COB芯片封装工艺便宜

CoB板上芯片封装

板上芯片(Chip On Board, COB)工艺过程首先是在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点，然后将硅片直接安放在基底表面，热处理至硅片牢固地固定在基底为止，随后再用丝焊的方法在硅片和基底之间直接建立电气连接。裸芯片技术主要有两种形式：一种是COB技术，另一种是倒装片技术(Flip Chip)。板上芯片封装(COB)，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。

主要焊接方法

(1)热压焊 利用加热和加压力使金属丝与焊区压焊在一起。其原理是通过加热和加压力，使焊区(如AI)发生塑性形变同时破坏压焊界面上的氧化层，从而使原子间产生吸引力达到“键合”的目的，此外，两金属界面不平整加热加压时可使上下的金属相互镶嵌。此技术一般用为玻璃板上芯片COG。 (2)超声焊 超声焊是利用超声波发生器产生的能量，通过换能器在超高频的磁场感应下，迅速伸缩产生弹性振动，使劈刀相应振动，同时在劈刀上施加一定的压力，于是劈刀在这两种力的共同

LED芯片封装工艺中焊接缺陷研究

２００９年第２８卷第ｌＯ期传感器与微绦统（ＴｒａｎＳｄｕｃｅｒａｎｄＭｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）

５５

ＬＥＤ芯片封装工艺中焊接缺陷研究冰

余大海，文矗梅，李乎，蔡有海

（重庆大学巍毫王疆学院爱毫皴拳及系统教骞部耄赢实验室，耋痰４０００４４）

摘要：介绍了发光二极管（ＬＥＤ）封装工艺中常见焊接缺陷与Ｗ能存在的危害。对污染物造成的焊接缺陷作了具体研究，理论分析了因缺陷引入的接触电阻和隧道电阻，测量了正常情况和缺陷焊接时ＬＥＤ的

光谱和光生电流，并提出了存在缺陷焊接的ＬＥＤ的等效电路，对实验结果进行了分柝。结果表明：ＬＥＤ发生焊接块陵澈戆发光强度、宠生电浚臻显院蓬鬻淆况枣，霹泼遥过蒺ｌ试ＬＥＤ芯片黪发毙强度或惫燕邀漉

达到检测ＬＥＤ焊接缺陷的精的。该研究对提离ＬＥＤ封装的可靠性和提出检测ＬＥＤ焊接缺陷的方法舆有

重要意义。

关键词：ＬＥＤ封装；焊接缺陷；接触电阻；隧邋电阻中图分类鼍：ＴＮ３１２

文献标识码：Ａ

文章编号：１０００－９７８７（２００９）１０－００５５－０３

Ｒｅｓｅａｒｃｈ

ｏｎ

ｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔｄｕｒｉｎｇＬＥＤｃｈｉｐｓｐａｃｋａｇｉｎｇ宰

ＹＵＤａ—ｈａｉ，ＷＥＮＹｕ—ｍｅｉ，ＬＩＰｉｎｇ，ＣＡＩ

LED芯片封装工艺中焊接缺陷研究

２００９年第２８卷第ｌＯ期传感器与微绦统（ＴｒａｎＳｄｕｃｅｒａｎｄＭｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）

５５

ＬＥＤ芯片封装工艺中焊接缺陷研究冰

余大海，文矗梅，李乎，蔡有海

（重庆大学巍毫王疆学院爱毫皴拳及系统教骞部耄赢实验室，耋痰４０００４４）

摘要：介绍了发光二极管（ＬＥＤ）封装工艺中常见焊接缺陷与Ｗ能存在的危害。对污染物造成的焊接缺陷作了具体研究，理论分析了因缺陷引入的接触电阻和隧道电阻，测量了正常情况和缺陷焊接时ＬＥＤ的

