非晶硅电池的pin结构

多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

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7 多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

名 称： 单晶硅

英文名： monocrystalline silicon 分子式： si

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分。硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅲa族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅴa族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于

非晶硅薄膜的PECVD生长研究

方祥

上海建冶环保科技股份有限公司 上海 201300

摘要 PECVD是目前生长氢化非晶硅薄膜及其太阳电池器件的最主要的方法。本文中，我们结合了目前该种方法在非晶硅薄膜沉积的各方面的主要进展讨论了电源激发频率，气体压力与流量，衬底沉积温度等参数对非晶硅薄膜的质量和太阳电池性能的影响。我们得出的主要结论有三条：一、使用超高频电源时，在同等的功率密度条件下可以更高的速率沉积出更高质量的非晶硅薄膜；二、氢的稀释度对非晶硅薄膜材料以及制备的太阳电池有着重要的影响，最好的材料质量和电池性能出现在由非晶硅向微晶硅转变的临界状态；三、非晶硅薄膜生长时温度必须在150-350°C的范围内优化，并需要依据生长速率和氢稀释度进行调整。上述从大量实验中得出的经验性规律对于指导非晶硅和电池材料的PECVD生长具有重要的实际意义。

关键词：PECVD；a-Si: H；氢稀释度 中图分类号：0484

The Study of Deposition of a-Si:H Thin

Film by PECVD

FANG Xiang

Shanghai Janye Sci & Tech Co., Ltd

Abstract: Plasma en

实验名称：非晶硅、多晶硅太阳电池特性测试

一、 实验目的

（1） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池的结构。 （2） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池的外特性。

（3） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池外特性的影响因素。 二、实验材料及设备 1． 2． 3． 4．

三、 实验步骤

1、模拟太阳光条件下，多晶硅太阳电池单电池的输出外特性曲线

测量记录日期、时间和地点；绘制电池的外形结构图并记录电池几何参数（用于计算电池面积）；并记录太阳光当时辐射强度，按照图1所示实验原理图接线。

(1) 在室内太阳光模拟器下，分别测试光强为1 sun（1000W/m2）、0.5 sun

（500W/m2）下的电池的电池的短路电流（Isc）和空载电压（Uoc），与输出外特性曲线。

(2) 具体测量方法：分别在上述一定光强下，逐步改变电阻箱（负载）的阻值RL，分别测量电池两端的I和U。根据测量结果绘制上述不同条件下的电池外特性曲线。

非晶硅、多晶硅太阳电池板（单电池与电池阵列） 3块 光源（氙灯） 1套 数字万用表 2块 电阻箱阻

实验名称：非晶硅、多晶硅太阳电池特性测试

一、 实验目的

（1） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池的结构。 （2） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池的外特性。

（3） 了解非晶硅、多晶硅太阳电池外特性的影响因素。 二、实验材料及设备 1． 2． 3． 4．

三、 实验步骤

1、模拟太阳光条件下，多晶硅太阳电池单电池的输出外特性曲线

测量记录日期、时间和地点；绘制电池的外形结构图并记录电池几何参数（用于计算电池面积）；并记录太阳光当时辐射强度，按照图1所示实验原理图接线。

(1) 在室内太阳光模拟器下，分别测试光强为1 sun（1000W/m2）、0.5 sun

（500W/m2）下的电池的电池的短路电流（Isc）和空载电压（Uoc），与输出外特性曲线。

(2) 具体测量方法：分别在上述一定光强下，逐步改变电阻箱（负载）的阻值RL，分别测量电池两端的I和U。根据测量结果绘制上述不同条件下的电池外特性曲线。

非晶硅、多晶硅太阳电池板（单电池与电池阵列） 3块 光源（氙灯） 1套 数字万用表 2块 电阻箱阻

非晶硅与晶硅太阳电池在太阳能光伏发电应用中热性能的研究文库.txt铁饭碗的真实含义不是在一个地方吃一辈子饭，而是一辈子到哪儿都有饭吃。就算是一坨屎，也有遇见屎壳郎的那天。所以你大可不必为今天的自己有太多担忧。 本文由mzx699贡献

pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第２９卷第８期 ２００８年８月 太阳能学报 ＡＣＩ’Ａ

ｖ０１．２９．Ｎ０．８ Ａｕｇ．，２００８

ＥＮＥＲＧＩＡＥ ＳＯＬＡＲＩｓ ＳＩＮＩ（Ａ

非晶硅与晶硅太阳电池在太阳能光伏发电 应用中热性能的研究 于

元，夏立辉，张志文

（北京市太阳能研究所有限公司，北京１０００１２）

摘要：对在北京地区屋面上固定角度安装（目前光伏发电应用中最常见的安装形式）的非晶硅和多晶硅太阳电 池组件进行了近二年的数据采集，纪录了北京地区温度数据和太阳电池阵列的实际发电量，分析了它们各自的特 点，为用户更为关心的户外使用情况提供了参考依据；认为如果仅从温度特性考虑，是否采用非晶硅替代晶体硅电 池在不同地区应有不同考虑，如果再考虑到人们普遍认

