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MOCVD

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我国MOCVD发展介绍 概况

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简介

我国MOCVD发展介绍 概况

简介

定义

MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。

缩写

Metal-organic Chemical Vapor Deposition （金属有机化合物化学气相沉淀)。

原理

MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。

我国MOCVD发展介绍

12月12号，中国首台具有世界先进水平的大型国产MOCVD设备发运庆典在张江高新区核心园举行。张江高新区管委会副主任侯劲及工信部、市经信委、浦东新区、常州等有关领导和5家客户出席了发运庆典仪式。

作为LED芯片生产过程中最为关键的设备，MOCVD的核心技术长期被欧美企业所垄断

ＬＥＤ结构生长原理以及ＭＯＣＶＤ外延系统的介绍

2012-2-22 10:02:33

摘要：MOCVD外延技术是国内目前刚起步的技术，本文主要介绍外延的基本原理以及目前世界上主要外延生产系统的设计原理及基本构造。 第一章 外延在光电产业角色

近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管ＬＥＤ及激光二级管ＬＤ的应用无不说明了Ⅲ－Ⅴ族元素所蕴藏的潜能，表１－１为目前商品化ＬＥＤ之材料及其外延技术，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓ＧａＡｓＰ材料为主。ＭＯＣＶＤ机台是众多机台中最常被使用来制造ＬＥＤ之机台。而ＬＥＤ或是ＬＤ亮度及特性的好坏主要是在于其发光层品质及材料的好坏，发光层主要的组成不外乎是单层的ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子井Ｓｉｎｇｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ或是多层的量子井Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ，而尽管制造ＬＥＤ的技术一直在进步但其发光层ＭＱＷ的品质并没有成正比成长，其原是发光层中铟Ｉｎｄｉｕｍ的高挥发性和氨ＮＨ３的热裂解效率低是ＭＯＣＶＤ机台所难于克服的难题，氨气Ｎ

大尺寸MOCVD加热器的模拟仿真

摘要 本文运用流体与热场耦合的有限元方法对BDS（缓冲分布喷射式）腔体结构、大尺寸石墨盘、电阻片式加热器的MOCVD反应腔体进行高温环境的稳态建模仿真，得到石墨盘表面的温度分布，通过对仿真曲线及云图的分析，对加热器进行了改进和优化设计，提出一种改动小、容易实现的改进方法，使温度均匀性在±1K以的温度有效区域显著扩大。还模拟了此种加热器在不同温度段对石墨盘表面加热的均匀性。并对通过改变入口气体流量模拟多种不同的流场环境，验证了改进后的加热器只需调整各区的加热功率就可以大范围的适应不同流场环境，给不同的晶体生长工艺提供均匀的温度边界条件。

关键词 MOCVD；温度；有限元模拟；有效区域

0 引言

目前由于金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术具有薄膜生长厚度精确可控、均匀性好、界面陡峭、生产效率高等优点，广泛应用与各种半导体化合物薄膜外延生长领域。如半导体激光器件、太阳能电池板、射频器件及LED芯片等。尤其是近年来LED产业的迅猛发展，作为LED芯片制造关键设备的MOCVD设备也越来越受到重视。目前，国内生产型MOCVD设备完全依赖进口，严重制约了国内LED产业尤其是上游产业的发展，国内相关研究所及企业也在

大尺寸MOCVD加热器的模拟仿真

摘要 本文运用流体与热场耦合的有限元方法对BDS（缓冲分布喷射式）腔体结构、大尺寸石墨盘、电阻片式加热器的MOCVD反应腔体进行高温环境的稳态建模仿真，得到石墨盘表面的温度分布，通过对仿真曲线及云图的分析，对加热器进行了改进和优化设计，提出一种改动小、容易实现的改进方法，使温度均匀性在±1K以的温度有效区域显著扩大。还模拟了此种加热器在不同温度段对石墨盘表面加热的均匀性。并对通过改变入口气体流量模拟多种不同的流场环境，验证了改进后的加热器只需调整各区的加热功率就可以大范围的适应不同流场环境，给不同的晶体生长工艺提供均匀的温度边界条件。

关键词 MOCVD；温度；有限元模拟；有效区域

0 引言

目前由于金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术具有薄膜生长厚度精确可控、均匀性好、界面陡峭、生产效率高等优点，广泛应用与各种半导体化合物薄膜外延生长领域。如半导体激光器件、太阳能电池板、射频器件及LED芯片等。尤其是近年来LED产业的迅猛发展，作为LED芯片制造关键设备的MOCVD设备也越来越受到重视。目前，国内生产型MOCVD设备完全依赖进口，严重制约了国内LED产业尤其是上游产业的发展，国内相关研究所及企业也在

第32卷 第4期2011年4月

发 光 学 报

C H I N ESE J OURNAL OF LUM I N ESCENCE

V ol 32N o 4

A pr .,2011

Artic le I D :1000 7032(2011)04 0363 05

Optim ization of Two step A lN Buffer of a plane

Ga N Film s Grown on r plane Sapphire byMOCVD

H E Tao ,CHEN Y ao ,L IH ui,DA I Long gu i,WANG X iao li,

XU Pe i qiang,WANG W en x i n *

,CHEN H ong

(Be i jing N ationa lL abora t ory of Cond e n se d M a tter ,In stit u t e of P hy sics ,

C hinese Acad e my o f S cie n ces ,B eiji ng 100190,Ch i na )

Abst ract :N onpo l ar (1120)a p l ane G aN fil m s

78791

2018-2023年中国MOCVD行业市场运

营趋势分析及投资潜力研究报告

基本信息

【报告类型】多用户、行业报告

【报告价格】电子：￥7200 元 纸介：￥7200 全版：￥7500

【网上阅读】http:/www.cn-bigdata.cn/report/20171114/78791.html

报告目录

第一章 MOCVD行业概述 第一节 MOCVD行业概述 一、MOCVD行业定义 二、MOCVD行业产品分类 三、MOCVD行业产品特性

第二节 MOCVD行业属性及国民经济地位分析 一、国民经济依赖性 二、经济类型属性 三、行业周期属性

四、MOCVD行业国民经济地位分析 第三节 MOCVD行业产业链模型分析 一、产业链模型介绍

二、MOCVD行业产业链模型分析

第二章 2014-2016年中国MOCVD产业运行环境分析 第一节 2014-2016年中国MOCVD产业经济发展环境分析 一、2016年国内生产总值初步核算568845亿元

1 / 1

二、2016年全国居民消费价格指数 三、2014-2016年全国居民收入情况分析 四、2016年我国居民收入基尼系数为0.474

五、2016年全国固定资产投资（不含农户）43652