电路与模拟电子技术第三版答案

模拟电子技术基础第三版

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V

五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE

＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。

六、1、

IB

IC

VBB UBE

26μA

Rb

IB 2.6mA

UCE VCC ICRC 2V

UO＝UCE＝2V。

2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

IC

IB

VCC UCES

2.86mA

RcIC

28.6μA

Rb

VBB UBE

45.4k

IB

七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 ui和uo的波形如图所

第一章常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 解：（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）× 二、选择正确答案填入空内。 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V， UO6≈－2V。

四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

解：UO1＝6V，UO2＝5V。 五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM

＝200mW，试画出它的过损耗区。

解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。

解图T1.5

六、电路如图T1.6

所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问：

（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？

模拟电子技术基础第三版

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V

五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE

＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。

六、1、

IB

IC

VBB UBE

26μA

Rb

IB 2.6mA

UCE VCC ICRC 2V

UO＝UCE＝2V。

2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

IC

IB

VCC UCES

2.86mA

RcIC

28.6μA

Rb

VBB UBE

45.4k

IB

七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 ui和uo的波形如图所

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

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模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)希望能对大家有帮助~ -------来自肇庆学院某学子一下午的心血!

第1章 常用半导体器件

1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小

(3)工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83 B.91 C.100

(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。

A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知ui压可忽略不计。

10sin t(V)，试画出ui与uo的波形。设二极管导通电

图P1.2 解图P1.2

解：ui与uo的波形如解

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为：23?10?A?80?A+

习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示：①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压，如图(b)，此时二极管的电流I 和电压U各为多少？②如将图(b)中的1.5V电压改为3V，则二极管的电流和电I/mA压各为多少？3+ U -解：根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。

习题1-4已知在下图中，uI= 10sinωt (V)，RL=1k?

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为：23?10?A?80?A+

习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示：①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压，如图(b)，此时二极管的电流I 和电压U各为多少？②如将图(b)中的1.5V电压改为3V，则二极管的电流和电I/mA压各为多少？3+ U -解：根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。

习题1-4已知在下图中，uI= 10sinωt (V)，RL=1k?

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数字电子技术

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第3章 布而代数与逻辑函数化简学习要点： 学习要点： 三种基本运算，基本公式、定理和规则。 逻辑函数及其表示方法。 逻辑函数的公式化简法与卡诺图化简法。 无关项及其在逻辑函数化简中的应用。

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3.1 基本公式和规则3.1.1 逻辑代数的公式和定理 (1)常量之间的关系与运算： 0 0 = 0

0 1 = 0

1 0 = 0

1 1 = 1

或运算： 0 + 0 = 0非运算： 1 = 0

0 +1=10 =1

1+ 0 =1

1+1=1

(2)基本公式

A + 0 = A 0-1 律： A 1 = A互补律： A + A = 1

A +1 = 1 A 0 = 0

A A = 0

双重否定律： A = A

等幂律： A + A = A

A A = A

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(3)基本定理

A B = B A 交换律： A + B = B + A ( A B) C = A ( B C ) 结合律： ( A + B) + C = A + ( B + C )

A 0 0

电子电路基础 科 课 时 计 划§ 第 1 章 常用半导体器件 § 1-1 晶体二极管 § 旧课回顾 ① 同学们还记得上学期我们有没有学过半导体器件 ? 我们学习过那些晶体 管？ ② 自然物质的铁和铜与塑料、玻璃在导电性能方面有何区别？ § 教学目的 (5 分钟) ① 了解本征、杂质半质体的导电特性及 PN 结中截流子的运动； ② 掌握半导体的伏安特性及其主要参数，理解稳压管的原理及应用，了解 PN 结的电容效应。 一、半导体的基础知识 1.什么是半导体 导体：铁、铝、钢(金属材料) 按导电能力分 绝缘体：木(塑料、木材、陶瓷等) 硅 Si 半导体：导电介于导体与绝缘体之间 锗 Ge 2.本征半导体 本征半导体--化学成分纯净的半导体。 自由电子(带负电，可移动) 内部存数量相等的两种截流子 空穴(带正电，不可移动) 3.杂质半导体 在纯净半导体(本征半导体)中掺入微量合适的杂质元素，可使半导体的 导电能力大大增强。 杂质半导体分： (1)N 型半导体-又称电子型半导体，其内部自由电子数量多于空穴数量，即 自由电子是多数截流子(多子) ,空穴是少数截流子(少子) 。 (负电多于正电) (2)P 型半导体

全书分为电路基础理论和模拟电子技术基础两大部分。电路理论部分包括直流电路分析、暂态电路分析和正弦交流电路3章。模拟电子技术部分包括半导体二极管和晶体管、基本放大电路、放大电路中的负反馈、集成运算放大器及应用和直流稳压电源5章。每章均安排了一节应用实例与计算机辅助分析的内容本书注重基础,突出应用,基本概念讲述清楚,分析方法讲解透彻,例题、练习题、计算机仿真题配置齐全,难易度适中,便于教师施教和学生自学

电路与模拟电子技术基础成谢锋，周井泉

第一章 第二章 第三章 第四章 第五章 第六章 第七章

直流电路分析 一阶动态电路 正弦交流稳态 半导体二极管及其基本电路 晶体三极管及其放大电路 放大器中的反馈 集成运算放大器的应用电路

全书分为电路基础理论和模拟电子技术基础两大部分。电路理论部分包括直流电路分析、暂态电路分析和正弦交流电路3章。模拟电子技术部分包括半导体二极管和晶体管、基本放大电路、放大电路中的负反馈、集成运算放大器及应用和直流稳压电源5章。每章均安排了一节应用实例与计算机辅助分析的内容本书注重基础,突出应用,基本概念讲述清楚,分析方法讲解透彻,例题、练习题、计算机仿真题配置齐全,难易度适中,便于教师施教和学生自学

第一章 直流电路 主要内容：