西南科技大学大学物理c1期末考试

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)静电场 掌握库仑定律，电场和电场强度，电场叠加原理， 电力线和电通量，高斯定律与散度，电场的环路 定理与旋度，电势差和电势，电势叠加原理，电 势梯度。 掌握导体的静电平衡，导体上的电荷分布，静电

屏蔽；了解电介质的极化；掌握电位移矢量，电介质中的高斯定律，电容器及电容，电场的能量；

了解传导电流，电源及电动势，稳恒电流。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(2)稳恒磁场 掌握磁场和磁感应强度，磁场叠加原理，磁力线和磁 通量，磁场的高斯定律与散度，匀速运动点电荷的磁 场，毕奥一萨伐尔定律，安培环路定理与旋度。 掌握安培力，安培定律；带电粒子在磁场中的运动， 洛仑兹力；霍耳效应。 了解磁介质及其磁化；掌握磁场强度矢量，磁介质中 的环路定理；了解铁磁质。 (3)电磁感应及麦克斯韦方程组 掌握法拉第电磁感应定律；动生电动势，感生电动势 和感应电场，互感，自感；磁场的能量。 掌握位移电流；麦克斯韦方程组；了解电磁波的基本 性质，电磁波的能量，坡印廷矢量。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)早期量子理论 了解黑体辐射；掌握光电效应，光子与光的二象性， 康普顿散射，原子的核模型，玻尔的原子理论，激 光理论初步。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)静电场 掌握库仑定律，电场和电场强度，电场叠加原理， 电力线和电通量，高斯定律与散度，电场的环路 定理与旋度，电势差和电势，电势叠加原理，电 势梯度。 掌握导体的静电平衡，导体上的电荷分布，静电

屏蔽；了解电介质的极化；掌握电位移矢量，电介质中的高斯定律，电容器及电容，电场的能量；

了解传导电流，电源及电动势，稳恒电流。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(2)稳恒磁场 掌握磁场和磁感应强度，磁场叠加原理，磁力线和磁 通量，磁场的高斯定律与散度，匀速运动点电荷的磁 场，毕奥一萨伐尔定律，安培环路定理与旋度。 掌握安培力，安培定律；带电粒子在磁场中的运动， 洛仑兹力；霍耳效应。 了解磁介质及其磁化；掌握磁场强度矢量，磁介质中 的环路定理；了解铁磁质。 (3)电磁感应及麦克斯韦方程组 掌握法拉第电磁感应定律；动生电动势，感生电动势 和感应电场，互感，自感；磁场的能量。 掌握位移电流；麦克斯韦方程组；了解电磁波的基本 性质，电磁波的能量，坡印廷矢量。

电子科技大学大学物理II期末考试要求

(1)早期量子理论 了解黑体辐射；掌握光电效应，光子与光的二象性， 康普顿散射，原子的核模型，玻尔的原子理论，激 光理论初步。

《大学物理A2》课程考试要求

本考试要求根据西南科技大学《 大学物理A2 》课程教学大纲的教学要求，以四年制本科人才培养规格为目标，按照大学物理学科的理论知识体系，提出了考核的知识点和考核的目标。考核目标分为三个层次；了解、掌握（或会、能）\\熟练掌握。

