电子技术基础模拟试卷

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《模拟电子技术基础》试卷

标签:文库时间:2024-11-05
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成都理工大学

《模拟电子技术基础》重考试卷

大题 得分 一 二 三 四 五 总 分

一、 选择填空(本大题共13小题,每小题2分,共26分) 1、处于反向偏置时,PN结的耗尽层( )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变

2、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( )。

(a)正、反向电阻相等 (b)正向电阻大,反向电阻小 (c)反向电阻比正向电阻大很多倍 (d)正、反向电阻都等于无穷大

3、测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、0.7V和4.7V,则该管为( )。

(a)NPN型锗管 (b)PNP型锗管 (c)NPN型硅管 (d)PNP型硅管

4、电路如图所示,静态时晶体管处于( )。

RC

(a)饱和状态 (b)放大状态 (c)截止状态

?T

RB5、整流滤波电路中,电容C不变,负载电阻RL愈小,则

输出电压平均值UO应( )。

(a)不变 (b)愈

模拟电子技术基础试卷3答案

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一、填空题(请将答案填在相应的答题线上。每空2分,共22分)

1.在本征半导体中加入 三 价元素可以形成P型半导体。

2.场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的,所以它是 电压 控型器件。 3.电路如图1-1所示,设二极管导通电压UD?0.7V,则该电路的输出电压值U? 0 V。 4.电路如图1-2所回示,则该电路输出电压uO与输入电压uI的关系为 uO???1RC?udt 。

I5.已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示,则其中频电压放大倍数|Aum|为 100 ,电路的上限频率fH? 105 Hz。

20lg|Au|/dB?C40uID2VRA30uO20100RU

R'

100101102103104105106f/Hz

图1-1 图1-2 图1-3

6.按照滤波电路的工作频率,阻止某一频率范围的信号,频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均能通过的滤波器称为 带阻

模拟电子技术基础

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模拟电子技术基础

一、基础题

1、在图中,RF反馈电路引入的是:

RFR1?ui?R2RLR A.并联电流负反馈 B.串联电压负反馈 C.并联电压负反馈 D.串联电流负反馈 答案A

2、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 答案×

3、在纯净的半导体中如果掺入三价元素,就是P型半导体。

答案√

4、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 答案×

5、双极性三极管的电流不仅有多子的运动,也要考虑少子的运动; 答案√

6、二极管的伏安特性上有一个死区电压,这个电压的大小与半导体的材料有关; 答案√

7、NPN晶体管的发射区和集电区都是N型半导体,所以发射极和集电极可以调换使用; 答案×

8、晶体管是电流控制元件; 答案√

9、发光二极管(LED)发光时一定是正向导通的; 答案√

10、将PN结的N区接电源的正极,P区接电源的负极,则为PN结的_______偏置。 答案:反向。

11、本征半导体就是完全纯净的、具有_______结构的半导体;用得最多的半导体材料就是_______和_______; 答案:晶体;硅;锗;

12、二极管具有_______导电性;稳压二极管是一种特殊的二极管,它一般工作在____

模拟电子技术基础试卷及答案

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模拟电子技术基础试卷及答案

一、填空(18分)

1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。

2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V,经过电容滤波后为 12 V,二极管所承受的最大反向电压为 14 V。 3.差分放大电路,若两个输入信号uI1uI2,则输出电压,uO 0 ;若u I1=100?V,u I 2=80?V则差模输入电压uId=20?V;共模输入电压uIc=90 ?V。

4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。

5.若三级放大电路中Au1Au2,Au3,则其总电压增益为 80 dB,折合为 104 倍。

6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ 0 、静态时的电源功耗PDC 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出

电子技术基础试卷

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2014—2015学年第一学期期末考试卷

科目:《电子技术基础》

班级 13-3 姓名 学号

题目 一 二 三 四 五 总分 成绩

一 、选择题(每小题2分,共40分)

1. 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管 。 A.立即导通 B.到0.3V才开始导通 C.超过死区电压时才开始导通 2. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到 硅二极管的负极,则该管 。

A.基本正常 B.将被击穿 C.将被烧坏

3. 当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于 。 A.很小的电阻 B.很大的电阻 C.断路

4.某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压 。 A.约等于150V B.略大于150V C.等于75V 5. 当环境温度升高时,二极管的反向电流将 。 A.增大 B.减小

