合肥工业大学机械制造技术基础试卷

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合肥工业大学

标签:文库时间:2024-07-09
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合肥工业大学

土木与水利工程学院2017年硕士研究生第一批各专业拟录名单

各位复试考生欢迎你们报考合肥工业大学2017年硕士研究生。根据教育部、安徽省和学校2017年硕士研究生招生复试录取有关文件精神和部署,现将2017年土木与水利工程学院各专业拟录名单公示如下:

拟录取专业代码及名称:080102固体力学

准 考 证 号(填写15是否同意奖学金等保留入学同等学经调剂序号 姓 名 定向 位) 录取 级 资格年限 力 录取 备 注 1 2 3 103597210000594 103597210000597 103597210000599 潘东 项洪亮 王生泽 是 是 是 拟录取专业代码及名称:080103流体力学

准 考 证 号(填写15位) 序号 姓 名 是否同奖学金保留入学意录取 等级 资格年限 定向 同等学经调剂力 录取 备 注 1 徐鹏 是 推免

拟录取专业代码及名称:080104工程力学

准 考 证 号(填写15位) 序号 姓 名 是否同奖学金保留入学意录取 等级 资格年限 定向 同等学经调剂力 录取 备 注 1 103597210000612

合肥工业大学化工原理试卷(二)

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化 工 原 理 试 题

姓名_________ 班级_____________ 学号____ 得分_______

一.填空题(共24分)

1.(3分) 当Re 为已知时,流体在圆形直管内呈层流时的摩擦系数λ=__________,在管内呈湍流时,摩擦系数λ与____________、_____________有关。

2.(2分) 某液体在套管环隙内流动,大管规格为φ56×3mm,小管规格为φ30×2.5mm,液体粘度为1mPa.s.,密度为1000kg.m-3,流速为1m.s-1,则该液体在套管环隙内流动的Re=_________。

3.(7) 离心泵的叶轮有_______、_______和________三种类型,若输送浆料或悬浮液宜选用_________。离心泵在启动时应先将出口阀_______,目的是___________________。往复泵在启动时,其出口阀必须___________.

4.(2)过滤速率是指______________________________________ 。在恒压过滤时,过滤速率将随操作的进行而逐渐__________ 。

5.(2) 用饱和水蒸汽加热空气时,换热管的壁温接近___________

合肥工业大学机械优化设计大作业

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合肥工业大学

《机械优化设计》课程实践

研究报告

班 级: 11级机设 学 号: 2011 姓 名:

授课老师: 王卫荣 日 期: 2014年 4月日

一、研究报告内容:

1、λ=0.618的证明、一维搜索程序作业;

黄金分割法要求插入点α1、α2的位置相对于区间{a,b}两端点具有对称性,

α1=b?λ b?a

α2=a+λ(b?a)

除对称要求外,黄金分割法还要求在保留下来的区间内再插入一点所形成的区间新三段,与原来区间的三段具有相同的比例分布。设原区间(a,b)长度为1,保留下来的区间(a, α2)长度为λ,区间缩短率为λ。为了保持相同的比例分布,新插入点α3应在λ(1-λ)位置上,α1在原区间的1-λ位置应相当于在保留区间的λ2位置。故有 1-λ=λ2 即 λ2+λ-1=0 取方程正数解,得

5?1

λ=≈0.618

2

0.618法

合肥工业大学2008矩阵理论试卷

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矩阵理论试卷(A)(2008级) (共1页) 成绩

学院班级__ _; 姓名___ __; 学号_ __ __

1 (15分)给定 R

2 2

{A (aij)2 2|aij R}(数域R上二阶实方阵按通常矩阵的加法与数乘构成的线

性空间)的子集 V {A (ai j)2 2|a11 a22 0, ai j R}

(1)证明V是R2 2的子空间;(2)求V的维数和一组基;(3)求A

3 5

2

在所求基下的坐标。 3

2 (15分)设 为n维欧氏空间V中的单位向量,对V中任意一向量x, 定义线性变换

T: T(x) x 2( ,x) , (1)证明:T为正交变换; (2)证明 T对应特征值1有n-1 个线性无

关的特征向量;(3)问T能否在某组基下的矩阵为对角阵,说明理由。 0

3 (15分)设矩阵A 1

1

121

0 0 0

(1)求A的若当标准形;(2)求A的最小多项式;(3)计算g(A) A5 4A3 5A2 E。 4(10分)设R3中的线性变换T如下:T(x1,x2,x3) (2x1 x2,x2 x3,x2 x3) ; (xi R)

