led32f1100cf背光保护

篇一：CCFL背光和LED背光的区别

传统的CCFL背光源与LED背光源的差别

传统的CCFL背光源与LED背光源相比，存在一些不足，主要表现在：首先，CCFL在其峰值光谱之外还会产生许多不需要的光谱，引起亮度恶化，并影响LCD的色再现。在LCD中，光源发出的光要通过由红、绿、蓝像素构成的LCD板。要获得高色再现，LCD像素的光只能有一种围绕主波长的窄光谱。为此，需要开发新型LCD背光源，而LED是一个很好的选择。 其次，CCFL的白光属于冷色，显色性比较差，照射在物体上产生的色彩，不如太阳光照射的鲜艳。例如，当前液晶电视常用的CCFL仅能表现约75%的颜色，而采用三基色LED混合白光，则可以较好地模拟出太阳光，表现出自然色，照射在物体上产生的颜色就比CCFL更鲜艳逼真。

再次，CCFL属于管状光源，要将所发出的光均匀散布到面板的每一个区域就需要相当复杂的辅助组件。另外,屏幕的厚度也较难控制，而且随着面板的增大，必须使用多条光源。随着LCD尺寸的增大，LED背光模组的设计更简单，成本也比CCFL低得多。

此外，CCFL还有发光效率低、放电电压高、低温下放电特性差、加热达到稳定灰度时间长等缺点，并且CCFL中含有有害金属，不符合环保要求。

与传统CCFL

TL494 1和16 对地短路 TL5001 5 对地短路

TL1451 15 对地短路; \\3 n3 e/ H* d3 m3 P; y! Q7 Q TL5451 15 对地短路$ C$ i( N6 ]7 b5 b; y8 V TA9687CN 1脚吸空1 M; B! Y, T$ w( X Ta9687gn 12脚对地

MB3775 15 对地短路 INL837GN 14脚对地 IT3713 15脚空

AZ7500BM-E1 第4脚 接地7 H# R7 [0 g; @4 D( _ AT1741 15 对地短路

AT1380 2 对地短路# C$ {( {/ _! L) H* @4 F KA7500 1和16 对地短路

FA3629 15和16 将外接电容短路$ @' W: Q) ~1 g FA3630 7和10 对地短路 FAN7318 1脚 对地1 t- u) k: X( i% `, \\ FAN7311 1脚接地

MP1008ES 4 对地短路 MP1009ES 5脚对地

MP1038EY 6脚对地..取消保护,灯管老化造成保护, MP

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//test.c

#include \#include \#include \#include \#include \int main() { u8 lcd_id[12];

Stm32_Clock_Init(336,8,2,7);//设置时钟,168Mhz delay_init(168); //延时初始化 uart_init(84,115200); //初始化串口波特率为115200 LCD_Init();

sprintf((char*)lcd_id,\将LCD ID打印到lcd_id数组。 LCD_Show_Chinese(50,100,table); while(1); }

//chinese.h

/*此数组是通过PCtoLCD2002取模出来的*/ u8

table[]={0x02,0x20,0x0C,0x20,0x88,0x20,0x69,0x20,0x09,0x20,0x09,0x22,0x89,0x21,0x69,0x7E,0x09,0x60,0x09,0xA0,0x19,0x20,0x28,0x20,0xC8,0x20,0x0A,0x20,0x0C

LED 背光模组产业现状及未来发展趋势

背光模组为 TFT-LCD 面板主要组件, 约占面板材料总成本的 20%~35%。 随着 LCDTV 面板规模的高速增长,背光模组在面板成本与制造过程中所占的份额与地位将日益凸显。 2005~2008年间大型大尺寸背光模组的出货量年增长率预计约达 28%, 至 2008年将大型 背光模组约达 3.6亿块,市场产值高达约 140亿美元。

从背光模组生产厂商来源国或地区来看,台湾、韩国企业均占据全球出货量的 40%~ 45%,全球背光模组大厂主要有台湾的中强光电、瑞仪、科桥、韩国的 Taesan 、 Heesung 及日本的夏普、 Stanley 等企业。由于中国大陆存在人力成本及下游相关产品制造规模之优 势,台湾、韩国背光模组厂商均已在大陆设立分厂, 2005年在中国大陆产出的背光模组已 约占全球 39%,成为全球第一大生产地区。受外资背光模组企业的进一步投资扩产之势推 动, 预计 06年大陆背光模组出货量的全球份额提高至 45%。 而国内也已涌现出以京东方茶 谷、深圳帝光、普耐光电等为代表、发展迅速的背光模组与背光源企业。

背光源、 棱镜片、 扩散板及光学膜片等为背光模组的主要上游材料与组件, 其中背光

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//test.c

#include \#include \#include \#include \#include \int main() { u8 lcd_id[12];

Stm32_Clock_Init(336,8,2,7);//设置时钟,168Mhz delay_init(168); //延时初始化 uart_init(84,115200); //初始化串口波特率为115200 LCD_Init();

sprintf((char*)lcd_id,\将LCD ID打印到lcd_id数组。 LCD_Show_Chinese(50,100,table); while(1); }

