972727C0W牛气冲天免费论坛

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鹤冲天

标签:文库时间:2025-01-30
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鹤冲天

作者:柳永【宋】体裁:词

黄金榜上,偶失龙头望。 明代暂遗贤,如何向?

未遂风云便, 争不恣狂荡? 何须论得丧。 才子词人, 自是白衣卿相。 烟花巷陌,依约丹青屏障。 幸有意中人,堪寻访。

且恁偎红翠, 风流事、平生畅。 青春都一饷。 忍把浮名,

换了浅斟低唱。

注释

这首词反映了柳永的反叛性格,也带来了他人生路上一大波折。据传说,柳永善作俗词,而宋仁宗颇好雅词。有一次,宋仁宗临轩放榜时想起柳永这首词中那句“忍把浮名,换了浅斟低唱”,就说道:“且去浅斟低唱,何要浮名”,就这样黜落了他 。从此,柳永便自称“奉旨填词柳三变”而长期地流连于坊曲之间,在花柳丛中寻找生活的方向、精神的寄托。

“黄金榜上,偶失龙头望”,考科举求功名,他并不满足于登进士第,而是把夺取殿试头名状元作为目标。落榜只认为“偶然”,“风遗”只说是“暂”,由此可见柳永狂傲自负的性格。他自称“明代遗贤”是讽刺仁宗朝号称清明盛世 ,却不能做到“ 野无遗贤”。但既然已落第,下一步该怎么办呢?“风云际会 ”,施展抱负是封建时代士子的奋斗目标 ,既然“未遂风云便”,理想落空了,于是他就转向了另一个极端,“争不恣狂荡”,表示要无拘无束地过那种为一般封建士人所不齿的流连坊曲的狂荡生活。

鹤冲天

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鹤冲天

作者:柳永【宋】体裁:词

黄金榜上,偶失龙头望。 明代暂遗贤,如何向?

未遂风云便, 争不恣狂荡? 何须论得丧。 才子词人, 自是白衣卿相。 烟花巷陌,依约丹青屏障。 幸有意中人,堪寻访。

且恁偎红翠, 风流事、平生畅。 青春都一饷。 忍把浮名,

换了浅斟低唱。

注释

这首词反映了柳永的反叛性格,也带来了他人生路上一大波折。据传说,柳永善作俗词,而宋仁宗颇好雅词。有一次,宋仁宗临轩放榜时想起柳永这首词中那句“忍把浮名,换了浅斟低唱”,就说道:“且去浅斟低唱,何要浮名”,就这样黜落了他 。从此,柳永便自称“奉旨填词柳三变”而长期地流连于坊曲之间,在花柳丛中寻找生活的方向、精神的寄托。

“黄金榜上,偶失龙头望”,考科举求功名,他并不满足于登进士第,而是把夺取殿试头名状元作为目标。落榜只认为“偶然”,“风遗”只说是“暂”,由此可见柳永狂傲自负的性格。他自称“明代遗贤”是讽刺仁宗朝号称清明盛世 ,却不能做到“ 野无遗贤”。但既然已落第,下一步该怎么办呢?“风云际会 ”,施展抱负是封建时代士子的奋斗目标 ,既然“未遂风云便”,理想落空了,于是他就转向了另一个极端,“争不恣狂荡”,表示要无拘无束地过那种为一般封建士人所不齿的流连坊曲的狂荡生活。

NAND128W3A0BZA6F中文资料

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元器件交易网

NAND128-A, NAND256-ANAND512-A, NAND01G-A

128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)

528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

FEATURES SUMMARY

HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES–––

Up to 1 Gbit memory arrayUp to 32 Mbit spare area

Cost effective solutions for mass storage applicationsx8 or x16 bus widthMultiplexed Address/ DataPinout compatibility for all densities1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6Vx8 device: (512 + 16 spare) Bytesx16 device: (256 + 8 spare) Wordsx8 device: (16K + 512

冲天炉研究

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冲天炉研究

铁器时代的早期,铸铁件是由铁矿石和木炭在炼铁炉内冶炼得到的铁液制成的。后来,随着铸铁件生产数量的增多,不得不面对如何处理废旧铸件和回炉料的问题。同时,还希望能简便地制作少量铸件,在这样的条件下,就出现了以废旧铁件和回炉料为原料的熔炉。世界上最早的熔炉,是我国宋代开始使用的竖炉,迄今大约有1000年左右。后来又发展成为便于移动的行炉。这是我国铸造工匠为人类文明作出的重要贡献,是铁器时代技术发展的重要里程碑。

