数字电子技术基础期末考试题

《电子技术基础》期末考试题

班级 姓名

题号 得分 一 二 三 总分 一、填空题（在“ ”上填上正确答案，每空1.5分，共48分）

1. 晶体二极管加一定的 电压时导通，加 电压时截止，这一导电特性称为二极管的 特性。

2. PN 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。

3. 用万用表“R x 1K \挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。

4. 场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。

5. 试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。

管型 （1）_______（2）_______（3）_______（4）_______ 工作状态 （1）_______（2）_ （3）_______（4）_______

6. Iceo称为三极管

复习题

一．选择题：

1．下列各式中哪个是四变量A、B、C、D的最小项？（ ）

a．A′＋B′＋C b．AB′C c．ABC′D d．ACD 2．组合逻辑电路的分析是指（ ）。

a．已知逻辑要求，求解逻辑表达式并画逻辑图的过程 b．已知逻辑要求，列真值表的过程 c．已知逻辑图，求解逻辑功能的过程 3．正逻辑是指（ ）。

a．高电平用“1”表示，低电平用“0”表示 b．高电平用“0”表示，低电平用“1”表示 c．高电平、低电平均用“1”或“0”表示 4．寄存器、计数器属于（ ）。

a．组合逻辑电路 b．时序逻辑电路 c．数模转换电路 5．全加器是指（ ）的二进制加法器。

a．两个同位的二进制数相加 b．两个二进制数相加 c．两个同位的二进制数及来自低位的进位三者相加

6．4选1数据选择器的输出表达式Y＝A1′A0′ D0＋A1′A0D1＋A1A0′ D2＋A1A0D3，若用该数据选择器实现Y＝A1′，则D0～D3的取值为（a．D0 ＝D1＝1，D2＝D3＝0 b．D0 ＝D3＝0，D1＝D2＝1

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

.

. 数字电子技术基础试题（一）

一、填空题 : （每空1分，共10分）

1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。

2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。

3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。

4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。

5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。

6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。

二、选择题：

(选择一个正确的答案填入括号内，每题

3分，共30分 )

1.设图1中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。

图 1

2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。

A、或非门

B、与非门

.

C、异或门

D、OC门

3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。

A、通过大电阻接地（>1.5KΩ）

B、悬空

C、通过小电阻接地（<1KΩ）

D、通过电阻接V CC

4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。

A、施密特触发器

B、多谐振荡器

C、单稳态触发器

D、T触发器

5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。图2

A、计数器

B、寄存器

C、译码器

D、触发器

6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。图2

A、并行A

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

浙江大学2007–2008学年春学期

《 数字电子技术基础 》课程期末考试试卷

开课学院： 电气学院 ，考试形式：闭、开卷，允许带___计算器___入场 考试时间：2008年 4 月 17 日,所需时间： 120 分钟

考生姓名： _____学号： 专业： ______主考教师： 题序 得分 评卷人 一 二 三 四 五 六 七 八 总 分 一、（27分） 填空写出下列各题的正确答案： 1、（2分）数制、码制转换：

(1) ( 478 )10 = （ ）2 =( ) 8421BCD

2、（2分）已知某单位有2356个人，若要求用一串二进制码给每人分配一个ID号，则至少需要（ ）位二进制进行编码？

3、（2分）某与非门电路的低电平最大输出值是0.4V，高电平输出最小值是2.5V，开门电平和关门电平约等于阀值电平VT=1.4V，则它的低电平输入噪声容限是（ ），高电平输入噪声容限是（ ）。

4、（2分）（在选择处打√）三态与门

一、 填空题: 1、（48）10 =（ ）16 =（ ）2。

2、对于TTL与非门的闲置输入端可接 ，TTL或非门不使用的闲置输入端应接 。 3、格雷码的特点是任意两组相邻代码之间有 位不同。

4、在下列JK触发器、RS 触发器、D触发器 和T触发器四种触发器中，同时具有保持、置1、置0和翻转功能的触发器是 。

5、OC门可以实现 功能，CMOS门电路中的 门也可以实现该功能。 6、一只四输入端与非门，使其输出为0的输入变量取值组合有 种。 7、常见的组合逻辑电路有编码器 、 和 。

8、逻辑函数F?AB?AC?BD的反函数为 ，对偶函数为 。 9、一个同步时序逻辑电路可以用 、 、 三组函数表达式描述。 10、加法器的进位方式有 和

《电工与电子技术》期末考试试题

一、选择题（25分每小题1分） 1.理想二极管的反向电阻为（ ）。

A.零 B.无穷大 C.约几百千欧 D.以上都不对

2.在换路瞬间，下列各项中除( )不能跃变外，其他全可跃变。 A.电感电压 B.电容电压 C.电容电流 D.电阻电流

3.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（ ）。

A.减少负载的工作电流 B.减少负载的有功功率 C.减少负载的无功功率 D.减少线路的功率损耗 4.稳压二极管的动态电阻rZ 是指 （ ）。

A.稳定电压UZ与相应电流IZ 之比

B.稳压管端电压变化量?UZ 与相应电流变化量?IZ 的比值

C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 D.以上都不对

5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时，若线电压

则相电压 uC=？ A.2202sin(?t?30)V

B.3802sin(?t?30)V

D.2202sin(?t?30)

uBC?3802sin(?t?180)V，

C. 3802sin(?t?120)V

6.两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压

太原科技大学

数字电子技术 课程试卷 B 卷

一、单选题（20分，每小题1分）请将本题答案全部写在下表中

题号 答案 题 号 分 数 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总 分 1 B 2 A 3 D 4 C 5 A 6 B 7 A 8 D 9 C 10 B 11 B 12 A 13 D 14 C 15 C 1、8421BCD码10000001转化为十六进制数是( )。

A、15 B、51 C、81 D、18 2、n位二进制数的反码或其原码，表示的十进制数是( )。 A、2?1 B、2 C、23、TTL与非门多余输入端的处理是( )。

A、接低电平 B、任意 C、 通过 100W电阻接地 D、通过 100kW电阻接地

4、OD非门在输入为低电平（输出端悬空）情况下，输出为( )状态。 A、高电平

哈工大2004年春季学期

班号 姓名 题号 分数

一、填空或选择（20分）

1、N型半导体是在半导体中掺入 五 价杂质，其中多数载流子是 电子 。 2、在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 放大 区；在数字电路中它一般工作在 饱和 区或 截止 区，此时也称它工作在 开关 状态。

3、电路如下图所示，TG为CMOS传输门，G为TTL与非门，则C=0, P= 0 ；C=1时，P= /A 。 基 础 电 子 技 术 试 题

一 二 三 四 五 六 七 八 总分 BCATG1C4、乙类功放电路如下图所示。已知

10k?&PVCC?12V，RL?8?，UCES?0，ui为正弦电压，

则负载上可能得到的最大输出功率为 9W ；每个管子的管耗至少应为 1.8W 。

?VCCT1viT2?VCCRL

5、当温度升高时，双极性三极管的β将 增加 ，反向饱和电流ICEO 增加 ，正向结压降UBE 减小 ，晶体管的共射输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