静电场 考核知识点

1、库仑定律、静电力叠加原理；

2、电场强度、场强叠加原理、电场强度的计算、带电体在外电场中所受的作用；

3、电通量、真空中的静电场高斯定理；

4、电场力的功、静电场的环路定理、电势能、电势、电势差、电势叠加原理、电势的计算；

5、场强与电势的关系、电势梯度；

6、带电粒子在外电场中受到的力及其运动。 考核要求

1、正确理解静电场的E、U、△U的定义；

2、熟练地应用静电场的高斯定理和场强迭加及场强与电势的微分关系计算E，从而计算U、△U；

3、正确理解保守力的概念，掌握计算电场能量的方法； 4、掌握计算带电粒子在外电场中受到的力，并分析其运动。 静电场中的导体和电介质 考核知识点

1、静电平衡时导体上的电荷分布、静电平衡时导体表面附近的场强； 2、电容器的电容、电容器电容的计算；

3、介质对电容的影响、电介质的极化现象和极化机理； 4、电介质中的电场、有介质时的高斯定理

《大学物理A2》课程考试要求

本考试要求根据西南科技大学《 大学物理A2 》课程教学大纲的教学要求，以四年制本科人才培养规格为目标，按照大学物理学科的理论知识体系，提出了考核的知识点和考核的目标。考核目标分为三个层次；了解、掌握（或会、能）\\熟练掌握。

静电场 考核知识点

1、库仑定律、静电力叠加原理；

2、电场强度、场强叠加原理、电场强度的计算、带电体在外电场中所受的作用；

3、电通量、真空中的静电场高斯定理；

4、电场力的功、静电场的环路定理、电势能、电势、电势差、电势叠加原理、电势的计算；

5、场强与电势的关系、电势梯度；

6、带电粒子在外电场中受到的力及其运动。 考核要求

1、正确理解静电场的E、U、△U的定义；

2、熟练地应用静电场的高斯定理和场强迭加及场强与电势的微分关系计算E，从而计算U、△U；

3、正确理解保守力的概念，掌握计算电场能量的方法； 4、掌握计算带电粒子在外电场中受到的力，并分析其运动。 静电场中的导体和电介质 考核知识点

1、静电平衡时导体上的电荷分布、静电平衡时导体表面附近的场强； 2、电容器的电容、电容器电容的计算；

3、介质对电容的影响、电介质的极化现象和极化机理； 4、电介质中的电场、有介质时的高斯定理

《大学物理1》单元练习一

一、选择题

?????t?01．质量为0.25kg的质点，受力F?ti的作用，时该质点以v?2jm/s的速度通过坐标原点，

则该质点任意时刻的位臵矢量是 ( ) A、2t2?i?2j m；

?????23?34?23? B、ti?2tjm； C、ti?tj m； D、条件不足无法判断；

343????2．一个质点在几个力同时作用下得位移为?r?(4i?5j?6k)m，其中一个力为恒力?????67J B、则这个力在该位移过程中所做的功为( ) A、F?(?3i?5j?9k)N，

91J C、17J D、67J

3．一特殊的弹簧，弹性力F??kx，k为倔强系数，x为形变量。现将弹簧水平放臵，一端固定，一端与质量为m的滑块相连，滑块自然静止于光滑水平面上。今沿弹簧长度方向给滑块一个冲量，如图所示。使滑块获得一速率v，并压缩弹簧，则弹簧被压缩的最大长度为( )

14143kmlm A、v B、

k

?4mv2??2mv2?kv C、 ?? D、?? m

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北京交通大学 大学物理（Ⅰ）期中考试卷 06/4/23

学院、专业 班级 学号 姓名 教师姓名 选择题 40分 填空题 30分 计算题30分 附加题10分 总分100分 注意事项：1、闭卷考试。 2、可以使用计算器。3、90分钟答卷。 一、单项选择题 （每小题4分，共40分）

???221一质点在平面上运动，已知质点位置矢量的表示式为 r?ati?btj（其中a、b为常

量）, 则该质点作 (A) 匀速直线运动． (B) 变速直线运动．

(C) 抛物线运动． (D)一般曲线运动． ［ B ］

2一质点在力F= 5m(5 ??2t) (SI)的作用下，t =0时从静止开

一、单项选择题（15个小题，每题2分，共30分）： 1．一个C语言程序的执行是从_____。 A．main函数开始，直到main函数结束 B．第一个函数开始，直到最后一个函数结束 C．第一个函数开始，直到最后一个语句结束 D．main函数开始，直到最后一个函数结束 2. 正确的自定义标识符是_____。 A．x_2 B．a-b C．2sum D．$123 3．下面程序的运行结果是_____。 #define F(x) x*x void main( ) { int a=2,b=1;

prinft(“%d\\n”,F(a+b)); }

A．3 B．5 C．8 D．9

4．读以下程序段，判断a的值为_____。 int *p,a=10,b=1; p=&a; a=*p+b;