公元13世纪前后,我国的铸铁技术由元朝大军中的随军工匠传播到欧洲,同时也带去了熔铁的竖炉。欧洲最早的冲天炉是在竖炉的基础上形成的,有记载说,1730年首先出现在法国,是由R. H. Ferchault de Reamur制作的。但是,多数人认为:John Wilkinson于1794年6月获得英国专利的冲天炉才是欧洲最早的冲天炉。

19世纪和20世纪,在冲天炉的改进方面出现了很多可喜的成果:19世纪初期,Otto Gmelin研发了水冷冲天炉;1890年,Sheehan研制了双排风口冲天炉;1890年,荷兰的Cameron首先推出了内热式热风冲天炉,随之又出现了多种不同形式的热风冲天炉。

此后,在冲天炉的改进和发展方面,

红雪redsn0w,0.9.6rc16完美越狱

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篇一:iphone4全新红雪RedSn0w 0.9.9b1 越狱完美教程(完美4.2.14.3.14.3.24.3.3)

全新红雪RedSn0w 0.9.9b1 越狱教程(完美

4.2.1/4.3.1/4.3.2/4.3.3)

2011-9-20 22:07| 发布者: Wally| 查看: 115| 评论: 15|原作者: insidejob 摘要: iPhone 黑客团队Dev Team发布了红雪系列越狱软件的重大更新,此次更新简化了iOS设备越狱的操作步骤,并且增加了许多实用功能,例如直接向Cydia服务器上传备份SHSH文件等,还有这次更新的最大亮点:越狱过程中可自动 ...

iPhone 黑客团队Dev Team发布了红雪系列越狱软件的重大更新,此次更新简化了iOS设备越狱的操作步骤,并且增加了许多实用功能,例如直接向Cydia服务器上传备份SHSH文件等,还有这次更新的最大亮点:

越狱过程中可自动识别和获取相应的IPSW片段文件,使用新红雪越狱不再需要下载几百兆的IPSW文件了。

新版红雪RedSn0w 0.9.9b1 越狱工具的 介绍以及下载链接

下面是新版红雪的越狱操作教程,以及新功能图文介绍。

红雪RedSn0w 0.9.9b1

支持越狱的设

NAND128W3A0CN1中文资料

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NAND128-A, NAND256-A

NAND512-A, NAND01G-A

128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories FEATURES SUMMARY

■HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES –Up to 1 Gbit memory array

–Up to 32 Mbit spare area

–Cost effective solutions for mass storage applications

■NAND INTERFACE

–x8 or x16 bus width

–Multiplexed Address/ Data

–Pinout compatibility for all densities

■SUPPLY VOLTAGE

– 1.8V device: V DD = 1.7 to 1.95V

– 3.0V device: V DD = 2.7 to3.6V

■PAGE SIZE

–x8 device: (512 + 16 spare) Bytes

–x16

冲天炉熔炼工艺基础

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[原创] 冲天炉熔炼工艺基础

1、 冲天炉熔炼基本原理

(1) 底焦燃烧:冲天炉底焦燃烧可以划分为两个区带:

A、 氧化带:从主排风口到自由氧基本耗尽,二氧化碳浓度达到最大值的区域。

B、 还原带:从氧化带顶面到炉气中[CO2]/[CO]浓度基本不变的区域,从风口引入的风容易趋向炉壁,形成炉壁效应,形成一个下凹的氧化带和还原带,对熔化造成不利影响。

① 不易形成一个集中的高温区,不利于铁水过热; ② 加速了炉壁的侵蚀;

③ 铁料熔化不均匀,铁液不易稳定下降,影响化学成分。 解决方法:

①采用较大焦炭块度,使风均匀送入; ②采用插入式风嘴; ③采用曲线炉膛; ④采用中央送风系统;

⑤熔炼过程中为使焦炭不易损耗,送风量要与焦炭损耗相适应。 根据炉气、炉料、铁水浓度和温度,炉身分为4个区域:

(1)预热区:从加料口下沿,炉料表面到铁料开始熔化的区域称为预热区,下面的炉气温度可达1200℃—1300℃,预热带的上部炉气温度为200℃—500℃。由于这一区域的平均温度不高,炉气黑度和辐射空间较小,炉气在料层内流速较大,炉料与炉气之间的热交换以对流为主,炉料在预热区内停留

