电路与模拟电子技术高玉良第三版

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高玉良《电路与模拟电子技术》第3版全部习题答案

标签:文库时间:2025-03-16
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第一章 电路的基本概念和基本定律

1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?

解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI。P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。

本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向,元件3上电压和电流为关联参考方向,因此

P1=-U1×3= -(-5)×3=15W; I2=-4A2P2=-U2×3=-2×3=-6W; I3=-1A- U2 ++P3=U3×(-1)=-3×(-1)=3W; ++1U13U34U4P4=-U4×(-4)=-(-3)×(-4)=-12W。 ---元件2、4是电源,元件1、3是负载。

I1=3A

题1.1图1.2 在题1.2图所示的RLC串联电路中,已知

uC?(3e?t?e?3t)V 求i、uR和uL。

解:电容上电压、电流为非关联参考方向,故

4Ω+uR -+1/3Fi??cduc1d????3et?e?3t???e?t?e3t?A dt3dti1H电阻、电感上电压、电流为关联参考方向

+-uR?Ri?4?e?t?e?3t?V

uL?L

1.3 在题1.3图中,已知I=2

高玉良《电路与模拟电子技术》第3版全部习题答案

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第一章 电路的基本概念和基本定律

1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U1=-5V,U2=2V,U3=U4=-3V,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?

解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI。P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。

本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向,元件3上电压和电流为关联参考方向,因此

P1=-U1×3= -(-5)×3=15W; I2=-4A2P2=-U2×3=-2×3=-6W; I3=-1A- U2 ++P3=U3×(-1)=-3×(-1)=3W; ++1U13U34U4P4=-U4×(-4)=-(-3)×(-4)=-12W。 ---元件2、4是电源,元件1、3是负载。

I1=3A

题1.1图1.2 在题1.2图所示的RLC串联电路中,已知uC?(3e?t?e?3t)V 求i、uR和uL。

解:电容上电压、电流为非关联参考方向,故

4Ω+uR -+1/3Fi??cduc1d????3et?e?3t???e?t?e3t?A dt3dti1H电阻、电感上电压、电流为关联参考方向

+-uR?Ri?4?e?t?e?3t?V uL?L

1.3 在题1.3图中,已知I=2

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

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模拟电子技术基础第三版

一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C

三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V

五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE

=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。

六、1、

IB

IC

VBB UBE

26μA

Rb

IB 2.6mA

UCE VCC ICRC 2V

UO=UCE=2V。

2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以

IC

IB

VCC UCES

2.86mA

RcIC

28.6μA

Rb

VBB UBE

45.4k

IB

七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 ui和uo的波形如图所

模拟电子技术童诗白第三版答案

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第一章常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 解:(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)× 二、选择正确答案填入空内。 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。 解:UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V, UO6≈-2V。

四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

解:UO1=6V,UO2=5V。 五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率PCM

=200mW,试画出它的过损耗区。

解:根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。

解图T1.5

六、电路如图T1.6

所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。试问:

(1)Rb=50kΩ时,uO=?

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

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模拟电子技术基础第三版

一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C

三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V

五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE

=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。

六、1、

IB

IC

VBB UBE

26μA

Rb

IB 2.6mA

UCE VCC ICRC 2V

UO=UCE=2V。

2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以

IC

IB

VCC UCES

2.86mA

RcIC

28.6μA

Rb

VBB UBE

45.4k

IB

七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 ui和uo的波形如图所

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案1.0

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电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

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电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案

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模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

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模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)希望能对大家有帮助~ -------来自肇庆学院某学子一下午的心血!

第1章 常用半导体器件

1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小

(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时,IC 从lmA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83 B.91 C.100

(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。

A.增大; B.不变; C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知ui压可忽略不计。

10sin t(V),试画出ui与uo的波形。设二极管导通电

图P1.2 解图P1.2

解:ui与uo的波形如解

模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案

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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A+

习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电I/mA压各为多少?3+ U -解:根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。

习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?

模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案

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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A+

习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电I/mA压各为多少?3+ U -解:根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。

习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?

《数字电子技术(第三版)》3. 布尔代数与逻辑函数化简

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《数字电子技术(第三版)》PPT课件

数字电子技术

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第3章 布而代数与逻辑函数化简学习要点: 学习要点: 三种基本运算,基本公式、定理和规则。 逻辑函数及其表示方法。 逻辑函数的公式化简法与卡诺图化简法。 无关项及其在逻辑函数化简中的应用。

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3.1 基本公式和规则3.1.1 逻辑代数的公式和定理 (1)常量之间的关系与运算: 0 0 = 0

0 1 = 0

1 0 = 0

1 1 = 1

或运算: 0 + 0 = 0非运算: 1 = 0

0 +1=10 =1

1+ 0 =1

1+1=1

(2)基本公式

A + 0 = A 0-1 律: A 1 = A互补律: A + A = 1

A +1 = 1 A 0 = 0

A A = 0

双重否定律: A = A

等幂律: A + A = A

A A = A

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(3)基本定理

A B = B A 交换律: A + B = B + A ( A B) C = A ( B C ) 结合律: ( A + B) + C = A + ( B + C )

A 0 0