二极管的三个极分别是

低频电子电路

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模拟万用表和数字万用表在测二极管、三极管和电容时的应用并比较。

模拟万用表（电流黑出红入）

1) 测二极管正负极：用黑、红表笔分别接触二极管的两极，观察表头指针，若指针有较大偏转，则黑表笔接触极为正极，红表笔接触极为负极；若指针无偏转则相反。

2) 判断三极管的材料，e、b、c极并估计β值：

首先判断基极并判断三极管类型是NPN型还是PNP型：试着将黑表笔接触三极管的一级，再分别用红表笔接触其他两级，当两次指针都有较大偏转时，可以判断黑表笔接触端为b极，该三极管为NPN型；将红表笔接触三极管的一级，分别用黑表笔接触其他两级，若两次指针都有较大偏转，则红表笔接触端为b极，该三极管为PNP型。

以NPN为例，判断e、c两级：用红、黑表笔分别接触其余两级，用手分别接触黑表笔接触端和b极，当表头指针有偏转时黑表笔接触端为c极。

估计β值：可由测得的电阻值估测电流值，即可估测出相应的Ib和Ic值，β≈Ic/Ib

3) 测电容的好坏：将两表笔分别接触电容的两级，若观察到指针偏转到一定角度又返回，则电容是好的，并可以由其偏转大小估测电容大小。

数字万用表：（红正黑负）

1) 二极管：打到二极管的档上，用黑、红表笔接触两极，当发出声音时红表笔接触处为二极管的正极；

2) 三极管

习题６

基础知识部分：

6.1 选择题

1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（ ）

A、短路 B、 完好 C、 开路 D、无法判断

答案：C

2.二极管反偏时，以下说法正确的是（ ）

A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流；

B、在达到死区电压之前，反向电流很小；

C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关。

答案：A

3.图示电路，二极管导通时压降为0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（

A、VD导通，UAO=5.3V； B、VD导通，UAO=—5.3V；

C、VD导通，UAO=—6V； D、VD导通，UAO=6V；

）。

E、VD截止，UAO=—9V。

答案：C

4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（ ）。

A.半波整流电容滤波电路 B.全波整流电容滤波电路

C.桥式整流电容滤波电路

答案：C A

5. 图示电路，若变压器二次电压为10V，现测得输出电压为14.1V，则说明( )。若测得输出电压为

第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。

2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。 3、（1-1，低）利用二极管的 ，可将交流电变成 。

4、（1-1，低）根据二极管的 性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ，死区电压是 。 6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为 ，锗二极管的工作电压为 。 7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越 ，反向电阻越 ，表明二极管的单向导电性能越好。

8、（1-1，低）杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。

9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有 、 ，此外还有 、 、 等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为

第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。

2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。 3、（1-1，低）利用二极管的 ，可将交流电变成 。

4、（1-1，低）根据二极管的 性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ，死区电压是 。 6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为 ，锗二极管的工作电压为 。 7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越 ，反向电阻越 ，表明二极管的单向导电性能越好。

8、（1-1，低）杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。

9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有 、 ，此外还有 、 、 等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为

晶体二极管和二极管整流电路

姓名： 一、填空

1、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V后，二极 管开始导通，这个电压称为 电压。正常 导通后，此管的正向压降约为 V。当反向 电压增大到 V时，即称为 电压。 2、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 ___后，

I(mA) -50 0 0.6 V(v) 二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。

4、 PN结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。

5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，二极管的主要特性是 。

6、用

晶体二极管和二极管整流电路

姓名： 一、填空

1、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V后，二极 管开始导通，这个电压称为 电压。正常 导通后，此管的正向压降约为 V。当反向 电压增大到 V时，即称为 电压。 2、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 ___后，

I(mA) -50 0 0.6 V(v) 二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。

4、 PN结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。

5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，二极管的主要特性是 。

6、用

１、检波二极管 Ａ、用于检波电路 Ｂ、用于鉴频电路 Ｃ、用于鉴相电路 Ｄ、用于混频电路 Ｅ、用于限幅电路 Ｆ、用于AGC电路 Ｇ、用于测试电路 Ｈ、用于指示器电路 Ｉ、用于其它电路

２、变容二极管 Ａ、用于调谐电路 Ｂ、用于倍频电路 Ｃ、用于控制电路 Ｄ、用于其它电路

３、整流二极管 Ａ、用于整流电路 Ｂ、用于供电电路 Ｃ、用于节电电路 Ｄ、用于照明电路 Ｅ、用于稳压电路 Ｆ、用于测试电路 Ｇ、用于控制电路 Ｈ、用于保护电路 Ｉ、用于指示器电路 Ｊ、用于其它电路

４、恒流二极管 Ａ、用于稳流电路 Ｂ、用于充电电路 Ｃ、用于测试电路 Ｄ、用于放大电路 Ｅ、用于保护电路 Ｆ、用于其它电路 ５、稳压二极管 Ａ、用于稳压电路 Ｂ、用于延迟电路 Ｃ、用于保护电路 Ｄ、用于其它电路

６、双向触发二极管 Ａ、用于调压电路 Ｂ、用于控制电路 Ｃ、用于其它电路 ７、发光二极管 Ａ、用作指示灯 Ｂ、用作指示器 Ｃ、用于显示器 Ｄ、用于检测电路 Ｅ、用于闪烁电路

第一章 半导体二极管

练习题

一、填空

1. 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电

流 ，二极管反向伏安特性曲线 移。

2. 在PN结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。

3. 在本征半导体中掺入 价元素得N型半导体，掺入 价元素则得P型半导体。

4. 半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带负电。 5. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。 6. 纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。

7. PN结正偏是指P区电位 N区电位。

8. PN结在 时导通， 时截止，这种特性称为 。

9. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 10. 二极管P区接电位 端，N区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏

三个发光二极管的循环点亮

10

陈珏本

一，系统设计分析

本系统为最小单片机系统+三个LED

核心处理器采用c51系列单片机AT89C51。整个系统在系统软件的控制下工作。开始时将P1端口全部置1，在单片机内，经识别、延迟等环节实时发出控制LED1、2、3闪烁的控制信号。左侧电路使起完成相应的动作。

二，系统原件

AT89C51、CAP 30pf、CRYSTAL 12MHZ、RES、BUTTON、LED 三，系统原理图设计

四，源程序设计

ORG 0030H

MOV A,#0FFH

MOV P1,A LOOP:CLR

LCALL DELAY

CPL

CLR

LCALL DELAY

CPL

CLR

LCALL DELAY

CPL

LCALL DELAY

AJMP LOOP

DELAY:MOV R7,#200

D1:MOV R6,#248

D2:DJNZ R6,$

DJNZ R7,D1

RET

EXIT:NOP

END

五，keil仿真

创建“三个发光二极管的循环点亮”项目，选择单片机型号

为AT89C51，输入汇编语言程序，保存为“三个发光二极管的循环点亮.asm”。将源程序添加到项目中，编译源程序，创建“三个发光二极管的循环点亮.hex”。

六，prutues仿真

成果图

七，调试结果分析

第一次仿真失败，请教