TTT

(1) 写出T在基 1=(1, 1, 0), 2

合肥工业大学化工实习d

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化学工程与工艺系

实 习 地 点 安徽氯碱集团

姓 名 (学 号)

专 业 (班 级)

指 导 教 师 王忠兵、王百年、徐超

实 习 时 间 2010. —— 2010.

前言

氯碱工业是生产烧碱、氯气和氢气以及由此衍生系列产品的基本化学工业,其产品广泛用于国民经济各部门,对国民经济和国防建设具有重要的作用。

科学技术总是不断创新,不断前进,永不停步、永无止境的。作为当代大学生,我们不但要牢固掌握课本上的理论知识,更要将其熟练应用于实际的生产与生活中。实习是每一个大学生的必修课,它不仅让我们学到了很多在课堂上根本就学不到的知识,还使我们开阔了视野,增长了见

合肥工业大学科技史试题

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科学技术史试题集合

1.请写出下列科学理论、试验发现或技术发明的原创者。(每题2分,共30分)

(1)浮力定律 阿基米德发现的 (2)光的电磁波理论 麦克斯韦 (3)原子的有核模型 卢瑟福

(4)光发射和吸收的量子论 光的量子理论的初步思想是由M.普朗克于1900年提出来的。到1905年由A.爱因斯坦发展为完整的理论。 (5)共价键理论 Heitler 和 London (6)核裂变的发现 莉泽·迈特纳(Lise Meitner)和奥多·哈恩(Otto Hahn)

(7)细胞学说 德国植物学家施莱登 (Matthias Jakob Schleiden) 和动物学家施旺 (Theodor Schwann)

(8)细菌水平上的免疫学原理 微尔和

(9)染色体上的基因连锁现象 摩尔根 (10)大陆漂移学说 魏格纳 (11)宇宙膨胀的发现 哈勃 (12)群论 伽罗瓦 (13)形式系统的不完全性定理 哥德尔 (14)电话 贝尔

(15)青霉素 弗莱明

2.请写出下列科技成就或科技著作的创作者。(每题2分,共20分) (1)都江堰 李冰 (2)龙骨水车 马钧 (3)候风地动仪 张衡 (4)水

合肥工业大学2012保研名单

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2012年优秀应届本科毕业生推荐为免试攻读硕士学位研究生

人选公示

仪器科学与光电工程学院

学术型: 王超 解松霖 张红英 冯家亚 刘佩 刘芬 张喜条 龚亚运 李星辰 胡雪卡 黄开辉 胡磊 王永杰 高灿辉

专业型:

李小娟 史科迪 袁武 操亚华 韩伟峰 王丹燕

机械与汽车工程学院

学术型: 田贺 洪仲昆 甘萌 谢仁婷 许天力 孙云云 高志婷 鲍艳艳 俞晓慧 吴涛 张俊生 吴方应 王国权 陈伟 陶伟 祁松松 张晓松 朱新龙 吴坤 王三琴 王少明 吴尘琛 王炳杰 高庆

专业型: 李慧 石大勇 冯艳 鞠俊 单姗 周俊超 吴国彬 刘瑞 鞠毅 费标求 谭昱全 徐飞 张玉洁 王星 李博溪 杨清 马永敬

材料科学与工程学院

学术型:

钟瑶瑶 李军伟 赵小波 赵勇 常亚婧 张健 詹俊 张哲 贺鹏 占小奇 莫飞 王红娥

杨杰 张浩

缪琦 井长龙 童章进 王开来 熊渠 孙明迁 黄稳 王军 耿梦晓

董哲明 沙发明 邹玉明 冯驹先 蒋亦斌 丁孝禹 吴跃 吴丹 王雨晴

袁东升姜盈盈徐祗尚张静 陈晨 王旭东王云燕何李婷闫清泉张雅堃樊辉

王二威沈锦龙武冠宏江龙飞赵希 李贝贝燕振君陈阳明阮丽丽尹传祥

安东 潘成程董波 周旋 张航 王时飞胡晨君吴祚云

吴占雨潘俊

合肥工业大学的招生简章

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合肥工业大学概况

合肥工业大学是一所教育部直属的全国重点大学、国家“211工程”重点建设高校和“985工程”优势学科创新平台建设高校。

学校创建于1945年,1960年被中共中央批准为全国重点大学。刘少奇、朱德、邓小平等老一辈无产阶级革命家先后来校视察指导工作。1979年,邓小平同志亲笔题写了“合肥工业大学”校名;1995年,江泽民、李鹏、李岚清等中央领导同志为学校建校50周年题词。60多年来,学校以民族振兴和社会进步为已任,坚持社会主义办学方向,秉承“厚德、笃学、崇实、尚新”的校训,恪守“勤奋、严谨、求实、创新”的校风,发扬“艰苦奋斗、自强不息、追求卓越、勇攀高峰”的光荣传统,形成了鲜明的办学特色,成为国家人才培养、科学研究和服务社会的重要基地。

学校占地面积199.399万平方米。图书馆藏书217.6万册,电子图书71.6万种、131.6万册,中外文现刊2904种,中外文电子期刊约3.4万种。学校设有19个学院、联合共建的国家级科研基地3个、国家技术转移示范中心1个、40多个省部级重点科研基地、1个国家甲级综合建筑设计研究院、53个教学实验室、15个校内实习实践基地、174个校外实习基地;拥有教学、科研仪器设备44347台(套),总价值4.58

【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答案

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合肥工业大学

《半导体器件物理》试卷(一)标准答案及评分细则

一、填空(共32分,每空2分)

1、 PN扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内,其机理为少子的充放电,而过渡区电容产生于空间电荷区,其机理为多子的注入和耗尽。

2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响,具体地,对

于短沟道器件对VT的影响为下降,对于窄沟道器件对VT的影响为上升。

3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受V电压控制,其基极电流IB受V

电压控制。

4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备,该类器件显著的优点是

寄生参数小,响应速度快等。

5、PN生雪崩击穿的条件为

6、当MOSFET进入饱和区之后,漏电流发生不饱和现象,其中主要的原因

有沟道长度调制效应,漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。

二、简述(共18分,每小题6分)

1、Early

电压VA; 答案:

2、截止频率

fT;

答案:截止频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。

合肥工业大学

3、耗尽层宽度W。

答案:P型材料和N型材料接触后形成PN结,由于存在浓度差,就会产生空间电荷区,而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。

三、分析(共20分,每小题10分)

1、对于PNP型BJT工作在正向有源区时载流子的输运情况;

答案

【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答案

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合肥工业大学

《半导体器件物理》试卷(一)标准答案及评分细则

一、填空(共32分,每空2分)

1、 PN扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内,其机理为少子的充放电,而过渡区电容产生于空间电荷区,其机理为多子的注入和耗尽。

2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响,具体地,对

于短沟道器件对VT的影响为下降,对于窄沟道器件对VT的影响为上升。

3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受V电压控制,其基极电流IB受V

电压控制。

4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备,该类器件显著的优点是

寄生参数小,响应速度快等。

5、PN生雪崩击穿的条件为

6、当MOSFET进入饱和区之后,漏电流发生不饱和现象,其中主要的原因

有沟道长度调制效应,漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。

二、简述(共18分,每小题6分)

1、Early

电压VA; 答案:

2、截止频率

fT;

答案:截止频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。

合肥工业大学

3、耗尽层宽度W。

答案:P型材料和N型材料接触后形成PN结,由于存在浓度差,就会产生空间电荷区,而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。

三、分析(共20分,每小题10分)

1、对于PNP型BJT工作在正向有源区时载流子的输运情况;

答案