A．12 B．10 C．11 D．编译出错

5．根据以下说明语句，则下面的叙述中不正确的是_____。 struct student { int num; char name[10]; int score; }stu;

A．struct是定义结构体类型的关键字 B．stu是结构体变量名

C．num, name, score都是结构体成员名 D．stu是结构体类型名

6．已知

一、选择题

1.某弹簧振子振幅为A，周期为T， 从平衡位置运动到A处所需要的最短时间为（ ）

2（A） T

12 （B） T2 （C） T3 （D） T4

2.一弹簧振子作简谐运动，当位移为振幅一半时其动能为总能量的（ ） （A） 1 （B） 1 （C） 3 （D） 12442

3.x为一定值时波动方程 y?Acos2π(tx?) 的物理意义为（ ） T?（A）表示某时刻的波形 （B）说明能量的传播

（C）表示x处质点的振动规律 （D）表示各质点振动状态的分布 4.一平面简谐波传播速度为100 m?s，频率为50Hz，在波线上相距0.5m的两点之间的相位差是（ ） （A）

-1???? （B） （C） （D）

63245.杨氏双缝干涉实验中，采用什么方法产生相干光源( )

(A)波阵面分割法 (B)振幅分割法 (C)采用两独立的光源 (D)以上答案均不对 6.波长为680nm的平行光照射到12cm长的两块玻璃片上，两玻璃片的

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大学物理（2）期末复习试题库

第四篇 电磁学

一、判断题

??1.关系B??H对所有各向同性线性介质都成立。（ ）

2.静电场中任何两条电力线不相交，说明静电场中每一点的场强是唯一的。（ ）

3.导体内部处处没有未被抵消的静电荷，静电荷只分布在导体的表面上。（ ） 4.电源电动势的方向是自正极经电源内部到负极的方向。（ ）

5.自感系数只依赖线圈本身的形状、大小及介质的磁导率而与电流无关。（ ）

??6.恒定磁场中定理?H?dl?（ ） ?I成立。

??7.关系D??E对所有各向同性电介质都成立。（ ）

8.

????E?ds??q?0对任意电场均成立。（ ）

9.可以把电子的自旋运动和宏观物体的自转运动相类比。（ ）

??10.无论是在稳恒磁场还是非稳恒磁场中安培环路定理?H?dl?L?Ii都成立。

（ ）

11.导体静电平衡的条件是导体内部场强处处为零。（ ）

12.有人把??B?dS?0称为磁场高斯定理,

西南科技大学2013-2014-2学期

《光电子技术》半期考试试卷（120分钟）

课程代码 1 6 3 1 4 0 3 6 0 命题单位 理学院：专业物理教研室 一、选择题（15分，3分/题，多选、少选、错选和不选均为0分） 1、光电子技术与（ ）技术成为21世纪信息技术的核心和基础。 A.微电子 B.计算机 C.光通信 D.纳米 2、光子的基本性质是（ ）。

A.有能量、动量和转动惯量 B.属于费米子 C.每个光子有两个自旋状态 D.有两个独立的偏振态

3、光在大气中传播时，出现分子的吸收特性强烈的依赖于（ ）。 A.分子的极性 B. 光波的频率 C.分子的密度 D.分子的大小 4、激光的振幅调制中，调制系数是指（ ）。 A.调制信号的振幅与激光的振幅之比 B.激光的振幅与调制信号的振幅之比

C.调制后振幅的最大增量与振幅的平均值之比 D.振幅比例系数与调制信号的振幅之比

5、在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于( ) A.外光电效应 B.内光电效应 C.光电发射效应 D.光伏效应 二、判