mfrc522中文资料

预付费水表、预付费燃气表、预付费热量表等接触式卡表受到环境温度、湿度、油污等外界条件的影响，大大缩短了对卡表的使用寿命，因此非接触卡表已成为当前发展趋势。这里给出了一种基于射频器件MFRC522的智能仪表设计，提高了智能仪表的使命寿命。 1 MFRC522简介 1.1 MFRC522的特点

MFRC522采用串行通信方式与主机通信，可根据用户需求，选用SPI、I2C或串行UART工作模式，有利于减少连线，缩小PCB板面积，降低成本。MFRC522主要特点如下： 高度集成的调制解调电路，采用少量外部器件，即可将输出驱动级接至天线； 支持ISO／IEC 14443 FypeA接口和MIFARE通信协议：

支持多种主机接口：10 Mbit／s的SPI接口；I2C接口，快速模式的速率为400 Kbit／s，高速模式的速率为3 400 Kbit／s；串行UART，传输速率可以高达1 228.8 Kbit／s，帧取决于RS232接口； 特有的发送器掉电机制可关闭内部天线驱动器，即关闭RF场，达到低功耗； 内置温度传感器，在过热时自动停止RF发射；

独立的多组电源供电，避免相互干扰，优化EMC特性和信号退耦性能；

#include #include \#include \#include \#include

#define MAXRLEN 18

/******* RxModeReg默认为106kbit/s的通信速率 ******************/

/*********************************************************************** * 功 能：寻卡

* 参数说明: req_code[IN]:寻卡方式

* 0x52 = 寻感应区内所有符合14443A标准的卡 * 0x26 = 寻未进入休眠状态的卡 * pTagType[OUT]：卡片类型代码

* 0x4400 = Mifare_UltraLight * 0x0400 = Mifare_One(S50) * 0x0200 = Mifare_One(S70) * 0x080

///////////////////////////////////////////////////////////////////// //函数原型

///////////////////////////////////////////////////////////////////// char PcdReset(void); void PcdAntennaOn(void); void PcdAntennaOff(void);

char PcdRequest(unsigned char req_code,unsigned char *pTagType); char PcdAnticoll(unsigned char *pSnr);

char PcdSelect(unsigned char *pSnr);

char PcdAuthState(unsigned char auth_mode,unsigned char addr,unsigned char *pKey,unsigned char *pSnr);

char PcdRead(unsigned char addr,unsigned char *pD

在C51单片机上对读写卡芯片MFRC522编程 1 概述

在整个的射频识别系统中。读写卡模块负责建立单片机与电子标签之间的通信，起着非常重要的作用。而整个读写卡模块的核心，就是读写卡芯片MFRC522

MFRC522 是NXP 公司专为各种计量检测设备而设计、推出的一款低成本、低功耗的非接触式读写卡芯片。该芯片应用于 13.56MHz 非接触通信，应用了较为先进的调制和解调概念，集成了众多的通信方式和协议，其内部强大的电路可直接驱动天线无需其他外接电路，通过其独特的加密算法，更使其具备可较强的安全性。

作为一款较为成功的读写卡芯片，MFRC522与主机间的通信采用的是连线较少的串行通信，而且可根据不同的用户需求，从 SPI、I2C、串行 UART三种总线模式中选择，这样的设计有利于减少连线数量，缩小 PCB 板体积，降低成本。

目前MFRC522在很多的领域都得到了广泛应用，尤其适用于低成本、小尺寸、低功耗和单电源的非接触式通信的应用场合，是智能仪表、板上单元、便携式手持设备的极佳选择。 目前，全国各大城市的公共交通终端以及非接触式公用电话应用的正是MFRC522

1

2 特性

1. 高度集成的模拟电路模块，应用新概念完成调制和解调。 2.

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DISCRETE SEMICONDUCTORS

Product speci cation

Supersedes data of April 1995

File under Discrete Semiconductors, SC07

1996Jul30

N-channel silicon junction FETs

FEATURES

High speed switching

Interchangeability of drain and source connections Low RDSon at zero gate voltage (<8 for J108).APPLICATIONS Analog switches

Choppers and commutators.DESCRIPTION

N-channel symmetrical silicon junction field-effecttransistors in a TO-92 package.

QUICK REFERENCE DATA

J108; J109; J110

PINNING - TO-92

N-channel silicon junction FETs

LIMITING VAL

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IRFP250

N-CHANNEL 200V - 0.073 - 33A TO-247

PowerMesh II MOSFET

TYPEIRFP250

sssss

VDSS200V

RDS(on)< 0.085

ID33 A

TYPICAL RDS(on) = 0.073

EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY100% AVALANCHE TESTED

NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARKGATE CHARGE MINIMIZED

DESCRIPTION

The PowerMESH II is the evolution of the firstgeneration of MESH OVERLAY . The layout re-finements introduced greatly improve the Ron*areafigure of merit while keeping the device at the lead-ing edge for what concerns swithing speed, gatecharge and ruggedness.

APPLICATIONS

sHIGH C

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NTIONRCI C3SOO4/O OSEIRS TECHNIECLA SECPFIICATIONSASOBULTEMA XIUMMRAINGSTS UPPLYVO LTGAE (eBwtene+ adnsV )02 VsVOPE RATIGN TMPERAETRE U2-'C(5n(+ 85'TCC3 l 0ERSIS E C4 l 0SE R EIS5 5 .< T A<C+ 2l 5 o CNTERIAL NOWERPD ISIPASITN O70m0mWax (incldes exutrnaello ardsesitosr)TEPMERTAUE RTSOARG E25-"C<A<+T85C '31CSERIE0S C 41 0E I E S5R5 'C< T A<+1 50" S

(TYIPALAT C+25"C,RTEDSUAPLIPE,S ERFPOMARNECS UMMRY ATSTCIECUIRTIF. 3G16VD(C, )OTEHWRSI EOTND ENULSSEC3I SOERIES CI4SOERIS E 3 l 0 c/ c3 l Ii 3

元器件交易网http://www.77cn.com.cn

L6599

High-voltage resonant controller

Features

■■■■■■■■■■

50% duty cycle, variable frequency control of resonant half-bridgeHigh-accuracy oscillator

Up to 500kHz operating frequency

Two-level OCP: frequency-shift and latched shutdown

Interface with PFC controllerLatched disable input

Burst-mode operation at light loadInput for power-ON/OFF sequencing or brownout protection

Non-linear soft-start for monotonic output voltage rise

600V-rail compatible high-side gate driver with integrated bootstrap diode and

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Surface Mount

50 , High dynamic range, DC to 1 GHz

Features

!WEInGaP HBT IF and RF amplifier

frequency range, DC to 1 GHz, usable to 4 GHzhigh gain, 25.1 dB typ. at 100 MHz

up to +19.2 dBm typ. output power at 100 MHzhigh IP3, +38 dBm at 100 MHzlow noise figure, 2.7 dB typ.unconditionally stablelow thermal resistancetransient protectedpatent pending

low cost $1.85 (qty. 1000)

Applications

SOT-89(DF 782)

cellular broadband

communication receivers & transmitters

**Permanent damage may occur if any of these limits are exceed

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抱米花

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