VDmos工艺仿真报告

VDMOS工艺流程

VDMOSFET 的结构– 基本结构 n+ 衬底，漏极 D n- 外延层，漂移区 p 阱(又叫 p 基区 或体区) n+ 源区，源极 S 多晶硅栅，栅氧层， 栅极 G

– 整个器件的构成 前述结构实际只是器件的一个元胞，整个器件实际是 由很多这样的元胞并联而成的 剖面图

立体图

VDMOS与MOSFET的比较： 小信号 MOSFET(横向器件) 对应的 VDMOSFET(纵向器件)

CHANNEL

小信号 MOSFET5

VDMOS工艺流程1、原始硅片磨抛：原始硅片磨去40µm,抛 光80µmN+ <100> 535µm

2、清洗 ，并且用显微镜检查表面 3、外延生长N-: =20~30Ω· cm, d=45µ mNN+6

4、清洗 5、氧化： dox=6500±250Å 800℃-1000℃- 800℃ 6、一次版N-

N+

7、腐蚀，去胶，清洗 腐蚀：温度25℃

8、P+扩散 预扩：R□=80~100Ω/□ 700℃-940℃-700℃ 主扩：R□=150~180Ω/□ 800 ℃ -1150 ℃ -800 ℃

4.1.7栅氧厚度的最优化

下面介绍如何使用DECKBUILD中的最优化函数来对栅极氧化厚度进行最优化。假定所测量的栅氧厚度为100Å，栅极氧化过程中的扩散温度和偏压均需要进行调整。为了对参数进行最优化，DECKBUILD最优化函数应按如下方法使用：

a. 依次点击Main control和Optimizer…选项；调用出如图4.15所示的最优化工具。第一个最优化视窗显示了Setup模式下控制参数的表格。我们只改变最大误差参数以便能精确地调整栅极氧化厚度为100Å；

b. 将Maximum Error在criteria一栏中的值从5改为1；

c.

接下来，我们通过Mode键将Setup模式改为Parameter模式,并定义需要优化参数（图4.16）。

图4.15 DECKBUILD最优化的Setup模式

图4.16 Parameter模式

需要优化的参数是栅极氧化过程中的温度和偏压。为了在最优化工具中对其进行最优化，如图4.17所示，在DECKBUILD窗口中选中栅极氧化这一步骤；

图4.17 选择栅极氧化步骤

d. 然后，在Optimizer中，依次点击Edit和Add菜单项。一个名为Deckbuild：Parameter Defin

乙醛氧化制醋酸工艺仿真软件 ——氧化工段

目录

第一章 概述 ..........................................................................................................1 第二章 生产方法及工艺路线..............................................................................2 2.1 生产方法及反应机理 ....................................................................................2 2.2 工艺流程简述 ................................................................................................3 2.2.1 装置流程简述 .........................................................

乙醛氧化制醋酸工艺仿真软件 ——氧化工段

目录

第一章 概述 ..........................................................................................................1 第二章 生产方法及工艺路线..............................................................................2 2.1 生产方法及反应机理 ....................................................................................2 2.2 工艺流程简述 ................................................................................................3 2.2.1 装置流程简述 .........................................................

合成 第一章 工艺原理

氨的合成是氨厂最后一道工序，任务是在适当的温度、压力和有催化剂存在的条件下，将经过精制的氢氮混和气直接合成为氨。然后将所生成的气体氨从未合成为氨的混和气体中冷凝分离出来，得到产品液氨，分离氨后的氢氮气体循环使用。

一、 氨合成反应的特点

31H2?N2?NH3?Q 22氨合成的化学反应式如下：

这一化学反应具有如下几个特点：

（1） 是可逆反应。即在氢气和氮气反应生成氨的同时，氨也分解成氢气和氮气。 （2） 是放热反应。在生成氨的同时放出热量，反应热与温度、压力有关。 （3） 是体积缩小的反应。

（4） 反应需要有催化剂才能较快的进行。

二、 氨合成反应的化学平衡

1、 平衡常数 氨合成反应的平衡常数Kp可表示为： Kp=

p(NH3)

P1.5(H2)?p0.5(N2)式中p(NH3)、p(H2)、p(N2)-----为平衡状态下氨、氢、氮的分压。

由于按合成反应是可逆、放热、体积缩小的反应，根据平衡移动定律可知，降低温度，提高压力，平衡向生成氨的方向移动，因此平衡常数增大。

2、平衡氨含量 反应达到平衡时按在混和气体中的百分含量，称为平衡氨含量，或称为氨的平衡产率。平衡氨含量是给

丙烯酸甲酯工艺仿真软件

用 户 手 册

北京东方仿真软件技术有限公司

2009年1月

甲酯生产仿真用户手册

目录

第一章 生产原理及工艺特点……………………………………2 第二章 生产流程说明……………………………………………5 第三章 设备一览表………………………………………………8 第四章 主要操作条件及工艺指标………………………………11 第五章 操作规程…………………………………………………14 第六章 紧急事故处理……………………………………………21 第七章 操作界面…………………………………………………22

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甲酯生产仿真用户手册

第一章 生产原理及工艺特点

在该单元中丙烯酸与甲醇反应，生成丙烯酸甲酯，磺酸型离子交换树脂被用作催化剂。

1.1 酯化反应原理

丙烯酸与醇的酯化反应是一种生产有机酯的反应。其反应方程式如下： CH2=CHCOOH+CH3OH <==>CH2=CHCOOCH3+H2O

这是一个

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说明

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犁刀变速齿轮箱体是旋耕机的一个主要零件。旋耕机通过该零件的安装平面与手扶拖拉机变速箱的后部相连，用两圆柱销定位，四个螺栓固定，实现旋耕机的正确联接。犁刀变速齿轮箱体的质量直接影响到机器的性能。本次设计先进行了犁刀变速齿轮箱体的零件分析，通过对参考文献进行的分析与研究，阐述了工艺规程和制造技术等相关内容；在技术路线中，论述箱体的加工工艺，机械加工余量，加工顺序的安排和基本工时计算。

关键词 ：工艺规程；犁刀变速齿轮箱体；定位基准；加工余量

Abstract

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