电路与模拟电子技术基础第2版答案

全书分为电路基础理论和模拟电子技术基础两大部分。电路理论部分包括直流电路分析、暂态电路分析和正弦交流电路3章。模拟电子技术部分包括半导体二极管和晶体管、基本放大电路、放大电路中的负反馈、集成运算放大器及应用和直流稳压电源5章。每章均安排了一节应用实例与计算机辅助分析的内容本书注重基础,突出应用,基本概念讲述清楚,分析方法讲解透彻,例题、练习题、计算机仿真题配置齐全,难易度适中,便于教师施教和学生自学

电路与模拟电子技术基础成谢锋，周井泉

第一章 第二章 第三章 第四章 第五章 第六章 第七章

直流电路分析 一阶动态电路 正弦交流稳态 半导体二极管及其基本电路 晶体三极管及其放大电路 放大器中的反馈 集成运算放大器的应用电路

全书分为电路基础理论和模拟电子技术基础两大部分。电路理论部分包括直流电路分析、暂态电路分析和正弦交流电路3章。模拟电子技术部分包括半导体二极管和晶体管、基本放大电路、放大电路中的负反馈、集成运算放大器及应用和直流稳压电源5章。每章均安排了一节应用实例与计算机辅助分析的内容本书注重基础,突出应用,基本概念讲述清楚,分析方法讲解透彻,例题、练习题、计算机仿真题配置齐全,难易度适中,便于教师施教和学生自学

第一章 直流电路 主要内容：

习 题 7

7.1 确定图7.1所示电路的漏极电流。

+VDDRDVP= -6VIDSS=3mAVGS2VRD-VDDVTVGS3VVTVP= 6VIDSS= -12mA(a)(b)

图7.1 习题7.1图

(a) UGSQ=－2V，ID?IDSS(1?UGS2)?3?(1?)?1.33(mA) UP6(b) UGSQ=3V，ID=－12×(1－3/6)=－3(mA)

7.2 电路如图7.2所示，MOSFET的UT = 2V，K = 50mA/V2，确定电路Q点的IDQ和

UDSQ值。

UGSQ?Rg2Rg1?Rg2?VDD?15?24?3.13(V)

100?15IDQ?K(UGSQ?UT)2?50?(3.13?2)2?63.9(mA) UDSQ?VDD?IDQRd?24?63.9?0.2?11.2(V)

7.3 试求图7.3所示每个电路图的UDS，已知|IDSS| = 8mA。

(a) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDD－IDQRd = 12－8×1=4(V) (b) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDD－IDQRd = 15－8×1.2=

《电路与电子技术基础》参考解答

习题十

10-1 在数字系统中，为什么要采用二进制？如何用二—十进制表示十进制数？

答：在数字系统中采用二进制数有许多优点，其主要优点有：①对元件参数的要求较低；②不仅具备算术运算功能，而且具备逻辑运算功能；③抗干扰能力强、精度高；④便于长期保存信息；⑤安全、可靠；⑥通用性强。

通过二进制的编码来表示十进制数，这种编码称为BCD码，BCD的编码方式有很多种，最容易理解、最直观的编码是“8421”码，这是一种有权码，常用的BCD有权码还有“2421码等，除此之外，在BCD码中还有无权码。如格雷码、余3码等。

10-2 什么叫编码？用二进制编码与二进制数有何区别？

答：由于数字系统中用0、1两个数表示所有的信息，对于数字信息可以直接用二进制数表示，但是对于一些图形、符号、文字等信息，要用0、1来表示，就必须按照0、1的一定规则组合来代表。这种按照一定规则组合的代码，并赋予一定含义就称为编码。

二进制编码赋予了不同的含义（或代表图形、符号、文字、颜色等），而二进制数就是一个具体的数值，它代表了数值的大小和正负。 10-3 将下列二进制数转换成十进制数：

① 11000

第一章 电路的基本概念和基本定律

1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U1=-5V，U2=2V，U3=U4=-3V，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？

解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。

本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向，元件3上电压和电流为关联参考方向，因此

P1=-U1×3= -（-5）×3=15W； I2=-4A2P2=-U2×3=-2×3=-6W； I3=-1A- U2 ++P3=U3×（-1）=-3×（-1）=3W； ++1U13U34U4P4=-U4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W。 ---元件2、4是电源，元件1、3是负载。

I1=3A

题1.1图1.2 在题1.2图所示的RLC串联电路中，已知

uC?(3e?t?e?3t)V 求i、uR和uL。

解：电容上电压、电流为非关联参考方向,故

4Ω+uR -+1/3Fi??cduc1d????3et?e?3t???e?t?e3t?A dt3dti1H电阻、电感上电压、电流为关联参考方向

+-uR?Ri?4?e?t?e?3t?V

uL?L

1.3 在题1.3图中，已知I=2

第一章 电路的基本概念和基本定律

1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U1=-5V，U2=2V，U3=U4=-3V，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？

解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。

本题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向，元件3上电压和电流为关联参考方向，因此

P1=-U1×3= -（-5）×3=15W； I2=-4A2P2=-U2×3=-2×3=-6W； I3=-1A- U2 ++P3=U3×（-1）=-3×（-1）=3W； ++1U13U34U4P4=-U4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W。 ---元件2、4是电源，元件1、3是负载。