//chinese.h

/*此数组是通过PCtoLCD2002取模出来的*/ u8

table[]={0x02,0x20,0x0C,0x20,0x88,0x20,0x69,0x20,0x09,0x20,0x09,0x22,0x89,0x21,0x69,0x7E,0x09,0x60,0x09,0xA0,0x19,0x20,0x28,0x20,0xC8,0x20,0x0A,0x20,0x0C

STM32F401 NUCLEO板UART口调试小结

项目需要，用了两个UART口，分别为UART1使用DMA方式收发，UART2使用中断收发，相关初始化： ? UART1:

UART_HandleTypeDef ble_uart_handle;

/********************************************************************* * @fn BleUart_Init() *

* @brief uart1 initiate *

* @param none * @return none */

extern void BleUart_Init(void) { ble_uart_handle.Instance = USART1; ble_uart_handle.Init.BaudRate = 9600; ble_uart_handle.Init.WordLength = UART_WORDLENGTH_8B; ble_uart_handle.Init.StopBits = UART_STOPBITS_1; ble_uart_handle.Init.P

RCC （Reset and Clock Control）配置

这里介绍RCC 的 时钟控制功能

在STM32F103上，由于小组所有的板子都使用用 同样的芯片，同样的晶振，以及同样的库函数，即使我们不去理解RCC，仍然可以将大多数功能调试出来。但如果使用不同型号的芯片，例如用STM32F407 与 STM32103 进行通信，如果不去弄清楚RCC，在调试中可能会遇到麻烦。

下面就我调试STM32F407的这段时间，介绍一下RCC的部分功能。文档的前半部分是关于RCC的部分功能描述，后半部分是关于库函数的使用。

时钟结构

（原图请参考STM32F407 参考手册RCC部分）

STM32F407最高层是SYSCLK系统时钟，由其生成了 AHB时钟，再由AHB时钟生成APB时钟。

SYSCLK系统时钟可以由3个基本的时钟源获得：HSE（外部高速晶振）或HSI（内部高速晶振）或PLL锁相环倍频。

例如：

板子上焊了8MHz的晶振，则 HSE = 8MHz。如果焊了25MHz的，则HSE = 25MHz。 HSI是芯片内部自带的晶振，其大小由芯片型号决定，如STM32F407的HSI是16MHz。

PLL倍频的功能是：将HSE或HSI

stm32f407之NVIC

五、NVIC 中断向量嵌套控制器是用来管理所有中断和事件的，包括中断的使能和除能，中断的优先级。这个是属于内核的东西，所以ST的参考手册上对它的描述较少，但他又是十分重要的东西，要了解它就要看ARM的《Cortex?-M4 Devices Generic User Guide》。

相关寄存器

译自《Cortex?-M4 Devices Generic UserGuide》，若有错误，请以原文为准。

中断使能寄存器NVIC_ISER[8]

中断使能寄存器共有8个，ISER[0]设置0~31号中断的使能，ISER[1]设置32~63号中断的使能，如此类推。以下以ISER[0]为例：[31:0] SETENA中断设置使能位。 写：

0 =无影响

1 =使能中断。

读：

0 =中断是禁止的

1=中断已经被使能

如果要使能0号中断，就向该寄存器的0位写1，如果要使能38号中断，就向NVIC_ISER[1]的6位写1，如此类推，至于哪个中断对应哪个中断号，请参见参考手册《RM0090 Reference manual》中的第9章Table 30. Vector table的Positi

19.1 TIM寄存器结构 ....................................................................242 19.2 TIM库函数 ........................................................................244 No 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 函数名 TIM_DeInit TIM_TimeBaseInit TIM_OCInit TIM_ICInit TIM_TimeBaseStructInit TIM_OCStructInit TIM_ICStructInit TIM_Cmd TIM _ITConfig TIM_DMAConfig TIM_DMACmd TIM_InternalClockConfig TIM_ITRxExternalClockConfig

LED损坏的原因及LED电路保护的方法

LED损坏的原因及LED电路保护的方法

时间：2009-4-21 20:28:58 来源：本站原创 点击：424

白光LED属于电压敏感型的器件，在实际工作中是以20mA的电流为上限，但往往会由于在使用中的各种原因而造成电流增大，如果不采取保护措施，这种增大的电流超过一定的时间和幅度后LED就会损坏。

造成LED损坏的原因主要有：

①供电电压的突然升高。

②线路中某个组件或印制线条或其他导线的短路而形成LED供电通路的局部短路，使这个地方的电压增高。

③某个LED因为自身的质量原因损坏因而形成短路，它原有的电压降就转嫁到其他LED上。 ④灯具内的温度过高，使LED的特性变坏。

⑤灯具内部进了水，水是导电的。

⑥在装配的时候没有做好防静电的工作，使LED的内部已经被静电所伤害。尽管施加的是正常电压和电流值，也是极易造成LED的损坏。

那么，我该怎么样进行LED电路的保护呢？

1.保护电路中采用保险丝(管)

由于保险丝是一次性的，且反应速度慢，效果差、使用麻烦，所以保险丝不适宜用于LED灯成品中，因为LED灯现在主要是在城市的光彩工程和亮化工程。它要求LED保护电路要很苛刻：在超

LED损坏的原因及LED电路保护的方法

出正常