光谱和光生电流，并提出了存在缺陷焊接的ＬＥＤ的等效电路，对实验结果进行了分柝。结果表明：ＬＥＤ发生焊接块陵澈戆发光强度、宠生电浚臻显院蓬鬻淆况枣，霹泼遥过蒺ｌ试ＬＥＤ芯片黪发毙强度或惫燕邀漉

达到检测ＬＥＤ焊接缺陷的精的。该研究对提离ＬＥＤ封装的可靠性和提出检测ＬＥＤ焊接缺陷的方法舆有

重要意义。

关键词：ＬＥＤ封装；焊接缺陷；接触电阻；隧邋电阻中图分类鼍：ＴＮ３１２

文献标识码：Ａ

文章编号：１０００－９７８７（２００９）１０－００５５－０３

Ｒｅｓｅａｒｃｈ

ｏｎ

ｗｅｌｄｉｎｇｆａｕｌｔｄｕｒｉｎｇＬＥＤｃｈｉｐｓｐａｃｋａｇｉｎｇ宰

ＹＵＤａ—ｈａｉ，ＷＥＮＹｕ—ｍｅｉ，ＬＩＰｉｎｇ，ＣＡＩ

BIPV封装工艺简介

BIPV封装目前有以下几种方式：

1、采用EVA封装

2、采用PVB封装

2.1 采用PVB为分装材料，层压机为封装设备。

2.2 采用PVB为封装材料，高压釜为封装设备，一次成型工艺。

2.3 采用PVB为封装材料，高压釜为封装设备，二次成型工艺。

众所周知，目前建筑上使用的夹胶玻璃全部为PVB材料，然做光伏的都知道，EVA的价格便宜，封装速率高，为什么建筑上一定要使用PVB呢？

EVA与PVB相比较，有以下三个严重的问题：

1、 耐紫外老化。（1）对于光伏组件来说，由于背板为白色，

且不要求透光（组件后面的采光），因此要求不是很严格（通俗点讲就是变黄了大不了少发点电，没太大的影响）。而PVB耐老化性能比EVA好，实践证明，PVB用在建筑上，经过一二十年，黄变很小。（2）紫外老化的第二个影响是与玻璃的剥离强度，EVA老化后，与玻璃玻璃强度降低，这如果用在建筑上是很危险的事情。

2、 水汽渗透率。光伏组件都需要在边缘装上边框，里面用硅胶密封，主要是为了防 止水汽渗透进去，但是建筑上的夹胶玻璃边缘很少用硅胶密封的，很多幕墙、雨棚上，夹胶玻璃的边缘是完全裸露的。

3、 抗冲抵性能。这个很简单，举个例子，防弹玻璃就是多层玻璃加上多层PVB夹胶 而成的

BIPV封装工艺简介

BIPV封装目前有以下几种方式：

1、采用EVA封装

2、采用PVB封装

2.1 采用PVB为分装材料，层压机为封装设备。

2.2 采用PVB为封装材料，高压釜为封装设备，一次成型工艺。

2.3 采用PVB为封装材料，高压釜为封装设备，二次成型工艺。

众所周知，目前建筑上使用的夹胶玻璃全部为PVB材料，然做光伏的都知道，EVA的价格便宜，封装速率高，为什么建筑上一定要使用PVB呢？

EVA与PVB相比较，有以下三个严重的问题：

1、 耐紫外老化。（1）对于光伏组件来说，由于背板为白色，

且不要求透光（组件后面的采光），因此要求不是很严格（通俗点讲就是变黄了大不了少发点电，没太大的影响）。而PVB耐老化性能比EVA好，实践证明，PVB用在建筑上，经过一二十年，黄变很小。（2）紫外老化的第二个影响是与玻璃的剥离强度，EVA老化后，与玻璃玻璃强度降低，这如果用在建筑上是很危险的事情。

2、 水汽渗透率。光伏组件都需要在边缘装上边框，里面用硅胶密封，主要是为了防 止水汽渗透进去，但是建筑上的夹胶玻璃边缘很少用硅胶密封的，很多幕墙、雨棚上，夹胶玻璃的边缘是完全裸露的。

