西南科技大学c语言期末考试题

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青岛科技大学c语言期末考试题1

标签:文库时间:2025-02-06
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一、单项选择题(15个小题,每题2分,共30分): 1.一个C语言程序的执行是从_____。 A.main函数开始,直到main函数结束 B.第一个函数开始,直到最后一个函数结束 C.第一个函数开始,直到最后一个语句结束 D.main函数开始,直到最后一个函数结束 2. 正确的自定义标识符是_____。 A.x_2 B.a-b C.2sum D.$123 3.下面程序的运行结果是_____。 #define F(x) x*x void main( ) { int a=2,b=1;

prinft(“%d\\n”,F(a+b)); }

A.3 B.5 C.8 D.9

4.读以下程序段,判断a的值为_____。 int *p,a=10,b=1; p=&a; a=*p+b;

A.12 B.10 C.11 D.编译出错

5.根据以下说明语句,则下面的叙述中不正确的是_____。 struct student { int num; char name[10]; int score; }stu;

A.struct是定义结构体类型的关键字 B.stu是结构体变量名

C.num, name, score都是结构体成员名 D.stu是结构体类型名

6.已知

华中科技大学C语言期末考试题库试题及答案汇总

标签:文库时间:2025-02-06
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华中科技大学C语言期末考试题库试题及答案汇总

1.设int a=12,则执行完语句a+=a-=a*a后,a的值是__D____。 A、552 B、264 C、144 D、-264 知识点:算术表达式

2.以下变量x、y、z均为double类型且已正确赋值,不能正确表示数字式子x/(y*z)的C语言表达式是___A___。

A、x/y*z B、x*(1/(y*z))C、x/y*1/z D、x/y/z 知识点:算术表达式

3.若有定义:int a=8,b=5,c;,执行语句c=a/b+0.4;后,c的值是__B____。 A、1.4 B、1 C、2.0 D、2 知识点:算术表达式 4.有如下程序 main() {

int a; char c=10; float f=100.0; double x; a=f/=c*=(x=6.5);

printf(\}

程序运行后输出结果是___B___。

A、1 65 1 6.5B、1 65 1.5 6.5C、1 65 1.0 6.5D、2 65 1.5 6.5 知识点:赋值表达式

5.若变量a、i已正确定义,且i已正确赋值,合法的语句是___B___。 A、a==1 B、++i; C、a=a++=5; D、a=

西南科技大学通信原理历年期末考试题及参考答案

标签:文库时间:2025-02-06
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*密*

西南科技大学2009—2010学年第2学期 《通信原理》期末考试试卷(A卷)

课程代码: 2 2 3 1 9 4 3 0 0 命题单位: 学院:

班级:

姓名:

信息工程 学院

学号:

通信

教研室

一.填空题(每空1分,共30分)

1、数字通信系统的主要质量指标是__________和__________。

2、高斯白噪声是指噪声的概率密度服从__________分布,功率谱密度服从__________分布。 3、模拟信号经抽样、量化所得到的数字序列称为________信号,直接传输这种信号称为___________。

4、目前最常用的多路复用方法为________复用和_______复用。

5、模拟信号转变为数字信号需要经过以下三个过程:_________ 、__________ 和 __________ 。

6、四元离散信源的四个符号出现的概率分别为1/4、1/2、1/8、1/8,符号出现相对独立,其信源熵为 。理论上,四元信源的最大熵为 。 7、差分脉冲编码是对_________与_________的差值进行编码。 8、将数字基带信号直接送到信道传输的方式称为____________ 。 9、通常情况

西南科技大学2012模拟电子技术基础期末考试_试题

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预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级:___________姓名:___________学号:___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分,共20分)

(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( ) A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时,半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大,uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小,ICEO和uBE增大

-8V 图1

③ -2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

西南科技大学2012模拟电子技术基础期末考试_试题

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预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级:___________姓名:___________学号:___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分,共20分)

(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( ) A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时,半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大,uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小,ICEO和uBE增大

