芯片版图设计要求

在集成电路技术发展越来越快、集成电路市场竞争越来越激烈的今天,如何降低芯片制造成本,是各个芯片设计公司关心的头等大事。而对于芯片设计工程师来说,芯片面积的优化和估算已经成为降低芯片制造成本的重要课题。

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巾国集成电路C hi na nt gr t I e a ed icu i C r t

设计

芯片版图面积的设计优化北京中电华大电子设计有限责任公司 张颖潘亮在集成电路技术发展越来越快、集成电路市场竞争越来越激烈的今天，如何降低芯片制造成本，是各个芯片设计公司关心的头等大事。而对于芯片设计工程师来说，芯片面积的优化和估算已经成为降低芯片制造成本的重要课题。硬块 17 A 5 6

为逻辑电路经过布局布线所占到的形状和面积。

影响芯片面积的因素有很多方面，有系统设计的问题， V ro代码编写风格的问题，有 el ig有综合时约束条件设置的问题，有工艺制造厂商 ( on￣) F ud提供的工艺线宽的问题。由于篇幅有限，我们不想讨论集成电路设计的前端 (rned和工艺对芯片 Fot ) n面积的影响，只考虑后端 ( akn设计过程中而 B ced)l 0

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硬块 2

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的一些问题。因此，我们假定使用 H N C

苏州市职业大学工科类毕业论文(设计)

摘要

静电放电(简写为ESD)是集成电路(简写为IC)在制造、运输、以及使用过程中经常发生并导致IC芯片损坏或失效的重要原因之一。工业调查表明大约有40％的IC失效与ESD/EOS(过强的电应力)有关。因此，为了获得性能更好更可靠的IC芯片，对ESD开展专门研究并找到控制方法是十分必要的。随着芯片尺寸的持续缩小，ESD问题表现得更加突出，已成为新一代集成电路芯片在制造和应用过程中需要重视并着力解决的一个重要问题。

论文论述了CMOS集成电路ESD 保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD 保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD 保护结构的设计要求。

论文所做的研究工作和取得的结果完全基于GGNMOS的器件物理分析，是在器件物理层次上研究ESD问题的有益尝试；相对于电路层次上的分析结果，这里的结果更加准确和可靠，可望为GGNMOS ESD保护器件的设计和制造提供重要参考。

关键词：静电放电(ESD)；接地栅NMOS；保护器件；电源和地

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苏州市职业大学工科类毕业论文(设计)

Abstract

The electrostatic discharge (ESD) i

沈阳理工大学课程设计

目录

1绪论............................................................................................................................. 2 1.1 设计背景 ............................................................................................................. 2 1.2 设计目标 ............................................................................................................. 2 2与门电路设计............................................................................................................. 3 2.1电路原理 ...............

中国芯抬头手机芯片版图将面临重构.pdf

中国芯抬头：手机芯片版图将面临重构？

中国芯抬头：手机芯片版图将面临重构？

手机芯片领域这两年一直处于“热运动”状态下：在2014年，英伟达、博通、爱立信等国外芯片公司先后宣布退出手机芯片市场；在2015年，高通传来业绩下滑、裁员甚至分拆的消息。

与此同时，中国芯片厂商似乎一片利好：Marvell待价而沽，接盘手落地中国；紫光集团强势收购展讯和锐迪科，展讯呈现复苏迹象；联芯科技4G芯片市场也占得一席；海思也因华为手机销量的增长而成为成功案例。

此外，市场上还存在着英特尔、联发科技、苹果、三星等等“变量”。这些微妙的变化是否意味着高通寡头局面的终结？中国芯是否将在这次手机芯片版图的重构中崛起？

高通寡头局面将终结？

高通发布最新财报公布裁员计划，预计裁员比例超过10%，达到4000名。同时，财报显示第二季度净利为12亿美元，比去年同期22亿美元下滑了47%。高通大股东风险基金JanaPartnersLLC先前呼吁该公司拆分，而公司也似乎有拆分之意。

作为一直傲居手机芯片领域霸主地位的高通，今年态势堪忧。实际上，近两年高通在手机芯片领域的市场份额一直在下滑。来自StrategyAnalytics跟踪的数据显示，2013年

1、什么是版图设计？版图设计的依据有那些？

按照电路的要求和一定的工艺参数，设计出元件的图形,并进行排列互连，以设计出一套 供IC制造工艺中使用的光刻掩膜版的图形，称为版图或工艺复合

版图设计依据：一定功能的电路结构；一定的工艺规则；可制造性

2简述采用标准单元技术的集成电路设计流程。

功能定义与说明 设计者或高级综合设计系统 用户设计逻辑图 逻辑图输入单元逻辑符号库 逻辑模拟、时序模拟单元电路功能库 标准单元单元拓扑库布局、布线 设计系统 提取布线寄生参数工艺、电学参数 生成测试向量逻辑模拟、时序模拟 转换拓扑图为掩模版版图单元版图库 生产厂家芯片制造 3比较接触孔（contact）和通孔（via）的异同。