晶体硅太阳能电池的种类及特点

太阳能电池已经有30多年的发展历史。目前世界各国研制的硅太阳能电池种类繁多，；主要系列有单晶、多晶、非晶硅几种。其中单晶硅太阳能电池占50％，多晶硅电池占20％、非晶占30％。我国光伏发电发展需解决的关键问题。太阳能光伏发电发展的瓶颈

是成本高。为此，需加大研发力度，集中在降低成本和提高效率的关键技术上有所突破，主要包括：a)晶体硅电池技术。降低太阳硅材料的制备成本：开发专门用于晶体硅太阳

能电池的硅材料，是生产高效和低成本太阳电池的基本条件；同时实现硅材料国产化和

提高性能，从产业链的源头，抓好降低成本工作。提高电池／组件转换效率：高效钝化

技术，高效陷光技术，选择性发射区，背表面场，细栅或者单面技术，封装材料的最佳

折射率等高效封装技术等。光伏技术的发展以薄膜电池为方向，高效率、高稳定性、低

成本是光伏电池发展的基本原则。

单晶硅在太阳能的有效利用当中，太阳能光电利用是近些年来发展最快，也是最具

活力的研究领域。而硅材料太阳能电池无疑是市场的主体，硅基(多晶硅、单晶硅)太阳

能电池占80％以上，每年全世界需消费硅材料3000t左右。生产太阳能电池用单晶硅，

虽然利润比较低，但是市场需求量大，供不应求，如果进行规模化生产，其利润仍然

Ｙ９０‘３６８

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硕士学位论文

⑧

论文题目￡坠基太堪韭晶金金的剑备拯墼基韭晶的结

构硒究

作者姓名筮遗

指导教师夔建生教授

所在学院挝整兰焦王堂陆提交日期一三雯茎态生五且

浙江大学硕士学位论文

摘要

自从上个世纪六十年代美国加州理工大学的Ｄｕｗｅｚ等人用熔体快冷的方法制得了Ａｕ—Ｓｉ非晶合金后，非晶态金属独特的物理性能、化学性能、机械性能和防腐蚀性能引起了广泛的关注和极大的兴趣。近年来，Ｃｕ基非晶合金以其低廉的成本，很强的非晶形成能力以及优良的力学性能逐渐引起人们的关注。Ｐｄ基非晶合金是人们较早开发出来的大块非晶合金，其最大尺寸可达７０ｃｍ以上。本论文主要围绕以上两个体系，做了以下研究：

１．研究了Ｃｕ４５Ｚｒ４８．。Ａ１７ＲＦ－，ｘ，（ＲＥ＝Ｌａ，Ｃｅ，ＮｄａｎｄＧｄ，０＜ＸＳ５ａｔ．％）体系的非晶

形成能力和热力学性质，发现在该体系中非晶形成能力最好的成分Ｃｕ４５Ｚｒ４６Ａ１７Ｇｄ２并不是共晶成分。引入了Ｙ参数来评价非晶形成能力。

２．通过在Ｃｕ．Ｚｒ－Ａ１体系中加入微量稀土元素，成功的改善了体系的非晶形成能

力，找到了ｃｍ级的Ｃｕ基大块非晶合金ＣＩｌ４５Ｚｒ４６Ａ｜７Ｇｄ２。说明微合金化对非

’

晶形成能力的提高有很大的帮助。

３．通过研究加入稀土元素后体

中国行业研究报告咨询系列

中国非晶硅薄膜太阳能电池市场行情分析报

告

中国企业高层战略决策参考必备

●行业研究分析报告（推荐指数★★★★★）

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光衰

真空科学与技术学报

Ｃ卸心陋ＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＶＡＣＵＵＭＳＣｍＮＣＥＡＮＤ７ＩＥＣＨＮ０１０ＧＹ

第２６卷增刊２００６年９月

氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素

马占洁１

陈光华１。

何斌１

刘国汉２朱秀红１宋雪梅１邓金祥１

张文理１

李志中１郜志华１

，１．北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室北京１０００２２；＼＼２．兰州大学物理科学与工程学院兰州７３００００

／

ＬｉｇｈｔＤｅｇｒａｄａｔｉｏｎ

Ｓｍｂｍ锣ｏｆａ－Ｓｉ：ＨＦｉｌｍｓ

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Ｚｈａｎｊｉｅｌ，ＣｈｅｎＧｕａｎｇｈｕａｌ，ＨｅＢｉｎｌ，ＬｉｕＧｕｏｈａｎ２，ＺｈｕＸｉｕｈｏｎ９１，ＺｈａｎｇＷｅｎｌｉｌ，

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／１．Ｔｈｅ

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如何编制非晶硅薄膜太阳能电池项目

可行性研究报告

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编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司

编制时间：二〇一四年十月

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1 主要用途立项 批地 融资 环评 银行贷款

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目 录

目 录...................................................................................................................... 2 专家答疑：............................................................................................................ 4 一