晶体能带理论解释导体
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根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg
根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg
光学吸收系数满足方程:α=(A/hν)(hν-Eg)1/2,其中A 是比例常数,hν是光子能量,Eg是ZnO的能隙。Eg可以通过画(αhν)2与hν的曲线,然后把线性部分延长到α=0得出。这些数据先用excel计算出来,再导入origin画出曲线图,然后做切线,切线与和横坐标的交点数值就是禁带宽度
在origin中做曲线的切线的话~那个切点是怎么确定的
下一个画切线的插件targent,它会自动画,切点选一个最陡峭的点
1.薄膜:需要的数据:薄膜厚度d,透过谱T%,并且还要知道半导体是直接还是间接型。首先需要求吸收系数(absorption coefficiency, a) a=-ln(T%)/d
??A dhv的计算在origin里进行,大概可以使用hv=1240/(wavelength(nm))得到 间接半导体:纵坐标为(ahv)^2,横坐标为hv 直接半导体:纵坐标为(ahv)^(1/2),横坐标为hv
最后,做出曲线的切线(这方面我是自己拉一条直线),与横轴的交点就是Eg。
2.粉体:需要的数据:粉体的漫反射谱Rx。同样也需要换算成吸收系数,使用a=(1-Rx)2/2Rx (这个就是Kube
根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg
根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg
光学吸收系数满足方程:α=(A/hν)(hν-Eg)1/2,其中A 是比例常数,hν是光子能量,Eg是ZnO的能隙。Eg可以通过画(αhν)2与hν的曲线,然后把线性部分延长到α=0得出。这些数据先用excel计算出来,再导入origin画出曲线图,然后做切线,切线与和横坐标的交点数值就是禁带宽度
在origin中做曲线的切线的话~那个切点是怎么确定的
下一个画切线的插件targent,它会自动画,切点选一个最陡峭的点
1.薄膜:需要的数据:薄膜厚度d,透过谱T%,并且还要知道半导体是直接还是间接型。首先需要求吸收系数(absorption coefficiency, a) a=-ln(T%)/d
??A dhv的计算在origin里进行,大概可以使用hv=1240/(wavelength(nm))得到 间接半导体:纵坐标为(ahv)^2,横坐标为hv 直接半导体:纵坐标为(ahv)^(1/2),横坐标为hv
最后,做出曲线的切线(这方面我是自己拉一条直线),与横轴的交点就是Eg。
2.粉体:需要的数据:粉体的漫反射谱Rx。同样也需要换算成吸收系数,使用a=(1-Rx)2/2Rx (这个就是Kube
根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg
根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg
光学吸收系数满足方程:α=(A/hν)(hν-Eg)1/2,其中A 是比例常数,hν是光子能量,Eg是ZnO的能隙。Eg可以通过画(αhν)2与hν的曲线,然后把线性部分延长到α=0得出。这些数据先用excel计算出来,再导入origin画出曲线图,然后做切线,切线与和横坐标的交点数值就是禁带宽度
在origin中做曲线的切线的话~那个切点是怎么确定的
下一个画切线的插件targent,它会自动画,切点选一个最陡峭的点
1.薄膜:需要的数据:薄膜厚度d,透过谱T%,并且还要知道半导体是直接还是间接型。首先需要求吸收系数(absorption coefficiency, a) a=-ln(T%)/d
??A dhv的计算在origin里进行,大概可以使用hv=1240/(wavelength(nm))得到 间接半导体:纵坐标为(ahv)^2,横坐标为hv 直接半导体:纵坐标为(ahv)^(1/2),横坐标为hv
