集成电路原理及应用期末考试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期

集成电路工艺原理 课程考试题A卷（120分钟） 一张A4纸开卷 教师：

邓小川 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷教师

1、 名词解释： (7分)

答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。

特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。 微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。

Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。

2、 现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？ (7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。

3、 集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(

三、判断（本题满分10分，划×√，每道小题2分） 1、电感中电流只能连续变化，不能跃变 （×）

2.在RLC并联的电路中，当LC发生谐振时，线路中电流最小（×） 3.一阶电路中，电阻小了，就会出现振荡（×）

4.同频率正弦量的相位差是与计时起点无关的（√） 5.相量法仅适用于交流电路（√）

1、电容中电压只能连续变化，不能跃变 （×）

2.在RLC并联的电路中，当LC发生谐振时，线路中电流最小（×） 3.二阶电路中，电阻小了，就会出现振荡（√）

4.同频率正弦量的相位差是与计时起点无关的（√） 5.相量法仅适用于交流电路（√）

1、电感中电流只能连续变化，不能跃变 （×）

2.在RLC并联的电路中，当LC发生谐振时，线路中电流最小（×） 3.一阶电路中，电阻小了，就会出现振荡（×）

4.同频率正弦量的相位差是与计时起点无关的（√） 5.相量

555集成电路及其应用

一、555集成电路原理 ................................................................................ 1 二、多用途水位控制器 ............................................................................... 4 三、品名：JS-97A液位控制器 .................................................................. 5 四、555的应用 ............................................................................................. 7

一、555集成电路原理

在数字系统中，为了使各部分在时间上协调动作，需要有一个统一的时间基准。用来产生时间基准信号的电路称为时基电路。时基集成电路555就是其中的一种。它是一种由模拟电路与数字电路组合而成的多功能的中规模集成组件，只要配少量的外部器件，便可很方便的组成触发

集成电路原理与应用模拟试题

一，选择题（四个答案中只有一个是正确的） 1，一个理想运算放大器的基本条件之一是A (a) Aud=∞；(b)rod=∞； (c) rid=0；(d)KCMRR=0 1，一个理想运算放大器的基本条件之一是D (a)Aud=0；(b)rod=∞； (c) rid=0；(d)KCMRR=∞

2，集成运放在应用中出现自激，这一般是由于下述原因之一所致。B

(a) 退耦电容太大；(b)分布电容太大； (c)负载电容太小；(d) 耦合电容太大 2，集成运放在应用中出现自激，这一般是由于下述原因之一所致。C

(a)退耦电容太大；(b) 负载电容太小； (c)负载电容太大；(d) 耦合电容太大 3，在下列几种典型的积分电路中，哪个图是比例积分电路？（C） 哪个图是求和积分电路？(A)

(a) (b)

(c) (d) 图1-1 几种典型的积分电路 4，模拟集成电路的非线性应用之一是D

(a) 比例放大；(b)

单片机模拟试卷001

一、选择题（每题1分，共10分）

1．8031单片机的( D )口的引脚，还具有外中断、串行通信等第二功能。

a）P0 b）P1 c）P2 d）P3 2．单片机应用程序一般存放在（ B ）

a） RAM b）ROM c）寄存器 d）CPU 3．已知某数的BCD码为0111 0101 0100 0010 则其表示的十进制数值为（ B ）

a） 7542H b） 7542 c） 75.42H d） 75.42 4．下列指令中不影响标志位CY的指令有（ D ）。

a）ADD A，20H b）CLR c）RRC A d）INC A 5．CPU主要的组成部部分为（ A ）

a）运算器、控制器 b）加法器、寄存器

c）运算器、寄存器 d）运算器、指令译码器 6．INTEL 8051 CPU是（ C ）位的单片机

a） 16

单片机模拟试卷001

一、选择题（每题1分，共10分）

1．8031单片机的( D )口的引脚，还具有外中断、串行通信等第二功能。

a）P0 b）P1 c）P2 d）P3 2．单片机应用程序一般存放在（ B ）

a） RAM b）ROM c）寄存器 d）CPU 3．已知某数的BCD码为0111 0101 0100 0010 则其表示的十进制数值为（ B ）

a） 7542H b） 7542 c） 75.42H d） 75.42 4．下列指令中不影响标志位CY的指令有（ D ）。

a）ADD A，20H b）CLR c）RRC A d）INC A 5．CPU主要的组成部部分为（ A ）

a）运算器、控制器 b）加法器、寄存器

c）运算器、寄存器 d）运算器、指令译码器 6．INTEL 8051 CPU是（ C ）位的单片机

a） 16

第一部分 考试试题

第0章 绪论

1.什么叫半导体集成电路？

2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？

4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？

6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？

第1章 集成电路的基本制造工艺

1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？

2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？

5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？

6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。

8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。

第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应

1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2. 什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

第一章

1 短距离无线通信的特点

1) 无线发射功率在uW到100mW量级 2) 通信距离在几厘米到几百米

3) 应用场景众多，特别是频率资源稀缺情况 4) 使用全向天线和线路板天线 5) 不需申请频率资源使用许可证 6) 无中心，自组网 7) 电池供电

2 频分复用和时分复用的特点和区别？

频分复用（FDD）同时为用户和基站提供了无线电传输信道，这样可以在发送信号的同时接收到来的信号。在基站中，使用不同的发射天线和接收天线以对应分离的信道。然而在用户单元中，使用单个天线来传输和接收信号，并使用一种称为双工器的设备来实现同一天线上的信号传输与接收。对于FDD系统，发送和接收的信道频率至少要间隔标称频率的5%，以保证在廉价的制造成本下能够提供具备足够隔离度的双工器

时分复用（TDD）方式即在时间上分享一条信道，将其一部分时间用于从基站向用户发送信息，而其余的时间用于从用户向基站发送信息。如果信道的数据传输速率远大于终端用户的数据速率，就可以通过存储用户数据然后突发的方式来实现单一信道上的全双工操作。TDD只在数字传输和数字调制时才可以使用，并且对定时很敏感。

3 蜂窝移动电话系统的结构和各部分的作用？ 蜂窝电话系统为在无线覆盖范围内的、任何

第一部分 考试试题

第0章 绪论

1.什么叫半导体集成电路？

2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？

4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？

6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？

第1章 集成电路的基本制造工艺

1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？

2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？

5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？

6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。

8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。

第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应

1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2. 什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

《集成电路原理与应用》课程教学大纲

课程名称：集成电路原理与应用 课程编号：042062

总学时数：48学时 讲课学时: 40学时 实验学时：8学时 学分：3学分

先修课程：模拟电子技术、数字电子技术

教 材：谭博学主编《集成电路原理与应用》电子工业出版社 2003年 参考书目：

刘润华主编 《模拟电子技术》 石油大学出版社，2002年

童诗白主编 《模拟电子技术基础》 北京高等教育出版社 2001年

段尚书主编 《运算放大器应用基础》（第2版） 哈尔滨工业大学出版社，1998年

《课程内容简介》

本课程48学时, 其中实验8学时。本课程主要介绍集成运放的基础知识、模拟集成电路的线性应用、模拟集成电路的非线性应用、集成变换器及其应用、集成信号发生器、集成有源滤波器、集成稳压电源、语音和图像集成电路、可编程逻辑器件。为反映科学技术的发展，在内容安排上侧重于基础理论和集成电路及其应用。

一、课程性质、目的和要求

模拟电子技术基础课程是电子信息、电子信息科学与技术等电类专业本科生在电子信息技术方面的专业课，具有自身的体系和很强的实践性。本课程通过对常用集成芯片、模拟集成电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