绘出各器件的输出特性

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安徽工业大学 毕业设计（论文）说明书

微电源故障输出特性和微电网保护方案初探

摘要

分布式发电不仅具有环保、效率高、安装地因地制宜等优点，而且可节省长距离输电线路的投资成本和损耗，保障在大电网发生意外停电时，能够提供基本的能源供应。然而，分布式发电的随机性、小容量、小惯性、低过载能力等缺点，以及分布式发电接入对大电网的影响等诸多因素都制约着分布式发电技术的推广和实用，微电网技术的出现就是为了解决这些难题。

本文首先对逆变型分布式电源的工作原理以及控制策略进行了理论分析，并在此基础上分别详细分析了在PQ控制以及VF控制下逆变型分布式电源的故障输出特性，并在Matlab/Simulink仿真环境下进行仿真，验证了控制策略的有效性以及故障输出特性分析的正确性。最后阐述了微电网的配置、保护层次和逻辑，以及基于全局信息的集中式保护方案。

关键词：逆变型分布式电源，故障输出特性，微电网，仿真，保护方案

共 46 页

实验名称：非晶硅、多晶硅太阳电池特性测试

一、 实验目的

（1） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池的结构。 （2） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池的外特性。

（3） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池外特性的影响因素。 二、实验材料及设备 1． 2． 3． 4．

三、 实验步骤

1、模拟太阳光条件下，多晶硅太阳电池单电池的输出外特性曲线

测量记录日期、时间和地点；绘制电池的外形结构图并记录电池几何参数（用于计算电池面积）；并记录太阳光当时辐射强度，按照图1所示实验原理图接线。

(1) 在室内太阳光模拟器下，分别测试光强为1 sun（1000W/m2）、0.5 sun

（500W/m2）下的电池的电池的短路电流（Isc）和空载电压（Uoc），与输出外特性曲线。

(2) 具体测量方法：分别在上述一定光强下，逐步改变电阻箱（负载）的阻值RL，分别测量电池两端的I和U。根据测量结果绘制上述不同条件下的电池外特性曲线。

非晶硅、多晶硅太阳电池板（单电池与电池阵列） 3块 光源（氙灯） 1套 数字万用表 2块 电阻箱阻

实验名称：非晶硅、多晶硅太阳电池特性测试

一、 实验目的

（1） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池的结构。 （2） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池的外特性。

（3） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池外特性的影响因素。 二、实验材料及设备 1． 2． 3． 4．

三、 实验步骤

1、模拟太阳光条件下，多晶硅太阳电池单电池的输出外特性曲线

测量记录日期、时间和地点；绘制电池的外形结构图并记录电池几何参数（用于计算电池面积）；并记录太阳光当时辐射强度，按照图1所示实验原理图接线。

(1) 在室内太阳光模拟器下，分别测试光强为1 sun（1000W/m2）、0.5 sun

（500W/m2）下的电池的电池的短路电流（Isc）和空载电压（Uoc），与输出外特性曲线。

(2) 具体测量方法：分别在上述一定光强下，逐步改变电阻箱（负载）的阻值RL，分别测量电池两端的I和U。根据测量结果绘制上述不同条件下的电池外特性曲线。

非晶硅、多晶硅太阳电池板（单电池与电池阵列） 3块 光源（氙灯） 1套 数字万用表 2块 电阻箱阻

基础物理实验研究性报告

探究太阳能电池输出特性及影响功率因素

第一作者姓名刘寒颖 第一作者学号 11021023 第二作者姓名 程功凡 第二作者学号 1102117 所在院系 电子信息工程学院

2013年5月

一、 摘要

能源短缺和地球生态环境污染已经成为人类面临的最大问题。推广使用太阳辐射能、水能、风能、生物质能等可再生能源是今后的必然趋势。

本文将测量太阳能电池的输出特性，描绘输出特性曲线图，并在此基础上，探究入射距离和入射角度对两种太阳能电池输出功率的影响。探究方法是控制变量法，改变影响因素得到因变量，绘制曲线图，由曲线走势分析影响。本文最后还将对本次研究性实验进行讨论，包括对实验误差的分析、实验改进建议以及实验感想等。

