以上的高速增长态势，中国有望在下一个十年成为仅次

半导体常见气体的用途

1硅烷（SiH4）:有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。

2、锗烷（GeH4 :剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。

3、磷烷（PH3 :剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。同时也用于多晶

硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCV工艺、磷硅玻璃（PSG钝化膜制备等工艺中。

4、砷烷（AsH3 :剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。

5、氢化锑（SbH3 :剧毒。用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。

6、乙硼烷（B2H6 :窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。

7、三氟化硼（BF3 :有毒，极强刺激性。主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。

8、三氟化氮（NF3 :毒性较强。主要用于化学气相淀积（CVD 装置的清洗。三氟化氮

可以单独或与其它

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激光粒度分析仪性能评价指标介绍

以往的粒度分析方法通常采用筛分或沉降法。常用的沉降法存在着检测速度慢(尤其对小粒子)、重复性差、对非球型粒子误差大、不适用于混合物料、动态范围窄等缺点。随着激光衍射法的发明，粒度丈量完全克服了沉降法所带来的弊端，大大减轻了劳动强度及加快了样品检测速度(从半小时缩短到了1分钟)。

激光衍射法丈量粒度大小基于以下事实：即小粒子对激活的散射角大，大粒子对激光的散射角小。通过散射角的大小丈量即可换算出粒子大小。其依据的光学理论为米氏理论和弗朗霍夫理论。其中弗霍理论为大颗粒米多理论的近似，即忽略了米氏理论的虚数子集，并且假定颗粒不透明;并忽略光散射系统和吸收系统，即设定所有分散剂和分散质参数均为1，因此数学处理上要简单得多，对有色物质和小粒子误差也大得多。同样，近似的米氏理论对乳化液也不适用。

另外，根据瑞利散射定律，散射光的光强与颗粒直径的六次方成正比，与散射光的光源波长的四次方成反比，这意味着颗粒直径减少10倍，散射光强将减弱100万倍。而光源波长越短，散射光强度越高。

再者，由于小粒子散射角大，而主检测器面积有限，一般只能接受到最多45度角的散射光(即大于0.5微米的料子)。那么，如何检测小

桂林电子科技大学毕业设计（论文）报告用纸 摘要

半导体激光器

摘 要

这篇文章综述了半导体激光器的工作原理，并对其工作原理进行讨论。自1964年初以来，人们加大了半导体激光器的研究度。目前有关于砷化镓半导体激光器的最先进技术已经有所进展。

自从1962年首次在砷化镓中发现受激激发光子的现象后，使得半导体激光器领域取得了相当大的进步。现已存在由不同材料制成的各种各样的激光器。激光光波长的范围已经从可见光扩展到紫外线和红外线。紫外线和红外线是光谱中可见光波长两端之外的波长。已经可以利用的有以下几种泵浦源，如：P-N结，电子注入，光泵浦，雪崩注入。

本文将探讨半导体激光器的工作原理。为了使该探讨具有完整性，半导体激光器的工作原理也会涉及到。早期的工作，追随到1964年二月，在早期的报纸上已经发表了多种关于激光器原理的文章，例如，G.Burns 的《 P-N结激光器》和当今的作者（代表有BN）的文章。因此，本文将只浅显地涉及到有关于半导体激光器的早期工作、近期发展的主要方向和目前的最新水平。其它有关于半导体激光器工作原理的文章在文献[11]至[14]中出现。

传统植物乙烯测量都是离体破坏性的,该方法可以非破坏性测量、监测植物乙烯释放量

泽泉开放实验室 泽 泉 科 技 有 限 公 司

Zealquest Laboratory Zealquest Scientific Technology Co., Ltd.

CI-900 便携式乙烯气体分析仪

CI-900便携式乙烯气体分析仪提供实时的乙烯气体浓度的精密测量，紧凑的仪器结构适用于野外和实验室使用；在种植业、储藏加工业、植物科学研究、植物生长技术以及生产诊断中得到广泛应用 仪器特性

·CI - 900分析仪实时、定时精密测量乙烯气体浓度 ·便携式结构设计适用于野外和实验室使用 ·传感器专利工艺技术纳米多孔金膜传感器 ·高灵敏度，测量空气中的低于10 ppb的乙烯浓度 ·可调整取样时间速度

·数据输出EXCEL表格

技术参数

·运行环境：5℃～45℃；10～90%RH ·非破坏性测量，可实时、连续测量 ·传感器类型：电气化学纳米多孔金膜 ·测量范围

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第25卷 第15期 2005年8月 中 国 电 机 工 程 学 报

Proceedings of the CSEE Vol.25 No.15 Aug. 2005

©2005 Chin.Soc.for Elec.Eng.

文章编号：0258-8013（2005）15-0121-06 中图分类号：TK314 文献标识码：A 学科分类号：470 20

利用可调谐半导体激光吸收光谱技术对

气体浓度的测量

李 宁，王 飞，严建华，马增益，岑可法

（浙江大学能源洁净利用与环境工程教育部重点实验室，浙江省 杭州市 310027）

THE TUNABLE DIODE LASER ABSORPTION SPECTROSCOPY FOR GAS

CONCENTRATION MEASUREMENT

LI Ning, WANG Fei, YAN Jian-hua, MA Zeng-yi, CEN Ke-fa

（Zhejiang University, Clean Energy and Environment Engineering Key Laboratory of Ministry of Education,

Hangzhou 310027, Z

半导体量子阱激光器

摘要：随着社会的进步和科学技术的发展,人们对信息服务的需求越来越大,社会的运作和发展对信息的依赖性越来越强。智能光网络(ASON)、光纤到户(FTI,H)、密集波分复用(DWDM)等光通信技术是以后信息技术发展的最有前景的技术,光通信将向着超高速、大容量、智能化、低成本、高可靠性的新一代的光通信技术迈进。半导体激光器是重要的光通信器件,而量子阱激光器以其较低的阂值电流为优势,吸引人们去研究和优化。

1 引言

半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，较常规激光器而言，产生激光的具体过程比较特殊。

半导体激光器工作物质的种类有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。工作物质的结构也可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。其从激励方式上来说，则又有电注入、电子束激励和光泵浦三种。总之，我们根据诸如光纤等具体应用的特定需求，可根据以上分类方法量身定制激光器。

半导体激光器具有许多突出的优点：半导体激光器体积小、重量轻、可靠性高、转换效率高、功耗低、驱动电源简单、能直接调制、 结构简单、价格低廉、使用安全、覆盖波段范围广、使用寿命长、易集成等。其应用领域非常广泛，