场效应管三个极

三极管与场效应管参数手册 作者：佚名文章来源：不详文章录入：zhenfeng更新时间：2007年12月04日浏览：3422人次

型号关键参数

2N109GE-P 35V 0.15A 0.165W

2N1304GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz 2N1305GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz 2N1307GE-P 30V 0.3A 0.15W B>60 2N1613SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz 2N1711SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz 2N1893SI-N 120V 0.5A 0.8W

2N2102SI-N 120V 1A 1W <120MHz 2N2148GE-P 60V 5A 12.5W

2N2165SI-P 30V 50mA 0.15W 18MHz 2N2166SI-P 15V 50mA 0.15W 10MHz 2N2219ASI-N 40V 0.8A 0.8W 250MHz 2N2222ASI-N 40V 0.8A 0.5W 300MHz 2N22232xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 2N2223A2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 2N2243ASI-N 120V 1A 0.8W 50MHz 2N2

电子电路与数字逻辑知识

第二章 半导体三极管

第二章 半 导 体 三极管2.1 双极型半导体三极管 2.2单极型半导体三极管 2.3 半导体三极管电路的基本分析方法 2.4 半导体三极管的测试与应用

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第二章 半导体三极管

2.1 双极型半导体三极管

3A X8 1

3A X1

3D

G4

3AD10

(a)

(b)

(c)

(d)

图 2 - 1 几种半导体三极管的外形

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第二章 半导体三极管

2.1.1 晶体三极管的工作原理一、结构及符号

图 2 – 2 晶体三极管的结构示意图和符号

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第二章 半导体三极管

无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们均包含三个 区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出三个电极： 发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。同时,在三个区的两两 交界处, 形成两个PN结, 分别称为发射结和集电结。常 用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种三极管类型。 它 们 对 应 的 型号 分 别 为 ：3A( 锗PNP) 、 3B( 锗 NPN) 、 3C(硅PNP)、3D(硅NPN)四种系列。

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第二章 半导体三极管

二、 三极管的三种连接方式e IC e IE b IB IC c

半导体器件测试题

一、填空(40分)

1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的 价元素，可形成P型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。

2、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时， 即称为 电压。其中 稳压管一般工作在 区。

3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。

4、二极管的主要参数有 ________、_________和 。

5、晶体三极管是___________控制器件。三极管按材料分为_ 和 两种类型，而每一种又有 和 两种结构形式。

6、三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。工作在饱和区时发射结 偏；集电

三极管与场效应管参数手册 作者：佚名文章来源：不详文章录入：zhenfeng更新时间：2007年12月04日浏览：3422人次

型号关键参数

2N109GE-P 35V 0.15A 0.165W

2N1304GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz 2N1305GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz 2N1307GE-P 30V 0.3A 0.15W B>60 2N1613SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz 2N1711SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz 2N1893SI-N 120V 0.5A 0.8W

2N2102SI-N 120V 1A 1W <120MHz 2N2148GE-P 60V 5A 12.5W

2N2165SI-P 30V 50mA 0.15W 18MHz 2N2166SI-P 15V 50mA 0.15W 10MHz 2N2219ASI-N 40V 0.8A 0.8W 250MHz 2N2222ASI-N 40V 0.8A 0.5W 300MHz 2N22232xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 2N2223A2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 2N2243ASI-N 120V 1A 0.8W 50MHz 2N2

型号 关键参数

2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W

型号 关键参数

SI-P 120V 0.4A 15W 500MHz SI-P 200V 0.2A 15W 400MHz SI-P 180V 0.14A 10W 150MHz SI-P 60V 4A 25W 15MHz SI-P 80V 6A 60W 20MHz SI-P 120V 8A 80W 20MHz SI-P 140V 10A 100W 20MHz SI-P 200V 17A 200W 20MHz SI-P 180V 1.5A 10W 120MHz SI-P 40V 1A 0.3W 150MHz SI-P 180V 12A 130W 25MHz SI-P 50V 0.5A 0.3W 200MHz SI-P 180V 1A 40W 200MHz SI-P 120V 0.2A 8W 400MHz SI-P 120V 0.3A 8W 400MHz SI-P 200V 0.1A 7W 300MHz SI-P 200V 0.2A 7W 300MHz SI-P 230V 15A 150W 25MHz SI-N 120V 0.1