二、 实验要求

1、光照条件下太阳能电池的输出特性测量 2、入射距离与太阳能电池输出功率的关系 3、入射角度与太阳能电池输出功率的关系

三、 实验原理

太阳能电池利用半导体P-N结受光照射时的光伏效应发电，太阳能电池的基本结构就是一个大面积平面P-N结，图1为P-N结示意图。

P型半导体中有相当数量的空穴，几乎没有自由电子。

PADS输出元器件bom清单

Pads输出Bom有人是在原理图中输出，也可以在layout中输出，这里仅说明在Layout中输出bom清单，bom清单必须包含元器件的具体信息：

我们在Layout中用宏命令的方式来输出bom清单，步骤如下：

1. 2.

下载宏Jlc_pads_bom.bas

点粘贴即可

copy 这个文件到你的 pads 宏文件目录

：右键点中文件选复制，然后在桌面

3. 将Jlc_pads_bom.bas 宏文件加载到PADS中

则在这个列表中已经有了JLC_PADS_BOM这个宏命令

选中此命令，点Run,即可生成一个bom清单：

将Description 中的元件描述完善 ：如贴片电阻，贴片电容等

Value中填写元件的型号、规格、误差，这一列需要你进行补充尽可能完整的物料信息 Decal 列中的 封装名称完善

Qty: 描述这个元件在pcb上的数量，和元件的位置号对应； Name: 元件的位置号---这一列不用手工改动

最后按格式转换步骤转换为 模板需要的文件格式,具体步骤见相关文档:

实验一 PN结器件电流—电压特性

一、基本原理

PN结是半导体结型器件的核心，是IC电路的最基本单元，诸多半导体器件都是由PN结组成的。最简单的结型器件是半导体二极管，根据不同场合的用途，使用不同掺杂及材料制备工艺制成多种二极管，如整流二极管、检波二极管、光电二极管（发光二极管、光敏二极管）等；三极管与结型晶体管就是由两个PN结构成的。因此深入了解与掌握PN结的基本特性，是掌握与应用晶体管等结型器件的基础。

PN结的最重要特性是单向导电性，即具有整流特性。也就是说，正向表现低阻性，反向为高阻性。若在PN结上加上正向偏压（P区接正电压、N区接负电压）则电流与电压呈指数关系，如下式 I?I0?exp??qv?? （Ⅰ） nkT??式中q是电子电荷，K是波尔兹曼常数，T是工作温度（K），V是外加电压，n是复合因子，

根据实际测量曲线求出。随着电压缓慢升高

防雷元器件特性与应用

一、防雷元器件产品分类：

按作用机理：开关元件类、限压元件类和温度敏感元件类

按保护原理：过压保护类（开关元件和限压元件）和过流保护类（温度敏感元件）

1、开关元件类：

开关元件类，顾名思义，相当于一个开关，平时开关是断开的，不影响电路的正常工作，当雷击浪涌高电压到来的时候，开关就接通，将浪涌电流泄放到大地，或者阻挡进入被保护设备的浪涌电流，从而使被保护设备免受浪涌高电压击穿损坏。

开关元件类主要有：陶瓷气体放电管、玻璃放电管（强效放电管，浪涌吸收器）和半导体过压保护器（半导体放电管或固体放电管）三种类型。

优点：①击穿（导通）前相当于开路，电阻很大，没有漏电流或漏电流很小；

②击穿（导通）后相当于短路，可通过很大的电流，压降很小； ③脉冲通流容量（峰值电流）大：

陶瓷气体放电管的8/20μs波峰值电流常用的有5kA、10kA、20kA等几种（还有更大的，达100kA以上），10/1000μs波峰值电流在几十至几百A之间；

玻璃放电管的8/20μs波峰值电流现有500A、1kA、3kA三种； 半导体过压保护器的10/1000μs波峰值电流在几十至一百A之间。 ④具有双向对称特性（个别半导体过压保护器除外）。

