掺杂浓度对费米能级的影响
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掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级的影响
毕 业 设 计(论 文)
题 目:学 院:系 部:专 业:班 级:学生姓名:导师姓名:起止时间:掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级的影响
职称:
毕业设计(论文)诚信声明书
本人声明:本人所提交的毕业论文《掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级
的影响》是本人在指导教师指导下独立研究、写作的成果,论文中所引用他
人的文献、数据、图件、资料均已明确标注;对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式注明并表示感谢。
本人完全清楚本声明的法律后果,申请学位论文和资料若有不实之处,本人愿承担相应的法律责任。
论文作者签名: 时间: 年 月 日
指导教师签名: 时间: 年 月 日
目录
摘要 ...........................
掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级的影响
毕 业 设 计(论 文)
题 目:学 院:系 部:专 业:班 级:学生姓名:导师姓名:起止时间:掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级的影响
职称:
毕业设计(论文)诚信声明书
本人声明:本人所提交的毕业论文《掺杂浓度对GaAs单量子阱中费米能级
的影响》是本人在指导教师指导下独立研究、写作的成果,论文中所引用他
人的文献、数据、图件、资料均已明确标注;对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式注明并表示感谢。
本人完全清楚本声明的法律后果,申请学位论文和资料若有不实之处,本人愿承担相应的法律责任。
论文作者签名: 时间: 年 月 日
指导教师签名: 时间: 年 月 日
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摘要 ...........................
掺杂对石墨烯输运性质、费米能级的影响
掺杂对石墨烯输运性质、费米能级的影响
项目组成员: 指导老师: 专业年级: 所在学院:
摘要:基于第一性原理的计算,研究了石墨烯纳米带单胞在有自旋和无自旋情况下的电学性质;以及在无自旋情况下,双极系统在N型掺杂情况下电子输运性质。研究表明,在无自旋时,石墨烯呈现出很好的导电性。对于双极系统,掺入杂质能增强体系的输运性质。并且在杂质浓度一定的情况下,通过改变电压同样也能改变体系的输运性质。 关键词:石墨烯纳米带;掺杂;费米能级;透射率;输运谱
一.研究简介
2010年英国的Andre Greim和KostyaNovoselov因为于2004年成功制备出石墨烯而获得10年诺贝尔奖。石墨烯瞬间声名大噪,石墨烯就是单层的碳原子单质石墨烯,目前是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料,它几乎是完全透明的,只吸收2.3%的光,导热系数高达5300 W/m·K,高于碳纳米管和金刚石,常温下其电子迁移率超过15000 cm²/V·s,又比纳米碳管或硅晶体高,而电阻率只约10-6 Ω·cm,比铜或银更低,为目前世上电阻率最小的材料。因为它的电阻率极低,电子迁移的速度极快,因此被期待可用来发展出更薄、导电速度更快的新一代电子元件或晶体管。
由于石墨烯实质上是一
费米能级问题
我简单说一下我对费米能及的理解:
若固体中有N个电子,他们的基态是按泡利原理由低到高填充能量尽可能低的N个量子态。有两类填充情况:
一、电子恰好填满最低的一系列能带,再高的各带全部是空的,最高的满带称为价带,最低的空带称为导带。价带最高能级(价带顶)与导带最低能级(导带底)之间的能量范围称为带隙。这种情况对应绝缘体和半导体。半导体实际上是带隙宽度小的绝缘体。 二、除去完全被电子充满的一系列能带外,还有只是部分的被电子填充的能带(常被称为导带)。这时最高占据能级为费米能级EF,它位于一个或几个能带的能量范围之内。这就是金属。 说白了,固体内的电子因泡利不相容原理,不能每一个电子都在最低的能级,便一个一个依序往从低能及往高能阶填,直到最后一个填进的那个能级便是所谓的费米能级。
如果你明白了费米能级,就知道它可以是任何数值。有的文献中,为了讨论方便。就定义了费米能级为零点(估计你的概念就是从这里得出的)。不同的费米能级有不同的物理意义。半导体的费米能级EF总为负值。
最后补充一点,一般我们讨论的都是电子费米子。至于中子、质子等其他费米子另当别论。
MS里介绍夹价带和态密度时的几句话,希望能解决你的问题。
All
费米能级问题
我简单说一下我对费米能及的理解:
若固体中有N个电子,他们的基态是按泡利原理由低到高填充能量尽可能低的N个量子态。有两类填充情况:
一、电子恰好填满最低的一系列能带,再高的各带全部是空的,最高的满带称为价带,最低的空带称为导带。价带最高能级(价带顶)与导带最低能级(导带底)之间的能量范围称为带隙。这种情况对应绝缘体和半导体。半导体实际上是带隙宽度小的绝缘体。 二、除去完全被电子充满的一系列能带外,还有只是部分的被电子填充的能带(常被称为导带)。这时最高占据能级为费米能级EF,它位于一个或几个能带的能量范围之内。这就是金属。 说白了,固体内的电子因泡利不相容原理,不能每一个电子都在最低的能级,便一个一个依序往从低能及往高能阶填,直到最后一个填进的那个能级便是所谓的费米能级。
如果你明白了费米能级,就知道它可以是任何数值。有的文献中,为了讨论方便。就定义了费米能级为零点(估计你的概念就是从这里得出的)。不同的费米能级有不同的物理意义。半导体的费米能级EF总为负值。
最后补充一点,一般我们讨论的都是电子费米子。至于中子、质子等其他费米子另当别论。
MS里介绍夹价带和态密度时的几句话,希望能解决你的问题。
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费米能级问题
我简单说一下我对费米能及的理解:
若固体中有N个电子,他们的基态是按泡利原理由低到高填充能量尽可能低的N个量子态。有两类填充情况:
一、电子恰好填满最低的一系列能带,再高的各带全部是空的,最高的满带称为价带,最低的空带称为导带。价带最高能级(价带顶)与导带最低能级(导带底)之间的能量范围称为带隙。这种情况对应绝缘体和半导体。半导体实际上是带隙宽度小的绝缘体。 二、除去完全被电子充满的一系列能带外,还有只是部分的被电子填充的能带(常被称为导带)。这时最高占据能级为费米能级EF,它位于一个或几个能带的能量范围之内。这就是金属。 说白了,固体内的电子因泡利不相容原理,不能每一个电子都在最低的能级,便一个一个依序往从低能及往高能阶填,直到最后一个填进的那个能级便是所谓的费米能级。
如果你明白了费米能级,就知道它可以是任何数值。有的文献中,为了讨论方便。就定义了费米能级为零点(估计你的概念就是从这里得出的)。不同的费米能级有不同的物理意义。半导体的费米能级EF总为负值。
最后补充一点,一般我们讨论的都是电子费米子。至于中子、质子等其他费米子另当别论。
MS里介绍夹价带和态密度时的几句话,希望能解决你的问题。
All
CuO掺杂对高磁导率MnZn软磁铁氧体性能的影响
工艺·技术·应用
CuO掺杂对高磁导率MnZn软磁铁氧体性能的影响
王 宏,王京平,窦海之
(广东风华高新科技股份有限公司,广东肇庆 526020)
摘 要:采用传统的氧化物湿法工艺制备CuO掺杂的高磁导率MnZn软磁铁氧体。研究了CuO掺杂对材料烧结特性、微观结构及电磁性能的影响。结果表明,适量的CuO掺杂在确保材料起始磁导率的条件下,有效降低烧结温度,改善温升曲线,提高截止频率,提高阻抗特性。1325℃烧结、掺杂0.1wt% CuO的Mn0.48Zn0.47Fe2.05O4材料具有较好的综合性能:µi=10860,TC=125℃,fr=250kHz, 样环T25×15×10磁芯线圈的阻抗Z=1420 。
关键词:MnZn铁氧体;CuO掺杂;电磁性能