3、 抗冲抵性能。这个很简单，举个例子，防弹玻璃就是多层玻璃加上多层PVB夹胶 而成的

福景科技LED生產工藝及封裝技術报告

LED生產工藝及封裝技術

一、生產工藝

1.工藝：

a) 清洗：採用超聲波清洗PCB或LED支架，並烘乾。

b) 裝架：在LED管芯（大圓片）底部電極備上銀膠後進行擴張，將擴張後的管芯（大圓片）安置在刺晶台上，在顯微鏡下用刺晶筆將管芯一個一個安裝在PCB或LED支架相應的焊盤上，隨後進行燒結使銀膠固化。

c)壓焊：用鋁絲或金絲焊機將電極連接到LED管芯上，以作電流注入的引線。LED直接安裝在PCB上的，一般採用鋁絲焊機。（製作白光TOP-LED需要金線焊機）

d)封裝：通過點膠，用環氧將LED管芯和焊線保護起來。在PCB板上點膠，對固化後膠體形狀有嚴格要求，這直接關係到背光源成品的出光亮度。這道工序還將承擔點螢光粉（白光LED）的任務。

e)銲接：如果背光源是採用SMD-LED或其它已封裝的LED，則在裝配工藝之前，需要將LED銲接到PCB板上。

f)切膜：用沖床模切背光源所需的各種擴散膜、反光膜等。

g)裝配：根據圖紙要求，將背光源的各種材料手工安裝正確的位置。

h)測試：檢查背光源光電參數及出光均勻性是否良好。

包裝：將成品按要求包裝、入庫。

二、封裝工藝

1. LED的封裝的任務

是將外引線連接到LED芯片的電極上，同時保護好L

LED封装工艺流程

LED知识, LED芯片

一、导电胶、导电银胶

导电胶是IED生产封装中不可或缺的一种胶水，其对导电银浆的要求是导电、导热性能要好，剪切强度要大，并且粘结力要强。

UNINWELL国际的导电胶和导电银胶导电性好、剪切力强、流变性也很好、并且吸潮性低。特别适合大功率高高亮度led的封装。

特别是UNINWELL的6886系列导电银胶，其导热系数为：25.8 剪切强度为：14.7，堪称行业之最。

二、封装工艺

1. led的封装的任务

是将外引线连接到led芯片的电极上，同时保护好led芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。

2. led封装形式

led封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。led按封装形式分类有Lamp-led、TOP-led、Side-led、SMD-led、High-Power-led等。

3. led封装工艺流程

4．封装工艺说明

1.芯片检验

镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill）

芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求

电极图案是否完整

2.扩片

由于led芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于

后工序的操作。我们采用扩片机对黏

各种封装及焊接方式

1、BGA 封装 (ball grid array)

球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有 可 能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 ， 由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMP

芯片封装方式大全

各种IC封装形式图片

QFP Quad Flat BGA Package Ball Grid Array TQFP 100L EBGA 680L LBGA 160L PBGA 217L Plastic Ball Grid Array SDIP SC-70 5L SBGA SIP SBGA 192L Single Inline Package SO Small Outline Package TSBGA 680L CLCC SOJ CNR Communication and Networking Riser Specification Revision 1.2 SOT220 SSOP 16L SOP EIAJ TYPE II 14L SOJ 32L CPGA Ceramic Pin Grid Array DIP Dual Inline Package SSOP TO18 DIP-tab Dual Inline Package with TO220 Metal Heatsink FBGA TO247 FDIP

A、常用芯片封装介绍

来源：互联网 作者： 关键字：芯片 封装

1、BGA 封装 (ball grid array)

球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚，在印 刷基板的正面装配 LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚 LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比 QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚 QFP 为40mm 见方。而且 BGA 不 用担 心 QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国 Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在 美国有 可 能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在 也有 一些 LSI 厂家正在开发500 引脚的 BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方 法。有的认为 ， 由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国 Motoro