半导体封装行业前景

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广东省半导体芯片及封装行业企业名录2016最新514家

《广东省半导体芯片及封装行业企业名录2016最新版》全面汇总了截止到2016年广东省514家半导体芯片及封装行业企业信息，覆盖率达99%以上。名录信息通过呼叫中心等多渠道调查核实。该名录定期更新，删除已注销企业信息，增加新注册企业信息，保证名录的及时性、有效性和准确性。

序号 1

企业名称

佛山市奥成科技有限公司

省 广东省

市 佛山市

区县 禅城区

详细地址

邮政编码 主营业务

集成电路

企业类型 其他有限责任公司

523808 518103

集成电路 集成电路制造

股份有限公司 2010 私营有限责任公司

集成电路开发应用 私营有限责任

公司

2012 2012 成立时间 2009

广东省佛山市禅城区燎原路21号528000 8楼

2 3

东莞市茂扬科技股份有限公司 深圳市禾一科技有限公司

广东省 广东省

东莞市 深圳市

东莞市 宝安区

工业大

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湖南省半导体芯片及封装行业企业

分析报告2018版

报告对占湖南省半导体芯片及封装行业企业收入98%以上的企业，按照企业类型、企业收入规模、企业资产规模以及企业经营年限等维度对2017年湖南省半导体芯片及封装行业企业的企业数量、收入、利润、资产、纳税额、员工数量、资产周转情况、资产负债状况、资产收益情况、利润率以及人均收益等15个指标进行了分析。报告对了解湖南省半导体芯片及封装行业企业现状具有极高的参考使用价值。

企业

类型

报告亮点

收入

人数

四个维度

收入规模

资产

财务

资产规模

纳税

比率

企业数量

利润

经营年限

15个指标

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报 告 目 录

第一节 第二节

一、 二、 三、 四、 五、 第三节

一、

湖南省半导体芯片及封装行业企业概况 ............................................ 1 湖南省半导体芯片及封装行业企业数量统计 ..................................... 1 湖南省半导体芯片及封装行业企业数量及占全国比重分析 ............. 1 湖南省半导体芯片及封装行业企业不同类型企

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湖南省半导体芯片及封装行业企业

分析报告2018版

报告对占湖南省半导体芯片及封装行业企业收入98%以上的企业，按照企业类型、企业收入规模、企业资产规模以及企业经营年限等维度对2017年湖南省半导体芯片及封装行业企业的企业数量、收入、利润、资产、纳税额、员工数量、资产周转情况、资产负债状况、资产收益情况、利润率以及人均收益等15个指标进行了分析。报告对了解湖南省半导体芯片及封装行业企业现状具有极高的参考使用价值。

企业

类型

报告亮点

收入

人数

四个维度

收入规模

资产

财务

资产规模

纳税

比率

企业数量

利润

经营年限

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报 告 目 录

第一节 第二节

一、 二、 三、 四、 五、 第三节

一、

湖南省半导体芯片及封装行业企业概况 ............................................ 1 湖南省半导体芯片及封装行业企业数量统计 ..................................... 1 湖南省半导体芯片及封装行业企业数量及占全国比重分析 ............. 1 湖南省半导体芯片及封装行业企业不同类型企

半导体激光器的扁平封装——一种高功率光纤耦合半导体激光器的封装技术

2005/2/18/15:10来源：众望达技术 作者：郑鸿章 摘要

最近几年来，高功率半导体激光器越来越多地为许多应用而生产， 如直接的材料处理、光纤激光和放大器泵浦、自由空间光通讯、印刷和医疗等。这些首要归功于激光器结构设计、半导体材料和可靠的封装技术的发展。特别是，半导体激光器的封装使得激光器件能获得高墙插效率，提高稳定性能并节省使用者的使用成本。尽管最近几年来获得的种种进展， 但封装、

测试及可靠性等依然占据光纤耦合输出的半导体激光器的大量成本。我们开发的新半导体激光耦合设计和工艺使得低成本、高可靠性的半导体光纤激光器耦合变成可能，同时也使得可以使用自动化大批量的机器封装。

本文里，我们献上一种小侧面尺寸、非制冷的单反射阵面、高功率输出的半导体封装技术。这里讨论这款小尺寸、小侧面尺寸、高亮度、4w、100um 、0.15NA 光纤输出的半导体激光器的平板式光学封装的细化的设计信息、热建模和可靠性数据以及这种独特的封装技术在非制冷环境中具有的良好热性能和可靠性能。所有的封装过程是在无流体环境中进行的。这种无胶的密封封装，使得激光器的运行可靠性很高；此外， 使用材料和

半导体常见气体的用途

1硅烷（SiH4）:有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。

2、锗烷（GeH4 :剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。

3、磷烷（PH3 :剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。同时也用于多晶

硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCV工艺、磷硅玻璃（PSG钝化膜制备等工艺中。

4、砷烷（AsH3 :剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。

5、氢化锑（SbH3 :剧毒。用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。

6、乙硼烷（B2H6 :窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。

7、三氟化硼（BF3 :有毒，极强刺激性。主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。

8、三氟化氮（NF3 :毒性较强。主要用于化学气相淀积（CVD 装置的清洗。三氟化氮

可以单独或与其它

半导体制冷应用前景论文

　　　　　　　　　　　　　　　　　应用能源技术　　　　　　　　　2007年第6期(总第114期)32

半导体制冷空调器的应用前景

张芸芸,李茂德,徐纪华

(同济大学机械工程学院,上海200092)