⑤陶瓷气体放

电力电子实验 王兆安

实验三 常用电力电子器件的特性和驱动实验

一、实验目的

(1) 掌握常用电力电子器件的工作特性。

(2) 掌握常用器件对触发MOSFET、信号的要求。 (3) 理解各种自关断器件对驱动电路的要求。 (4) 掌握各种自关断器件驱动电路的结构及特点。

(5) 掌握由自关断器件构成的PWM 直流斩波电路原理与方法。 二、预习内容

(1) 了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT的结构和工作原理。 (2) 了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT有哪些主要参数。 (3) 了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT的静态和动态特性。 （4）阅读实验指导书关于GTO、GTR、MOSFET、IGBT的驱动原理。 三、实验所需设备及挂件

电力电子实验 王兆安

四、实验电路原理图

1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种特性实验原理电路如下图X-1所示：

三相电

网电压

图 X-1特性实验原理电路图

X-2虚框中五种器件的1、2、3标号连接示意图

电力电子实验 王兆安

2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图如下图X-3所示：

图X-3 GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电

CoolEdit

梁尚俊子

年8月8日

录音教程 2010人声各频段的声音特性表

录音篇——CE录音混缩其实很简单

一般电脑的集成声卡或者非专业声卡，CE都无需单独设臵的。默认的就是系统的默认声卡驱动程序。

打开CE，多轨状态下，默认的采样率是你系统声卡的默认采样率，通常是44100，当然也有个别是48000HZ的，那么对于一般的44100采样率的伴奏就没法插入，那么需要你点击菜单栏的文件--新建工程--选择44100点击确定就可以了。图片1：

还是多轨状态下选择第一轨，点击插入--音频文件，文件类型选择所有文件，图片2：

选择你要唱歌的伴奏，点击确定。图片3：

接下来，从第二轨开始录起。多轨录音就要多发挥多轨录音的优势。很多朋友录歌的时候从前奏开始一直录到结尾。然后中间哪几句不好就重录那几句。对一般配臵的电脑来说，从头录到尾对内存负荷是很大的。不如试试我这种录歌方法。前提：把歌曲挺熟练熟，前奏找到进唱前的一个点，不至于让你听很久才开始唱。如图4：

你可以一直录到这一段结束，也可以在你唱的不满意的地方停止，然后在下一轨，继续录音。如图5：

第一段结束

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录音篇——CE录音混缩其实很简单

一般电脑的集成声卡或者非专业声卡，CE都无需单独设臵的。默认的就是系统的默认声卡驱动程序。

打开CE，多轨状态下，默认的采样率是你系统声卡的默认采样率，通常是44100，当然也有个别是48000HZ的，那么对于一般的44100采样率的伴奏就没法插入，那么需要你点击菜单栏的文件--新建工程--选择44100点击确定就可以了。图片1：

还是多轨状态下选择第一轨，点击插入--音频文件，文件类型选择所有文件，图片2：

选择你要唱歌的伴奏，点击确定。图片3：

接下来，从第二轨开始录起。多轨录音就要多发挥多轨录音的优势。很多朋友录歌的时候从前奏开始一直录到结尾。然后中间哪几句不好就重录那几句。对一般配臵的电脑来说，从头录到尾对内存负荷是很大的。不如试试我这种录歌方法。前提：把歌曲挺熟练熟，前奏找到进唱前的一个点，不至于让你听很久才开始唱。如图4：

你可以一直录到这一段结束，也可以在你唱的不满意的地方停止，然后在下一轨，继续录音。如图5：

第一段结束