ldmos器件原理

1.微波管参量：带宽、功率等的基本概念、分类 带宽：是指微波振荡器或放大器在一定工作条件下，能满足一定技术指标要求的工作频率范围。分类：绝对带宽，相对带宽，增益带宽，功率带宽，效率带宽，瞬时带宽，调谐带宽，冷带宽，热带宽；功率：连续波状态的功率，脉冲状态的功率，平均功率

2.平板间隙中的感应电流，感应电流的产生过程，渡越角，耦合系数等概念，电子与场的能量交换过程。

??x?Q?S?0Eqk?q(1?)????d其中E为当平板中没有从阴极飞向阳极的电子Q?qa?S?0E2?????qa?qxQ?qk?S?0E1??d?E1x?E2(d?x)?Ed??带只有外加电压Vc时的电场

qa?qk?qx?Qk??Q?qk??Q?q(1?)??d电流是由电荷的变化产生的，因而外电路中的电流：?x?Qa?Q?qa?Q?q()?d?i?dQadt?dQdt?qdxddt?dQdt?qdv?id?dQdt?CdVcdt感应电流：iind?qvd，所以二极管

电极外电路中流过的电流实际上是运动电荷?q在飞行过程中电极上感应电荷的变化引起的，成为感应电流。设注入间隙的密度调制电子流为i?I0?Imsin?t，I0为电流的直流分量，Im为电流的交变分量。选择间隙中间为坐

什么是RF LDMOS晶体管

DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET （lateral double-dif fused MOSFET）。LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。LDMOS

LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)

LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在相同的源/漏区域注入两次，一次注入浓度较大（典型注入剂量 1015cm-2）的砷（As），另一次注入浓度较小（典型剂量1013cm-2）的硼（B）。注入之后再进行一个高温推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。为了增加击穿电压，在有源区和漏区之间有一个漂移区。LDMOS中的漂移区是该类器件设计的关键，漂移区的杂质浓度比较低，因此，当LDMOS 接高压时，漂移区由于是高阻，能够承受更高的电压。图1所示LDMOS的多晶扩展到漂移区的场氧上面，充当场极板，会弱化漂移区的

功率半导体的发展历程及其展望

技术分类： 电源技术 模拟设计 | 2005-02-16

EDN China

功率半导体器件和电力电子

世界上最早的半导体器件是整流器和晶体管，当时并没有功率半导体或微电子半导体之分。1958年，我国开始了第一个晶闸管研究课题(当初称为PNPN器件)。在大致相似的时间里，集成电路的研究也逐步开始。从此半导体器件向两个方向发展。前者成为电力电子学的基础，后者则发展并促成了微电子及信息电子学。

按照我国当时的体制，功率器件被归入机械系统，集成电路则列入电子系统。由于半导体的龙头在电子系统，再加上集成电路又是半导体的主体，因而经过长期的演变，在一些场合集成电路几乎成为半导体器件的唯一代名词。

六十年代末七十年代初，在全国曾掀起过一个\可控硅\热。这个热潮持续甚久，影响很大，因而国内至今仍有人认为功率半导体的主体就是可控硅。七十年代末

，可控硅发展成为一个大家族。并被冠以一个标准化的名称\晶闸管\。由于以开关技术来调节功率，所以在器件上的损耗很小，因此被誉为节能的王牌。其应用领域更是遍及到各个领域。我国在1979年开始酝酿成立电力电子学会，略早于美国

capture原理图绘制规范及元器件建库规范

发布部门： 拟制人：XXX 审核人：XXX 批准人： 拟制日期： 审核日期： 批准日期：

XXX 有 限 公 司

1

目录

第一部分绘制电路原理图规范 .......................................................................................... 3 1.目的。 .......................................................................................................................... 3 2.范围。 .......................................................................................................................... 3 3.原理图绘制总体要求。 ........................................................

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN102298182A

（43）申请公布日 2011.12.28（21）申请号CN201110234892.8

（22）申请日2011.08.16

（71）申请人深圳市国扬通信股份有限公司

地址518000 广东省深圳市南山区南海大道1019号南山医疗器械产业园B401-403（72）发明人鲁光辉;李瑞林;杨德瑞;杨欣;刘志荣

（74）专利代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所

代理人胡海国

（51）Int.CI

G02B6/42;

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

光器件与主板的连接方法及光器件

（57）摘要

本发明揭示了一种光器件与主板的连接方

法及光器件。该连接方法包括步骤：将光器件的

第一接脚转换至与第二接脚同向；将主板连接于

同向方向的垂直方向。本发明通过改变光器件与

主板的连接方式，节省光器件与主板的组合空

间。

法律状态

AccoTest

New Valued Multi-site Analog/Mixed Signal Tester

音频功率运放(Audio Power Amplifier)测试概述

主要内容1. 2. 3. 4.音频功率运放介绍音频功率运放典型应用图音频功率运放主要测试参数音频功率运放的测试难点

1.音频功率运放介绍(1)音频运放应用范围:手机，音响，MP3等电子产品中

(2)音频运放分类:根据工作方式分为CLASS-A,B,AB,D

(3)测试常见音频运放:CALSS-AB和D类的音频运放

(4)音频运放的常见封装形式:CSP,MSOP,TSSOP

2.音频运放的典型应用图CLASS-AB类

CLASS-D类

CLASS-AB,D类器件比较类型效率工作方式消耗功率 CLASS-AB 35-45%线性放大 CLASS- D 70-75% PWM调制

与输入信号大小只与器件自身特有关性有关(a)