I1=3A

题1.1图1.2 在题1.2图所示的RLC串联电路中，已知uC?(3e?t?e?3t)V 求i、uR和uL。

解：电容上电压、电流为非关联参考方向,故

4Ω+uR -+1/3Fi??cduc1d????3et?e?3t???e?t?e3t?A dt3dti1H电阻、电感上电压、电流为关联参考方向

+-uR?Ri?4?e?t?e?3t?V uL?L

1.3 在题1.3图中，已知I=2

电子技术基础 模拟部分第9章(2)

4. 稳幅措施

采用非线性元件 二极管 起振时

R2 R3 AV 1 3 R1

其 中R3是R3、D1和D2并 联支路的等效电阻

稳幅环节

稳幅原理

Vo

R3

AV

AV 3

AV FV 1 稳幅

end

电子技术基础 模拟部分第9章(2)

9.7 LC正弦波振荡电路

9.7.1 LC选频放大电路 9.7.2 变压器反馈式LC振荡电路 9.7.3 三点式LC振荡电路 9.7.4 石英晶体振荡电路

电子技术基础 模拟部分第9章(2)

9.7.1 LC选频放大电路

1. 并联谐振回路

1 ( R j L) j C Z 1 R j L j C

等效损耗电阻

一般有 R L 则

Z L C 1 R j( L ) C

1 LC

当 0 谐振时

1 LC

时， 电路谐振。 0

为谐振频率

阻抗最大，且为纯阻性 Z 0

R 1 1 L 0 RC R C

其中 Q 0 L 同时有

L Q Q 0 L RC 0C

为品质因数

Ic Q Is

即 I c I L I s

电子技术基础 模拟部分第9章(2)

9.7.1

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 基本放大电路内容提要

第二章 内容提要

本章先以单管共射极放大电路为例，阐明放大电路的组成 原则以及实现放大作用的基本原理。然后介绍电子电路的 最常用的两种分析方法—图解法和微变等效电路法，并利 用上述方法分析单管共射极放大电路的静态工作点和动态 参数(电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。由于温度 变化将对半导体器件的参数产生影响，进而引起放大电路 静态工作点的变动，为此，介绍了一种分压式静态工作点 稳定电路。 此外，还介绍了共集电极和共基极放大电路。 在双极型三极管放大电路的基础上，介绍了 场效应管(单极型三极管)放大电路的特点 和分析方法。

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 目录

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10

放大的概念 放大电路的主要性能指标 基本共射极放大电路 放大电路的分析方法 工作点稳定的放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 三种接法的比较 复合管放大电路 场效应管放大电路

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

2.1 放大的概念

要求——变化量幅度增大、波形失真小

放大

对象——变化量

实质——能量转换和控制

《模拟电子技术基础》(第四

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 基本放大电路内容提要

第二章 内容提要

本章先以单管共射极放大电路为例，阐明放大电路的组成 原则以及实现放大作用的基本原理。然后介绍电子电路的 最常用的两种分析方法—图解法和微变等效电路法，并利 用上述方法分析单管共射极放大电路的静态工作点和动态 参数(电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。由于温度 变化将对半导体器件的参数产生影响，进而引起放大电路 静态工作点的变动，为此，介绍了一种分压式静态工作点 稳定电路。 此外，还介绍了共集电极和共基极放大电路。 在双极型三极管放大电路的基础上，介绍了 场效应管(单极型三极管)放大电路的特点 和分析方法。

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 目录

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10

放大的概念 放大电路的主要性能指标 基本共射极放大电路 放大电路的分析方法 工作点稳定的放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 三种接法的比较 复合管放大电路 场效应管放大电路

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

2.1 放大的概念

要求——变化量幅度增大、波形失真小

放大

对象——变化量

实质——能量转换和控制

《模拟电子技术基础》(第四

华南理工大学《电路与模拟电子技术》考试试卷 第 1 页（共 7 页）

专业： 班级： 姓名： 学号： 华南理工大学期末考试试卷

《电路与模拟电子技术》

得分 评卷 一、填空题（每小题 3 分，共 21 分）

1. 如图 1 所示，开路电压 UOC = 3Ω 5V

1A 1Ω

2Ω

UOC

2A

u i Z

。

图 1

图 2

u = 12 sin ( 2512 t + π / 6 ) V, 则频率

2. 图 2 电路中已知 i = 6 sin ( 2512 t ? π / 6 ) A,

f =

赫。负载的功率因数 cos? = = , U = , I

。

3. 电路如图所示，运算放大器的饱和电压为 ± 12V，稳压管的稳定电压为 8V，正向压降 为 0.7

V，当输入电压 ui= -0.1V 时，则输出电压 uO 等于

。

华南理工大学《电路与模拟电子技术》考试试卷 第 2 页（共 7 页）

4. 整流电路如图 3 所示，输出电压平均值U O 是 18V，若因故一只二极管损坏而断开，则 输出电压平均值U O 变为 。

+VCC

C1 D1 D2 R L D4 Rb1 + C2 +

中篇 模拟电子技术基础

第五章 半导体二极管、晶体管和场效应管

一、填空题

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，定域的杂质离子带 正 电。

2、双极型三极管内部有 基 区、 发射 区和 集电 区，有 发射 结和 集电 结及向外引出的三个铝电极。

3、PN结正向偏置时，内、外电场方向 相反 ，PN结反向偏置时，内、外电场方向 相同 。

4、二极管的伏安特性曲线上可分为 死 区、 正向导通 区、 反向截止 区和 反向击穿 区四个工作区。

5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被 击穿 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 老化不通 。

6、双极型三极管简称晶体管，属于 电流 控制型器件，单极型三极管称为 MOS管，属于 电压 控制型器件。MOS管