最后,做出曲线的切线(这方面我是自己拉一条直线),与横轴的交点就是Eg。
2.粉体:需要的数据:粉体的漫反射谱Rx。同样也需要换算成吸收系数,使用a=(1-Rx)2/2Rx (这个就是Kube
根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg
根据紫外-可见光谱计算半导体能带Eg
光学吸收系数满足方程:α=(A/hν)(hν-Eg)1/2,其中A 是比例常数,hν是光子能量,Eg是ZnO的能隙。Eg可以通过画(αhν)2与hν的曲线,然后把线性部分延长到α=0得出。这些数据先用excel计算出来,再导入origin画出曲线图,然后做切线,切线与和横坐标的交点数值就是禁带宽度
在origin中做曲线的切线的话~那个切点是怎么确定的
下一个画切线的插件targent,它会自动画,切点选一个最陡峭的点
1.薄膜:需要的数据:薄膜厚度d,透过谱T%,并且还要知道半导体是直接还是间接型。首先需要求吸收系数(absorption coefficiency, a) a=-ln(T%)/d
??A dhv的计算在origin里进行,大概可以使用hv=1240/(wavelength(nm))得到 间接半导体:纵坐标为(ahv)^2,横坐标为hv 直接半导体:纵坐标为(ahv)^(1/2),横坐标为hv
最后,做出曲线的切线(这方面我是自己拉一条直线),与横轴的交点就是Eg。
2.粉体:需要的数据:粉体的漫反射谱Rx。同样也需要换算成吸收系数,使用a=(1-Rx)2/2Rx (这个就是Kube
第五章_晶体的能带理论
第五章 晶体中电子能带理论1.孤立原子中电子受原子束缚,处于分立能级; 晶体中的电子不再束缚于个别原子,而是在一 个周期性势场中作共有化运动。在晶体中该类 电子的能级形成一个带。 2. 晶体中电子的能带在波矢空间具有反演对 称性,且是倒格子的周期函数。
3. 能带理论成功的解释了固体的许多物理特 性,是研究固体性质的重要理论基础。1
本章主要内容§5.1 布洛赫波函数 §5.2 一维晶格中的近自由电子 §5.3 一维晶格中电子的布喇格反射 §5.4 平面波法 §5.5 布里渊区 §5.6 紧束缚法 §5.7 正交化平面波 赝势 §5.8 电子的平均速度 平均加速度和有效质量 §5.9 等能面 能态密度 §5.10 磁场作用下的电子能态 §5.11 导体 半导体和绝缘体2
§5.1 布洛赫波函数一、布洛赫(Bloch)定理1、布洛赫定理 晶体中电子波函数是按晶格周期调幅的平面波, 电子波函数具有以下形式k 电子的波矢
k ( r ) eik r uk ( r )uk (r ) uk r Rn
Rn 格矢
其中
Rn
简单六方结构二维光子晶体能带的COMSOL模拟
简单六方结构二维光子晶体能带的COMSOL模拟
北京东之星应用物理研究所
伍勇 1.引言
COMSOL携带的案例库里,其中一篇
?2. 关于 Floquet (弗洛盖) 波矢kF
这是入门COMSOL光子晶体能带模拟的重要概念,在另一案例
??????i(k?d)由此我判断Floquet 波矢就是Bloch(布p(x)?p(x?d)e洛赫)波矢,但“帮助”文档中有:
?????kF?ksin?1(a1cos?2?n?a1sin?2),以正格子基矢a1,a2表示
(其文没有任何几何插图和物理说明),使我决定必须在六方格子中选择矩形单胞作为周期单元,以使计算机程序能够运行我的几何方
能带结构理论研究参考 -
先只是参考一下他研究的哪些参数,研究方法另订。
以高斯脉冲光信号作为输入光源,分别分析光子晶体整体介质柱的折射率变化、点缺陷介质柱的折射率变化和点缺陷介质柱的半径变化等三方面因素对滤波器输出特性的影响。
可以发现,选择不同的光子晶体整体介质柱折射率、点缺陷半径和点缺陷折射率,可以实现滤波特性的可调谐,这为今后在集成光子晶体器件中设计多通道光滤波器提供了重要的 理论依据。
光子晶体的空间分布、介质材料的介电常数、光子晶体的周期结构以及光子晶体缺陷的设置是影响光子晶体滤波器性能的主要因素。
光子晶体禁带的分布会受到晶体结构、两种介质的介电常数(或折射率)的差、填充比等结构因素的影响。