3.音频功率运放主要测试参数直流参数：-以CLASS-AB为例 Isd:静态电流测试 Icc:静态工作电流测试 Vbp:BYPASS端静态工作电压 Vos:静态输出电压差

测试难点：接触

交流参数：VOp-p:输出电压峰峰值 Gain:增益 THD+N:总谐波失真度+噪声 Po

产品名称 无 产品版本 无 共28页

有源光器件的结构和封装

分析： 拟制： 审核： 批准：

日期： 日期： 日期： 日期：

目 录

1 有源光器件的分类 .................................................................................................................... 5 2 有源光器件的封装结构 ............................................................................................................. 5 2.1

光发送器件的封装结构 ....................................................................................................... 6

同轴型光发送器件的封装结构 .........................................................

第一章

? 何谓电容器? 描述电容器的主要参数有哪些?

由介质隔开的两块金属极板构成的电子元件，广泛用于储能和传递信息。

１. 标称容量和允许误差 ２. 额定电压 ３. 绝缘电阻 ４. 电容器的损耗 ５. 其他参数（频率特性，温度系数， 稳定性，可靠性）

? 有哪些类型的电容器? 各有何特点?

无机介质电容器：介电常数高,介质损耗角正切小，电容温度系数范围宽，可靠性高，寿命长．

有机介质电容器：电容量范围大，绝缘电阻(时间常数)大，工作电压高(范围宽)，温度系数互为偿，损耗角正切值小，适合自动化生产．热稳定性不如无机介质电容器，化学稳定性差, 易老化 ，具有不同程度的吸湿性

电解电容器 ：比电容大，体积小、质量轻，有自愈特性 双电层电容器(超级电容器)

? 何谓电阻器? 可采用哪些主要的参数描述电阻器的性能优劣?

具有吸收电能作用的电子元件，可使电路中各元件按需要分配电能,稳定和调节电路中的电流和电压。

１. 标称阻值和允许误差 ２. 额定功率 3. 额定电压 4. 噪声

? 有哪些主要类型的电阻器? 分别采用什么符号表示这些类型的电阻器? １．薄膜电阻器 2．合金型电阻器 3无帽结构电阻器4高频电阻器5小片式电阻器 ?

无源器件基本知识

----技术中心 ----技术中心

一、射频基本参数介绍 二、无源器件原理介绍

一、射频基本参数介绍 一、★热噪声介绍所有功耗(电阻性)单元都会产生热噪声或称Johnson噪声。这种噪声功 率可以表达为PN=KTB,单位为Watt(注：Pn与电阻阻值大小无关)。 这里K=波尔兹曼常数，T是Kelvin表示的绝对温度，B是用以测量噪声功 率的频带宽度。 在室温下，1Hz频带宽度内产生的热噪声功率为：

PNT(B) =(1.38 x10-23焦耳/ k)*( 294k)* (1Hz) = 4.057x10 -21 W = 4.057x10-18 mW = -174dBm/1Hz在理想的无其他噪声的系统里，热噪声决定了最低可检测信号电平。

一、射频基本参数介绍 一、★固有噪声电平以KTB定义的热噪声功率，和实际噪声功率电平之间的差别(以dB表示)叫 做噪声系数。把它折算到电路或系统的输入端，噪声系数就为

NF dB = 10 log( PNactual ) - 10 log( KTB )在线性有噪系统中，已算出了多种带宽内的固有噪声电平： 噪声带宽 总噪声功率=固有噪声电平(dB) 带宽 以输入端作参照 以输出端作参照 1Hz -174+NF

客户还是比较好找的！因为用到电子元器件的行业实在是太多了！先要看你做的是什么方面的产品！高端一点的元器件可以找一些工控、军工之类的！低端一点的就可以找一些消费类电子的，像摄像头、家用电器什么之类的！找的方法也可以比较多！最好的是百度！输入一些关键词！比如深圳 工控 公司这样都会出来很多公司的！或是留意一些什么活动！比如医疗器械展销会你可以看一下有哪些企业参加！这些企业肯定都是有需求的！而且这些企业的数量一定会很多！ 绕前台的话主要慢慢积累！这方法还是蛮多的！二楼说的很对！语气很重要！要有底气！有很多的都是要实名制的，这也要有一些忽悠手段！比如你打电话过去你说昨天你们采购有个型号寻了我们这边，但是没有在，今天跟他确认一下，她要是说姓什么，你就说昨天你没在助理没问清楚，他接下去很有可能会说要是采购需要肯定还会联系你的，你就说这颗料非常急，供应商这么多说不定采购现在正在找你的号码，什么的！总之随机应变，水来土掩

销售讲究方法，勤劳，真诚，还要对自己卖的产品熟悉，最好是自己不卖的类似产品也熟悉，这样跟客户才会话题聊！客户要的你不一定有！有机会多认识采购员也是一件重要的事！公司没有卖的也可以帮客户介绍，这样一来，你的路就越来越宽

电子元器件的销售