电子技术基础试卷

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2014—2015学年第一学期期末考试卷

科目:《电子技术基础》

班级 13-3 姓名 学号

题目 一 二 三 四 五 总分 成绩

一 、选择题(每小题2分,共40分)

1. 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管 。 A.立即导通 B.到0.3V才开始导通 C.超过死区电压时才开始导通 2. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到 硅二极管的负极,则该管 。

A.基本正常 B.将被击穿 C.将被烧坏

3. 当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于 。 A.很小的电阻 B.很大的电阻 C.断路

4.某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压 。 A.约等于150V B.略大于150V C.等于75V 5. 当环境温度升高时,二极管的反向电流将 。 A.增大 B.减小

数字电子技术基础A试卷网上模拟试卷

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数字电子技术基础A模拟试卷

一、填空题(20分)

1、将十进制100转换成二进制 ( )B 、八进制 ( )O 和十六进制数 ( )H。十进制10.75转换成二进制 ( )B 、八进制 ( )O 和十六进制数 ( )H。将十进制数1672转换成8421BCD码( )8421BCD 。

2、在 输入情况下,正逻辑“异或”运算的结果是逻辑0。 3、当逻辑函数有n个变量时,最多有 个最小项。 4、数字系统中,正逻辑的与非门等于负逻辑的 门电路。 5、TTL与非门为提高开关速度,可采取 措施。

6、CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是 。7、CMOS传输门不仅可以作数字开关,还能作 开关。

8、逻辑表达式Y=?A?C?B?C中, 存在竞争冒险。(可能or 不) 9、存储8位二进制信息要 个触发器。

10、多谐振荡器可产生 信号波形。在数字系统中, 电路可以产生脉冲定时。

11、用555定时器组成施密特触发器,当输入控制端CO外接10V电压时,回差电压为 。

12、一个无符号12位数字量输入的DAC,其分辨率为

《模拟电子技术基础》实验

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模拟电子技术基础

实验一 常用电子仪器的使用

一、实验目的

1.学习和掌握示波器、低频信号发生器、交流毫伏表、稳压源、万用表的正确使用方法。 2.用示波器测量交流信号的有效值和频率。 二、实验设备和器件 1.双踪示波器

2.低频信号发生器 3.直流稳压源

4.交流毫伏表、万用表 三、实验说明

1.实验前应仔细查阅实验所用仪器的使用说明书,了解仪器面板上各旋钮的功能。 2.示波器常用于观察波形,测量信号的频率、幅度等参数。

(1)示波器有单踪、双踪两类显示方式。单踪显示包括YA、YB、YA +YB,双踪显示包括交替和断续,共计五种显示方式。在做双踪显示时如果信号频率较低,易采用断续方式,以便在一次扫描中同时显示两个波形,通常情况下常采用交替方式显示。 (2)开机后可通过寻迹按钮快速找到扫描光点,然后通过水平和垂直调节旋钮将光点置中。 (3)调节波形显示时,以下几个控制开关和按钮有助于稳定波形。 扫描速率开关(旋钮):根据被测信号频率大小选择合适的位置。 灵敏度开关(旋钮):根据被测信号幅度大小选择合适的位置。 触发源选择开关:通常为内触发。

触发方式开关:为便于找到波形通常置于自动位置,当波形稳定情况较差时,可置于常态位置,通过调节触发电平旋钮,在示波器上调

模拟电子技术基础教案

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《模拟电子技术基础》教案

1、本课程教学目的:

本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。

2、本课程教学要求:

1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。

2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。

3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。

4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材:

童诗白编,《模拟电子技术

电子技术基础模拟试题

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《电子技术基础》考试模拟样卷

《电子技术基础》模拟试题一

一、选择题(每空2分 共30分)

1、PN结正偏时( ),反偏时( ),所以PN结具有( )导电性。

2、漂移电流是( )电流,它由( )载流子形成,其大小与( )有关,而与外加电

压( )。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为( ),等效成一条直线;当其反偏时,结电

阻为( ),等效成断开;

4、三极管是( )控制元件,场效应管是( )控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结( ),集电结( )。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic( ),发射结压降( )。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是( )、( )、( )放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用( )负反馈,为了稳定交流输出电流采用

( )负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=( ),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=

( )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=( )BW,其中BW=( ), ( )称为反馈深度。

11、