中图分类号:TM277+.1 文献标识码:B 文章编号:1001-3830(2009)04-0037-03
Effects of CuO Dopant on the Properties of High Initial
Permeability MnZn Ferrite
WANG Hong, WANG Jing-ping
CuO掺杂对高磁导率MnZn软磁铁氧体性能的影响
工艺·技术·应用
CuO掺杂对高磁导率MnZn软磁铁氧体性能的影响
王 宏,王京平,窦海之
(广东风华高新科技股份有限公司,广东肇庆 526020)
摘 要:采用传统的氧化物湿法工艺制备CuO掺杂的高磁导率MnZn软磁铁氧体。研究了CuO掺杂对材料烧结特性、微观结构及电磁性能的影响。结果表明,适量的CuO掺杂在确保材料起始磁导率的条件下,有效降低烧结温度,改善温升曲线,提高截止频率,提高阻抗特性。1325℃烧结、掺杂0.1wt% CuO的Mn0.48Zn0.47Fe2.05O4材料具有较好的综合性能:µi=10860,TC=125℃,fr=250kHz, 样环T25×15×10磁芯线圈的阻抗Z=1420 。
关键词:MnZn铁氧体;CuO掺杂;电磁性能
中图分类号:TM277+.1 文献标识码:B 文章编号:1001-3830(2009)04-0037-03
Effects of CuO Dopant on the Properties of High Initial
Permeability MnZn Ferrite
WANG Hong, WANG Jing-ping
不同浓度盐胁迫对小麦幼苗生理特性的影响 - 图文
不同浓度盐胁迫对小麦幼苗生理特性的影响
学院:生命科学学院 作者:马宗英 马丽娜
王 琳 木娜瓦尔 刘 榕
摘要 小麦的生长在不同盐浓度土壤中呈现不同的生理特性。当分别用清水、
60mmol?L盐溶液、120mmol?L盐溶液处理小麦幼苗后,小麦植株的株高、叶长、叶宽、生物量、气孔形态数目和叶片脯氨酸、可溶性糖含量等生理指标都受到了正面或者负面的影响。
关键词 小麦;盐胁迫;生理特性
Abstract The growth of the wheat in different salt concentration is different in
different soil physical properties. When separately with clear water, 60 tendency/salt solution, the tendency for 120 mmol/L after salt solution processing wheat seedling, plant height, leaf length, leaf width of wheat plant, biomass, number of s
甲烷浓度对金刚石薄膜(100)织构生长的影响
以H2和CH4的混合气体为气源,用微波等离子体辅助化学气相沉积法(MPECVD)在1cm×,1cmSi(100)基体上沉积了金刚石薄膜。研究了不同的甲烷浓度对金刚石薄膜(100)织构生长趋势的影响。分别采用扫描电子显微镜(SEM),Raman光谱对金刚石膜的表面形貌、质量进行了分析。结果表明,当基体温度为750℃,气压为4.8×10^3Pa,甲烷浓度为1.4%时,薄膜表面为(100)织构。
维普资讯
第 3卷第 1 5 0期20 0 6年 1 0月
应
用
化
工
V0. 5 No 1 13 . 0 Oc . 0 6 t2 0
Ap l d C e c lI d sr p i h mia n u t e y
甲烷浓度对金刚石薄膜 (0 )构生长的影响 10织曹菊琴,汪建华,满卫东,熊礼威(湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北武汉 4 07 ) 30 3
摘
要:以和 c的混合气体为气源, H用微波等离子体辅助化学气相沉积法 ( E V在 1 mx1 m S(0 ) MP C D) ,a i 10 a
基体上沉积了金刚石薄膜。研究了不同的甲烷浓度对金刚石薄膜 (0 ) 10织构生长趋势的影响。分别采用扫描电子
显微镜 (E,a a光谱对金刚石膜的表面