西南科技大学化工原理期末考试题

*密*

西南科技大学2009—2010学年第2学期 《通信原理》期末考试试卷（A卷）

课程代码: 2 2 3 1 9 4 3 0 0 命题单位: 学院:

班级:

姓名:

信息工程 学院

学号:

通信

教研室

一．填空题（每空1分，共30分）

1、数字通信系统的主要质量指标是__________和__________。

2、高斯白噪声是指噪声的概率密度服从__________分布，功率谱密度服从__________分布。 3、模拟信号经抽样、量化所得到的数字序列称为________信号，直接传输这种信号称为___________。

4、目前最常用的多路复用方法为________复用和_______复用。

5、模拟信号转变为数字信号需要经过以下三个过程：_________ 、__________ 和 __________ 。

6、四元离散信源的四个符号出现的概率分别为1／4、1／2、1／8、1／8，符号出现相对独立，其信源熵为 。理论上，四元信源的最大熵为 。 7、差分脉冲编码是对_________与_________的差值进行编码。 8、将数字基带信号直接送到信道传输的方式称为____________ 。 9、通常情况

*密*

西南科技大学2009—2010学年第2学期 《通信原理》期末考试试卷（A卷）

课程代码: 2 2 3 1 9 4 3 0 0 命题单位: 学院:

班级:

姓名:

信息工程 学院

学号:

通信

教研室

一．填空题（每空1分，共30分）

1、数字通信系统的主要质量指标是__________和__________。

2、高斯白噪声是指噪声的概率密度服从__________分布，功率谱密度服从__________分布。 3、模拟信号经抽样、量化所得到的数字序列称为________信号，直接传输这种信号称为___________。

4、目前最常用的多路复用方法为________复用和_______复用。

5、模拟信号转变为数字信号需要经过以下三个过程：_________ 、__________ 和 __________ 。

6、四元离散信源的四个符号出现的概率分别为1／4、1／2、1／8、1／8，符号出现相对独立，其信源熵为 。理论上，四元信源的最大熵为 。 7、差分脉冲编码是对_________与_________的差值进行编码。 8、将数字基带信号直接送到信道传输的方式称为____________ 。 9、通常情况

一、单项选择题（15个小题，每题2分，共30分）： 1．一个C语言程序的执行是从_____。 A．main函数开始，直到main函数结束 B．第一个函数开始，直到最后一个函数结束 C．第一个函数开始，直到最后一个语句结束 D．main函数开始，直到最后一个函数结束 2. 正确的自定义标识符是_____。 A．x_2 B．a-b C．2sum D．$123 3．下面程序的运行结果是_____。 #define F(x) x*x void main( ) { int a=2,b=1;

prinft(“%d\\n”,F(a+b)); }

A．3 B．5 C．8 D．9

4．读以下程序段，判断a的值为_____。 int *p,a=10,b=1; p=&a; a=*p+b;

A．12 B．10 C．11 D．编译出错

5．根据以下说明语句，则下面的叙述中不正确的是_____。 struct student { int num; char name[10]; int score; }stu;

A．struct是定义结构体类型的关键字 B．stu是结构体变量名

C．num, name, score都是结构体成员名 D．stu是结构体类型名

6．已知

预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大

①

－

－8V 图1

③ －2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大

①

－

－8V 图1

③ －2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

微机原理与接口技术一

一、 单项选择题 (下面题只有一个答案是正确的，选择正确答案填入空白处) 1．8086CPU通过（ 1 ）控制线来区分是存储器访问，还是I/O访问，当CPU执行IN AL,DX指令时，该信号线为（ 2 ）电平。

（1） A. M/ B. C. ALE D. N/

(2) A. 高 B. 低 C. ECL D. CMOS 2．n+1位有符号数x的补码表示范围为（ ）。 A. －2n < x < 2n B. －2n ≤ x ≤ 2n -1 C. －2n -1 ≤ x ≤ 2n-1 D. －2n < x ≤ 2n

3．若要使寄存器AL中的高4位不变，低4位为0，所用指令为（ ）。 A. AND AL, 0FH B. AND AL, 0FOH C. OR AL, 0FH D. OR AL 0FOH 4．下列MOV指令中，不正确的指令是（ ）。 A. MOV AX, BX B. MOV AX, [BX] C. MOV AX, CX D

陕西科技大学 试题纸

课程 化工原理（上） A卷 班级

学号 姓名 题号 得分 阅卷人 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 一．填空、选择

1．参照下图，已知d1=2d2, u2=4 m/s, u1等于 。

A.u1=1 m/s B. u2=0.5 m/s C. u3=2 m/s d2 d1 2．长度为a, 宽度为b的矩形管道，其当量值de为 。

A. 2ab/(a+b) B.ab/(a+b) C.ab/2(a+b) 3．写出绝压、大气压与真空度之间的关系：真空度= 。 4．流体在管内流内流动时，通过任一截面上径向各点的流速并不相等，在壁面处为 ，在管中心达到 值,工程计算中采用 流速

一、单项选择题 (本大题分30小题, 每小题1.5分, 共45分)

1、信息（ A）

A.是形成知识的基础 B.是数据的基础

C.是经过加工后的数据 D.具有完全性

2、管理信息是( A )

A.加工后反映和控制管理活动的数据 B.客观世界的实际记录

C.数据处理的基础 D.管理者的指令

3、人类社会发展的三大资源是（ C）

A．食、石油、水 B．物质、网络、信息

C．能源、物质、信息 D．计算机、通信、网络

4、管理信息的时效性是指 (D )

A．管理信息只能在特定的时间获得 B．管理信息在一定时期内有效

C．管理信息一旦获得，就永远有效

D．管理信息是有生命周期的，只有在生命周期内有效

5、以下选项属于管理控制（战术管理）的是（D）

A．奖金分配 B．产品发展 C．作业调整 D．库存补充

6、按照不同级别管理者对管理信息的需要，通常把管理信息分为以下三级（D ）

A.公司级、工厂级、车间级 B.工厂级、车间级、工段级

C.厂级、处级、科级

陕西科技大学 试题纸

课程 过程设备设计 班级

学号 姓名 题号 得分 阅卷人 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分

，填空题（24分，每题3分）

1，压力容器的基本组成为 ，各部分的作

用分别为 2，压力容器按压力等级分类可分为 ，按在生产中所起的作用来分可分为

西南科技大学 模拟电子技术试卷十

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分，共20分) （1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小

①

－2V －8V 图1

③ ② －2.2V

西南科技大学 模拟电子技术试卷十

C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.