-8V 图1

③ -2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

西南科技大学通信原理历年期末考试题及参考答案

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*密*

西南科技大学2009—2010学年第2学期 《通信原理》期末考试试卷(A卷)

课程代码: 2 2 3 1 9 4 3 0 0 命题单位: 学院:

班级:

姓名:

信息工程 学院

学号:

通信

教研室

一.填空题(每空1分,共30分)

1、数字通信系统的主要质量指标是__________和__________。

2、高斯白噪声是指噪声的概率密度服从__________分布,功率谱密度服从__________分布。 3、模拟信号经抽样、量化所得到的数字序列称为________信号,直接传输这种信号称为___________。

4、目前最常用的多路复用方法为________复用和_______复用。

5、模拟信号转变为数字信号需要经过以下三个过程:_________ 、__________ 和 __________ 。

6、四元离散信源的四个符号出现的概率分别为1/4、1/2、1/8、1/8,符号出现相对独立,其信源熵为 。理论上,四元信源的最大熵为 。 7、差分脉冲编码是对_________与_________的差值进行编码。 8、将数字基带信号直接送到信道传输的方式称为____________ 。 9、通常情况

陕西科技大学 管理信息系统期末考试题

标签:文库时间:2025-02-06
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一、单项选择题 (本大题分30小题, 每小题1.5分, 共45分)

1、信息( A)

A.是形成知识的基础 B.是数据的基础

C.是经过加工后的数据 D.具有完全性

2、管理信息是( A )

A.加工后反映和控制管理活动的数据 B.客观世界的实际记录

C.数据处理的基础 D.管理者的指令

3、人类社会发展的三大资源是( C)

A.食、石油、水 B.物质、网络、信息

C.能源、物质、信息 D.计算机、通信、网络

4、管理信息的时效性是指 (D )

A.管理信息只能在特定的时间获得 B.管理信息在一定时期内有效

C.管理信息一旦获得,就永远有效

D.管理信息是有生命周期的,只有在生命周期内有效

5、以下选项属于管理控制(战术管理)的是(D)

A.奖金分配 B.产品发展 C.作业调整 D.库存补充

6、按照不同级别管理者对管理信息的需要,通常把管理信息分为以下三级(D )

A.公司级、工厂级、车间级 B.工厂级、车间级、工段级

C.厂级、处级、科级

陕西科技大学科目期末考试复习过程设备设计期末考试题

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陕西科技大学 试题纸

课程 过程设备设计 班级

学号 姓名 题号 得分 阅卷人 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分

,填空题(24分,每题3分)

1,压力容器的基本组成为 ,各部分的作

用分别为 2,压力容器按压力等级分类可分为 ,按在生产中所起的作用来分可分为

C语言期末考试题

标签:文库时间:2025-02-06
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1.static struct {int a1;float a2;char a3;}a[10]={1,3.5,'A'}; 说明数组a是地址常量,它有10个结构体型的下标变量,采用静态存

储方式,其中被初始化的下标变量是()。

A、a[10] B、a[0] C、a[1] D、a[-1]

B

2.对以下说明语句 int a[10]={6,7,8,9,10}; 的正确理解是()。

A、将5个初值依次赋给a[1]至a[5] B、将5个初值依次赋给a[6]至a[10]

C、因为数组长度与初值的个数不相同,所以此语句不正确 D、将5个初值依次赋给a[0]至a[4] D

3.在C语言中,能代表逻辑值“真”的是()。

A、大于0的数 B、True C、非0的数 D、非0整数 C

4.以下read函数的调用形式中,参数类型正确的是()。

A、read(int fd,int count,char *buf) B、read(int count,char *buf,int fd) C、read(int *buf,int fd,int count) D、read(int fd,char *buf,int count) D

6.以下不符合C语言语法的

西南科技大学2012模拟电子技术基础期末考试 - 试题及答案

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西南科技大学 模拟电子技术试卷十

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分,共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( ) A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时,半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大,uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小

-2V -8V 图1

③ ② -2.2V

西南科技大学 模拟电子技术试卷十

C.β减小,ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.