§3.1 场效应管的类型（第一页）

这一节我们要了解场效应管的分类，各种场效应管的工作特点及根据特性曲线能判断管子的类型。

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管） 一：结型场效应管

1.结型场效应管的分类

结型场效应管有两种结构形式。它们是N沟道结型场效应管（符号图为（1））和P沟道结型场效应管（符号图为（2）） 从图中我们可以看到，结型场效应管也具有三个电极，它们是：G——栅极；D——漏极；S——源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导

电方向。

2.结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例) 在D、S间加上电压UDS，则源极和漏极之间形成电流ID，我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS，就可以改变两个PN结阻挡层的（耗尽层）的宽度，这样就改变了沟道电阻，因此就改变了漏极电流ID。

3.结型场效应管的特性曲线(以N沟道结型场效应管为例) 输出特性曲线：（如图（3）所示） 根据工作特性我们把它分为四个区域，即：可变电阻区、放大区、击穿区、截止区。

对此不作很深的要求，只要求我们看

到输出特性曲线能判断是什麽类型的管子即可

转移特性曲线：

我们根据这个特性关系可得出它

场效应管

根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，

漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件

-------------------------------------------------------------- 1.概念:

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点:

具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用:

场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.

场效应管可以用作电子开关.

场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.

2.场效应管的分类:

场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类

按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟

场效应管

根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，

漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件

-------------------------------------------------------------- 1.概念:

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点:

具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用:

场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.

场效应管可以用作电子开关.

场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.

2.场效应管的分类:

场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类

按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟

三极管和场效应管 练习题2

一、单选题(每题1分)

1. 场效应管本质上是一个（ ）。

A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件 D、电压控制电压源器件

2. 放大电路如图所示，已知硅三极管的??50，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。

A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定

3. 放大电路如图所示，已知三极管的??50，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。

A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定

4. 某三极管的PCM?100mW,ICM?20mA,U(BR)CEO?15V，则下列状态下三极管能

正常工作的是（ ）。

A. UCE?3V,IC?10mA B. UCE?2V,IC?40mA C. UCE?6V,IC?20mA D. UCE?20V,IC?2mA

5. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。

A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS

纳米线场效应管

一． 什么叫纳米线

在纳米尺度下，物质中电子的波性以及原子之间的相互作用将受到尺度大小的影响。由纳米颗粒组成的纳米材料具有以下传统材料所不具备的特殊性能： （1）表面效应 （2） 小尺寸效应 （3） 量子尺寸效应

（4） 宏观量子隧道效应

纳米材料按维数可分为：零维的纳米颗粒和原子团簇，它们在空间的三维尺度均在纳米尺度内（均小于100nm）；一维的纳米线、纳米棒和纳米管，它们在空间有二维处于纳米尺度；二维的纳米薄膜，纳米涂层和超晶格等，它们在空间有一维处于纳米尺度。

近年来，一维的纳米材料如纳米管，纳米线已成为纳米科学研究的热点，一维纳米材料的奇异物理、化学特性和在构建纳米级电子和光电子器件方面的巨大应用潜力推动了纳米线(管)的生长和特性研究。纳米材料的量子尺寸效应，小尺寸效应，表面效应吲和界面效应使其具有一系列优异的电、磁、光、力学和化学等宏观效应，使材料在电学、机械、化学和光学方面出现了独特的性能。目前世界各国都将此方面的研究列为重点发展项目。我国也很重视此方面的研究。我国著名科学家钱学森在1991年就曾预言“纳米左右和纳米以下\研究领域处于国际领先地位。

近年来，随着集成电路加工技术的不断发展，