摘　要:介绍了半导体制冷空调器的工作原理、基本结构和特点,指出了半导体制冷效率提高的主要途径,阐述了半导体制冷空调器的发展现状和应用前景。

关键词:半导体制冷;空调器;制冷效率中图分类号:TU831.3　　文献标识码:A　　文章编号:1009-3230(2007)06-0032-03

ApplicationprospectofsemiconductorZHANGYu-yu,LIMao-de,XJi-(DepartmentofMechanicalEngineering,,200092,China)Abstract:Thisarticleintroducestheandcharacteristicsofthesemiconductorrefrigerationairconditionerstatusandapplicationprospect.Fromthisarticlewecanfindtherefrigerationefficiency

半导体集成电路封装项目

合作计划书

投资分析/实施方案

半导体集成电路封装项目合作计划书

半导体集成电路封装在中国集成电路产业的发展中，封装测试行业一

直保持着稳定增长的势头。特别是近几年来，中国集成电路封装行业在中

国产业升级大时代背景下，符合国家战略发展方向，有完善的政策资金支持，国内本土封装测试企业的快速成长；同时，国外半导体公司向国内大

举转移封装测试业务，中国的半导体集成电路封装行业充满生机。

该半导体集成电路封装项目计划总投资14086.18万元，其中：固定资

产投资11586.78万元，占项目总投资的82.26%；流动资金2499.40万元，占项目总投资的17.74%。

达产年营业收入17226.00万元，总成本费用13413.66万元，税金及

附加222.86万元，利润总额3812.34万元，利税总额4561.04万元，税后

净利润2859.26万元，达产年纳税总额1701.79万元；达产年投资利润率27.06%，投资利税率32.38%，投资回报率20.30%，全部投资回收期6.43年，提供就业职位266个。

本报告是基于可信的公开资料或报告编制人员实地调查获取的素材撰写，根据《产业结构调整指导目录（2011年本）》（2013年修正）的要求，依照“科学

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江苏省半导体芯片及封装行业企业名录352家2018最新版

江苏省半导体芯片及封装行业企业名录352家是由中国客户网编辑整理的最新企业名录，在工商登记资料的基础上，通过呼叫中心、专家分类等方法，收录了截止到2018年初所有在注册运营的半导体芯片及封装企业的最新信息，覆盖率在99%以上。并根据企业的经营指标，按照大中小三种规模进行了划分。本名录定期更新，剔除注销或不在经营的企业信息，增加新注册的企业内容，保证名录的及时性、有效性和准确性。更多信息版本，参见页眉网址。

公司名称 扬州龙翔电子科技有限公司 江苏远海科技有限公司 盐城大丰未来芯光电技术有限公司 江苏上达电子有限公司 江苏时代全芯存储科技有限公司 灌南弘鼎光电科技有限公司 常州青葵智能科技有限公司 盐城芯丰微电子有限公司 常州市万磁电子有限公司 江苏瑞鑫集成电路设备有限公司 无锡瓴芯电子科技有限公司 常州科科电气照明有限公司 扬州烨弘光合光伏发电有限公司 所在市 扬州市

一、 实验名称： 实验四照明特性测试 二、 实验目的

1. 了解半导体照明器件的照明特性；

2. 学习半导体照明器件照明特性的测试原理； 3. 掌握半导体照明器件照明特性的测试方法。

三、 实验原理

1. 对LED进行光色电测试时主要关注参数有： (1) 电学特性

LED基础结构为P-N结，故主要关注其正向电压电流关系，以及反向击穿电压值。

在LED两端加正向电压，当电压较小，不足以克服势垒电场时，通过LED的电流很小。当正向电压超过死区电压后，电流岁电压迅速增长。正向工作电流指LED正常发光时的正向电流值，根据不同管子的结构和输出功率的大小，在几十毫安到1安之间。

在LED两端加反向电压，只有微安级的反向电流。反向电压超过击穿电压后，管子被击穿损坏。为安全起见，激励电源提供的最大反向电压应低于击穿电压。 (2) 光电特性

光强是描述LED光度学特性最为重要的参数，它表征了光源在指定方向上单位立体角内发射的光通量，在不同的空间角下，LED将表现出不同的光强大小。

LED光源发射的辐射通量中能引起人眼视觉的那部分，称为光通量，单位是流明，与辐射通量的概念类似，它是LED光源向整个空间在单位时间内发射的能引起人眼视觉的辐射通量。

积分球测量光通量

重庆市职业病防治院

建设项目职业病危害评价报告信息网上公开表

一、评价报告基本情况

报告编号 项目名称 报告编制人 建设单位 项目地理位置 现场调查人员 采样、检测人员 建设单位陪同人员 报告评审专家 渝职防预评字〔2016〕第08号 12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目 张立 重庆万国半导体科技有限公司 重庆市两江新区水土高新技术产业园 张立、汪运 —— 戚远林 蒋学明荣、梁道康、王华、雷勇、黄进 评审时间 2017.03.08 调查时间 采样检测时间 2016.09.14 —— 建设单位联系人 戚远林 评价类别 风险类别 预评价 严重 二、项目简介

重庆万国半导体科技有限公司成立于2016年，由美国万国半导体股份有限公司（AOS）与渝富集团、两江新区战略性新兴产业股权投资基金合资经营。

美国万国半导体（ALPHA&OMEGA Semiconductor，简称“AOS公司”）成立于2000年，总部位于美国硅谷，是一家集半导体设计、晶圆制造、封装测试为一体的企业，主要从事功率半导体器件(含功率MOSFET、IGBT和功率集成电路产品)的产品设计和生产制造。目前AOS公司在美国俄勒冈有一座8英寸晶圆厂、在上海松江有二座封装工厂，在美