填充率是指圆柱形介质面积占每个晶格面积的百分比,填充率的变化是由圆形介质柱半径的变化决定的。
本文首先通过建立二维光子晶体带隙结构模型,并运用目前使用广泛的平面波展开法(PWE)分析光子晶体的通带和禁带,从而确定光子晶体中光波所能应用的频率范围,并通过此方法研究光子晶体的结构对光子晶体禁带的影响。并对二维光子晶体进行模拟仿真,并计算在各种缺陷情况下波的传播情况和一些特性值,通过这些仿真分析可以清晰地看到光子在二维光子晶体当中的传播情况。
计算研究结论(待看。。。。。
半导体名词解释
四川洪芯微科技有限公司
1) Acetone 丙酮
丙酮是有机溶剂的一种,分子式为CH3COCH3 性质:无色,具剌激性薄荷臭味的液体
用途:在FAB内的用途,主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭
毒性:对神经中枢具中度麻醉性,对皮肤粘膜具轻微毒性,长期接触会引起皮肤炎,吸入过
量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。 允许浓度:1000ppm
2) Active Area 主动区域
MOS核心区域,即源,汲,闸极区域
3) AEI蚀刻后检查
(1) AEI 即After Etching Inspection,在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后,分别对产品实施
主检或抽样检查。 (2) AEI的目的有四:
提高产品良率,避免不良品外流。 达到品质的一致性和制程的重复性。 显示制程能力的指标。 防止异常扩大,节省成本
(3) 通常AEI检查出来的不良品,非必要时很少做修改。
能带理论用来详细解释PN结形成和光生伏特原理-也很有用
能带理论在半导体光生伏特效应中的应用 内 容 能带理论在半导体光生伏特效应中的应用 【本讲课程的内容】 一、基础知识与概念 1、费米能级的定义及其物理意义 1)费米能级的定义:根据量子力学理论,具有半奇数自旋量子数(通常为1/2)的费米子,如电子,遵循泡利不相容原理,即一个量子态只能被一个粒子所占据。因此,费米子在能级中的分布遵循费米-狄拉克分布。 f(E)?1E?EF,kB为玻尔兹曼常数.是指电子(研究对象)占据能带(导带)中某个能级的ek?1BT分布函数f(E)几率(电子的能量越往上越高)。如果是讨论空穴载流子的话(空穴的能量越往下越高),那么就应当是相应于价带中某个能级所空出(即没有被电子占据)的几率。 2)费米能级的物理意义:Fermi能级(EF)实际上起到了衡量能级被电子占据的几率大小的一个标准的作用。在E
能理解
补充:金属塑对于绝缘体和半导体,Fermi能级则处于禁带中间。特别是本征半导体和绝性变形缘体,因为它们的的价带是填满了价电子(占据几率为100%)、导带是完全空着其他形式:孪的(占据几率为0%),则它们的Fermi能级正好位于禁带中央(占据几率为50%)。生即使温度升高时,本征激发
半导体名词解释
四川洪芯微科技有限公司
1) Acetone 丙酮
丙酮是有机溶剂的一种,分子式为CH3COCH3 性质:无色,具剌激性薄荷臭味的液体
用途:在FAB内的用途,主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭
毒性:对神经中枢具中度麻醉性,对皮肤粘膜具轻微毒性,长期接触会引起皮肤炎,吸入过
量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。 允许浓度:1000ppm
2) Active Area 主动区域
MOS核心区域,即源,汲,闸极区域
3) AEI蚀刻后检查
(1) AEI 即After Etching Inspection,在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后,分别对产品实施
主检或抽样检查。 (2) AEI的目的有四:
提高产品良率,避免不良品外流。 达到品质的一致性和制程的重复性。 显示制程能力的指标。 防止异常扩大,节省成本
(3) 通常AEI检查出来的不良品,非必要时很少做修改。