模拟电子技术简明教程第三版第六章答案
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模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A+
习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电I/mA压各为多少?3+ U -解:根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?
模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A+
习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电I/mA压各为多少?3+ U -解:根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?
数字电子技术基础简明教程第三版1-3章(含答案)
第一章(选择、判断各20题,填空、思考27题)
一、选择题
1.以下代码中为无权码的为 。
A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C. 余三码 D. 格雷码 2.以下代码中为恒权码的为 。
A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C. 余三码 D. 格雷码 3.一位十六进制数可以用 位二进制数来表示。 A. 1 B. 2 C. 4 D. 16 4.十进制数25用8421BCD码表示为 。
A.10 101 B.0010 0101 C.100101 D.10101 5.在一个8位的存储单元中,能够存储的最大无符号整数是 。 A.(256)10 B.(127)10 C.(FF)16 D.(255)10 6.与十进制数(53.5)10等值的数或代码为 。
A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(110101.1)2 D.(65.4)8 7.矩形脉冲信号的参数有
模拟电子技术基础简明教程(第三版)(余孟尝主编)(一,二章答
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?,试对应地画出二极管的电流iD、电压uD以及输出电压uO的波形,并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。uI/V+ u10D-++0uIii?tD/mA-DRuLD-10(a)u0I/V?t0?tu-10o/V100?t- 1 -
习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电压各为多少?I/mA解:根据图解法求解3+ U -①电源电压为1.5V时21
模拟电子技术基础简明教程习题答案
简明基础课程 课后答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:2 3 10 A 1.25 A
在80℃时的反向电流约为:23 10 A
80 A
简明基础课程 课后答案
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流IZ、动态电阻rZ以及温度系数αU,是大一些好还是小一些好?
答:动态电阻rZ愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流IZ愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
简明基础课程 课后答案
习题1-6 某稳压管在温度为20℃,工作电流为5 mA时, 稳定电压UZ=10V,已知其动态内阻rZ=8 ,电压的温度系 数α U
模拟电子技术基础第三版课后习题答案
模拟电子技术基础第三版
一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE
=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
六、1、
IB
IC
VBB UBE
26μA
Rb
IB 2.6mA
UCE VCC ICRC 2V
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
IC
IB
VCC UCES
2.86mA
RcIC
28.6μA
Rb
VBB UBE
45.4k
IB
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所
模拟电子技术童诗白第三版答案
第一章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 解:(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)× 二、选择正确答案填入空内。 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。 解:UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V, UO6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
解:UO1=6V,UO2=5V。 五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率PCM
=200mW,试画出它的过损耗区。
解:根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。
解图T1.5
六、电路如图T1.6
所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。试问:
(1)Rb=50kΩ时,uO=?
模拟电子技术基础第三版课后习题答案
模拟电子技术基础第三版
一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE
=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
六、1、
IB
IC
VBB UBE
26μA
Rb
IB 2.6mA
UCE VCC ICRC 2V
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
IC
IB
VCC UCES
2.86mA
RcIC
28.6μA
Rb
VBB UBE
45.4k
IB
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所
《电路理论基础》(第三版 陈希有)习题答案第六章
答案6.22
解:对图(a)电路做戴维南等效,如图(b)所示。
U?+OCU?Zin-(b)
Zi?j?L?1/(j?C) (1) USOC?Ij?C (2) 由图(b)可知,当Zi?0时,电阻两端电压U与电阻R无关,始终等于
UOC(R?0)。
由式(1)解得
??1/LC?100rad/s
将式(3)代入式(2)得
U?UOC?10?0?A?1j100rad/s?0.01F?10??90?V
u?102cos(?t?90)V
答案6.23
解:先对图(a)电路ab端左侧电路作戴维南等效,如图(b)所示。I?RU?OCCZi(b)
令
XL??L?2000rad/s?2?10?3H?4? 得等效阻抗
Z??j4?i?8?//8?//j4??44??j4??2(1?j)?
由
i?UOC1Zi?R?j?C
知,欲使电流i有效值为最大,电容的量值须使回路阻抗虚部为零,即:
Im[Zi?R?11]?2??0 j?C?C等效后电路如图(b)所示。
解得
1C??250μF
模拟电子技术习题册第二章至第六章答案
【2-1】 填空:
1.本征半导体是 ,其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。
2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
3.漂移电流是 在 作用下形成的。
4.二极管的最主要特征是 ,与此有关的两个主要参数是 和 。
5.稳压管是利用了二极管的 特征,而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是 、 、 、和 。 6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将 。
1. 完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。 2. 杂质浓度,温度。
3. 少数载流子,(内)电