冲天炉熔炼工艺基础

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冲天炉熔炼工艺基础

1、 冲天炉熔炼基本原理

(1) 底焦燃烧:冲天炉底焦燃烧可以划分为两个区带:

A、 氧化带:从主排风口到自由氧基本耗尽,二氧化碳浓度达到最大值的区域。 B、 还原带:从氧化带顶面到炉气中[CO2]/[CO]浓度基本不变的区域,从风口引入的风容易趋向炉壁,形成炉壁效应,形成一个下凹的氧化带和还原带,对熔化造成不利影响。 ① 不易形成一个集中的高温区,不利于铁水过热; ② 加速了炉壁的侵蚀;

③ 铁料熔化不均匀,铁液不易稳定下降,影响化学成分。 解决方法:

①采用较大焦炭块度,使风均匀送入; ②采用插入式风嘴; ③采用曲线炉膛; ④采用中央送风系统;

⑤熔炼过程中为使焦炭不易损耗,送风量要与焦炭损耗相适应。 根据炉气、炉料、铁水浓度和温度,炉身分为4个区域:

(1)预热区:从加料口下沿,炉料表面到铁料开始熔化的区域称为预热区,下面的炉气温度可达1200℃—1300℃,预热带的上部炉气温度为200℃— 500℃。由于这一区域的平均温度不高,炉气黑度和辐射空间较小,炉气在料层内流速较大,炉料与炉气之间的热交换以对流为主,炉料在预热区内停留时间较长

冲天炉熔炼工艺基础

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冲天炉熔炼工艺基础

1、 冲天炉熔炼基本原理

(1) 底焦燃烧:冲天炉底焦燃烧可以划分为两个区带:

A、 氧化带:从主排风口到自由氧基本耗尽,二氧化碳浓度达到最大值的区域。 B、 还原带:从氧化带顶面到炉气中[CO2]/[CO]浓度基本不变的区域,从风口引入的风容易趋向炉壁,形成炉壁效应,形成一个下凹的氧化带和还原带,对熔化造成不利影响。 ① 不易形成一个集中的高温区,不利于铁水过热; ② 加速了炉壁的侵蚀;

③ 铁料熔化不均匀,铁液不易稳定下降,影响化学成分。 解决方法:

①采用较大焦炭块度,使风均匀送入; ②采用插入式风嘴; ③采用曲线炉膛; ④采用中央送风系统;

⑤熔炼过程中为使焦炭不易损耗,送风量要与焦炭损耗相适应。 根据炉气、炉料、铁水浓度和温度,炉身分为4个区域:

(1)预热区:从加料口下沿,炉料表面到铁料开始熔化的区域称为预热区,下面的炉气温度可达1200℃—1300℃,预热带的上部炉气温度为200℃— 500℃。由于这一区域的平均温度不高,炉气黑度和辐射空间较小,炉气在料层内流速较大,炉料与炉气之间的热交换以对流为主,炉料在预热区内停留时间较长

C+W统一认证手机使用方法

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C+W统一认证手机上WLAN方法

一、什么是“C+W”统一认证手机

C+W统一认证手机(以下简称C+W手机)是指带有WIFI模块的CDMA终端,可通过中国电信的CDMA网络进行数据上网和语音通信,进入中国电信WIFI覆盖区域后,手机自动连接中国电信热点(ChinaNet),并自动发起基于UIM卡的统一认证,无需您输入账号密码,当手机状态栏出现鉴权成功标识,便可通过WIFI 使用互联网和电信增值业务。

利用WLAN宽带网络的高带宽特性,C+W手机通过中国电信WIFI覆盖区域可以得到比在CDMA网络下更高的数据带宽,使用户获得更优质的数据业务服务。

二、目前支持C+W统一认证的手机型号和固件版本列表

请大家核对自己的手机的版本号是否高于上述版本,如果不够新,请通过空中下载更新或去售后更新。

三、基本操作(以MOTO XT800为例)

1、在ANDROID系统设置的WLAN设置中,勾选“预置网络优先”。

2、打开WIFI开关,打开EVDO数据通道,接入点CTWAP、CTNET都可以。如果在WIFI设置中观察接入CHINANET的过程,可以看到以下几个步骤:1)获取地址

2)注册中...

3)已注册

在这种状态下,当手机没有发现CHINANET热点时,会通过EVDO上网;