接触孔特指最低层金属孔，用于将最低层金属和多晶硅或者扩散层连接起来。 而通孔则是指允许更高层金属进行相互连接的孔

4什么是版图设计规则？解释?设计规则？采用这种设计规则的优点和缺点？

考虑器件在正常工作条件下，根据实际工艺水平和成品率要求，给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给他们的最小值，以防止掩模图形的断裂、连接和一些不

1、 开机后，修改系统时间为当前时间。 2、 启动虚拟机程序

3、 进入虚拟机主界面，选择file——open

4、 找到cadence径向文件

5、 单击如图按钮

6、 进入如下图界面，同时按下ctrl，Alt和回车键，全屏显示，用户名：jcdl或lxb 码：123456

7、 输入用户名和密码，回车后，进入以下界面。

8、 在桌面右键，选择第一个选项open terminal，启动命令行格式

密

9、 cd回车，确保最根目录下，输入icfb回车

10、 启动cadence，选择tools——library manager

11、 进入下图界面

12、 新建一个库。

13、 取名：new，然后点击ok按钮

14、 选择第二项，Attach to a existing techfile，然后点击ok按钮。

目 录

第1章 N/P MOS晶体管的版图设计

教学导航 ................................................................................................................................. 13 情境1 N/P MOS晶体管的版图设计 .................................................................................... 13 1.1 项目创建 .......................................................................................................................... 13

1.1.1 软件环境设置 ....................................................................... 错误！未定义书签。 1.1.2 工艺文件导入 ...............

集成电路版图设计

班级 姓名 学号

摘要：介绍了集成电路版图设计的各个环节及设计过程中需注意的问题，然后将IC版图设计与PCB版图设计进行对比，分析两者的差异。最后介绍了集成电路版图设计师这一职业，加深对该行业的认识。

关键词: 集成电路版图设计 PCB版图设计 版图设计师

Abstract

Introduces the integrated circuit layout design each link and the problems needing attention in the design process, and then the IC layout design and PCB layout design are compared, analyzed the differences. Finally introduced the IC Layout Designer this occupation, deepen the understanding of the industry.

Keyw

版图设计

IC工艺和版图设计第二章 版图设计规则

主讲：莫冰Email:mobing@ 华侨大学信息学院电子工程系厦门专用集成电路系统重点实验室

版图设计

参考文献1 . Alan Hastings著 . 张为 译 . 模拟电路版 图的艺术.第二版 . 电子工业出版社 . CH2-3

2 . R.Jacobs Baker著 . 陈中建 译 . CMOS电路 设计布局与仿真 . 第一版. 机械工业出版社.CH2-4 3 . Michael Quirk 著 . 韩郑生 译 . 半导体制 造技术 . 第一版 . 电子工业出版社 . CH4、CH9 4 . CSMC 0.5um DPTM Mixed Signal Technology Technology Topological Design Rule

华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室

Copyright by Mo Bing

版图设计

本章主要内容

版图层次定义

Layout

版图设计规则 简单反相器版图

华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室

Copyright by Mo Bing

版图设计

版图层次定义Layout 1. 有源区 2.N阱 3. 场注入 4. 正常Vth沟道注入 5. 低Vth NMOS沟道注入 6.

C M O S反相器的版图设

计

-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

实验一：CMOS反相器的版图设计

一、实验目的

1、创建CMOS反相器的电路原理图(Schematic)、电气符号(symbol)以及版图(layout);

2、利用’gpdk090’工艺库实例化MOS管；

3、运行设计规则验证(Design Rule Check,DRC)确保版图没有设计规则错误。

二、实验要求

1、打印出完整的CMOS反相器的电路原理图以及版图；

2、打印CMOS反相器的DRC报告。

三、实验工具

Virtuoso

四、实验内容

1、创建CMOS反相器的电路原理图；

2、创建CMOS反相器的电气符号；

3、创建CMOS反相器的版图；

4、对版图进行DRC验证。

2

1、创建CMOS反相器的电路原理图及电气符号图

首先创建自己的工作目录并将/home/iccad/cds.lib复制到自己的工作目录下（我的工作目录为/home/iccad/iclab），在工作目录内打开终端并打开

virtuoso(命令为icfb &).

在打开的icfb –log中选择tools->Library Manager,再创建自己的库，在当前的对话框上选择File->New->Li